Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2025, том 195, номер 4, страницы 425–431
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2025.01.039838 (Mi ufn15916) 		 
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)

К 270-летию МОСКОВСКОГО ГОСУДАРСТВЕННОГО УНИВЕРСИТЕТА (МГУ) имени М.В. ЛОМОНОСОВА. ПРИБОРЫ И МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ

Эффект увеличения коэффициента обратно рассеянных электронов на многослойных наноструктурах и инверсия контраста изображений в сканирующей электронной микроскопии

Э. И. Рау, С. В. Зайцев

Физический факультет, Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова
PDF полного текста (715 kB) Первая страница Список цитирования (1)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2025.01.039838
Аннотация: Обсуждены причины увеличения коэффициента обратно рассеянных электронов (ОРЭ) на многослойных плёночных наноструктурах при их исследовании в сканирующем электронном микроскопе (СЭМ). Рассмотрены условия возникновения инверсии контраста их изображений. Впервые получено полное аналитическое выражение для сигнала, детектируемого в режиме ОРЭ в СЭМ, для многослойных наноструктур. Решение прямой и обратной задач, связывающих величины сигнала с композицией трёхмерного образца в зависимости от энергии зондирующих электронов, позволяет определять толщины и глубины залегания нанообъектов в массиве матрицы с большим пространственным разрешением. Основные расчёты в предлагаемой работе проведены по уточнённым эмпирическим формулам, соответствующим экспериментальным данным авторов или приведённым в цитированной литературе.
Ключевые слова: сканирующая электронная микроскопия, обратно рассеянные электроны, многослойные тонкоплёночные структуры, контраст изображений.
Поступила: 7 июня 2024 г.
Доработана: 5 декабря 2024 г.
Одобрена в печать: 13 января 2025 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2025, Volume 68, Issue 4, Pages 401–407
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2025.01.039838
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 68.37.-d, 68.37.Hk
Образец цитирования: Э. И. Рау, С. В. Зайцев, “Эффект увеличения коэффициента обратно рассеянных электронов на многослойных наноструктурах и инверсия контраста изображений в сканирующей электронной микроскопии”, УФН, 195:4 (2025), 425–431; Phys. Usp., 68:4 (2025), 401–407
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{RauZai25}
\by Э.~И.~Рау, С.~В.~Зайцев
\paper Эффект увеличения коэффициента обратно рассеянных электронов на многослойных наноструктурах и инверсия контраста изображений в сканирующей электронной микроскопии
\jour УФН
\yr 2025
\vol 195
\issue 4
\pages 425--431
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn15916}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2025.01.039838}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2025PhyU...68..401R}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2025
\vol 68
\issue 4
\pages 401--407
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2025.01.039838}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=001513421700006}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-105006653901}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn15916
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v195/i4/p425
    • Эта публикация цитируется в следующих 1 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025