Мерцающая флуоресценция одиночных полупроводниковых нанокристаллов: основные экспериментальные факты и теоретические модели мерцания

Обсуждается соответствие разных теоретических моделей мерцания флуоресценции одиночных полупроводниковых нанокристаллов (НК), состоящих из ядра и оболочки, новым экспериментальным фактам. Особенно детально рассматриваются две альтернативные модели: зарядовая модель и модель рекомбинационных центров. Проанализированы их достоинства и недостатки. Излагается также предложенная недавно комбинированная модель, объединяющая сильные стороны как зарядовой модели, так и модели рекомбинационных центров и предлагающая объяснение обнаруженного недавно факта существования НК типа А и В, которые различаются наличием или отсутствием корреляции между квантовым выходом флуоресценции одиночного НК и временем затухания его флуоресценции. Показано, что оже-нейтрализация ядра НК приводит к антикорреляции длительности тёмного (off) интервала и интенсивности “серой” флуоресценции, излучаемой в off-интервале. Показано также, что величина показателя степени в законе $t^{-m}$, описывающем распределение светлых (on) и off-интервалов в флуоресценции одиночного НК, характеризует степень концентрации ловушек и локализованных возбуждений ядра НК на интерфейсе между ядром и оболочкой НК.