Успехи физических наук
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Скоро в журнале
Архив
Импакт-фактор
Правила для авторов
Загрузить рукопись

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS


УФН:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти




Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация

Успехи физических наук, 2019, том 189, номер 8, страницы 803–848
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.10.038437 (Mi ufn6380) 		 
Эта публикация цитируется в 16 научных статьях (всего в 16 статьях)

ОБЗОРЫ АКТУАЛЬНЫХ ПРОБЛЕМ

Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)

А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов

Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе РАН, г. Санкт-Петербург
PDF полного текста (2026 kB) Список цитирования (16)
Список литературы:
PDF
HTML
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.10.038437
URL: https://www.ufn.ru/ru/articles/2019/8/c
Аннотация: Рассмотрены история и современное состояние исследований электрофизических параметров SiC. Представлены основные методы выращивания объёмных кристаллов SiC и эпитаксиальных SiC-плёнок. Дан краткий обзор используемых для послеростовой обработки эпитаксиальных SiC-структур. Показан современный уровень, достигнутый при разработке приборов на основе SiC. Проанализированы основные проблемы, существующие при разработке SiC-приборов, и перспективы создания и развития таких приборов.
Ключевые слова: карбид кремния, объёмные кристаллы, сублимационный рост, политипы, латеральное разращивание, высоковольтные силовые диоды, высоковольтные субнаносекундные импульсные диоды, тиристоры, биполярные транзисторы, аналитические модели, численное моделирование, центр окраски, спин, сенсорика, магнитное поле, оптическое детектирование магнитных резонансов, графен, спектроскопия вынужденного комбинационного расеяния, двумерные материалы.
Финансовая поддержка Номер гранта
Российский научный фонд 16-42-01098
Работа поддержана Российским научным фондом (грант 16-42-01098).
Поступила: 4 сентября 2018 г.
Доработана: 1 октября 2018 г.
Одобрена в печать: 4 октября 2018 г.
Англоязычная версия:
Physics–Uspekhi, 2019, Volume 62, Issue 8, Pages 754–794
DOI: https://doi.org/10.3367/UFNe.2018.10.038437
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.05.ue, 81.10.-h, 85.30.-z
Образец цитирования: А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019), 803–848; Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{LebIvaLev19}
\by А.~А.~Лебедев, П.~А.~Иванов, М.~Е.~Левинштейн, Е.~Н.~Мохов, С.~С.~Нагалюк, А.~Н.~Анисимов, П.~Г.~Баранов
\paper Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им.~А.Ф.~Иоффе РАН)
\jour УФН
\yr 2019
\vol 189
\issue 8
\pages 803--848
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/ufn6380}
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNr.2018.10.038437}
\adsnasa{https://adsabs.harvard.edu/cgi-bin/bib_query?2019PhyU...62..754L}
\elib{https://elibrary.ru/item.asp?id=43230984}
\transl
\jour Phys. Usp.
\yr 2019
\vol 62
\issue 8
\pages 754--794
\crossref{https://doi.org/10.3367/UFNe.2018.10.038437}
\isi{https://gateway.webofknowledge.com/gateway/Gateway.cgi?GWVersion=2&SrcApp=Publons&SrcAuth=Publons_CEL&DestLinkType=FullRecord&DestApp=WOS_CPL&KeyUT=000504891900002}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-85076766922}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn6380
  • https://www.mathnet.ru/rus/ufn/v189/i8/p803
    Публикации по теме
    Эта публикация цитируется в следующих 16 статьяx:
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    		Успехи физических наук Physics-Uspekhi
     
      Обратная связь:
    		  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025