|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
С. В. Рябцев, Д. А. А. Гхариб, С. Ю. Турищев, Л. А. Обвинцева, А. В. Шапошник, Э. П. Домашевская, “Структурные и газочувствительные характеристики тонких полупроводниковых пленок PdO различной толщины при детектировании озона”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1034–1039   |
2
|
|
2019 |
| 2. |
Э. П. Домашевская, С. А. Ивков, А. В. Ситников, О. В. Стогней, А. Т. Козаков, А. В. Никольский, “Влияние относительного содержания металлической компоненты в диэлектрической матрице на образование и размеры нанокристаллов кобальта в пленочных композитах Co$_{x}$(MgF$_{2}$)$_{100-x}$”, Физика твердого тела, 61:2 (2019), 211–219 ; È. P. Domashevskaya, S. A. Ivkov, A. V. Sitnikov, O. V. Stognei, A. T. Kozakov, A. V. Nikol'skii, “The influence of relative content of a metal component in a dielectric matrix on the formation and dimensions of cobalt nanocrystallites in Co$_{x}$(MgF$_{2}$)$_{100-x}$ film composites”, Phys. Solid State, 61:2 (2019), 71–79 |
13
|
| 3. |
Э. П. Домашевская, Д. Л. Голощапов, Аль Хайлани Хасан Исмаил Дамбос, Е. В. Руднев, М. В. Гречкина, С. В. Рябцев, “Особенности морфологии и оптических свойств наноструктур дисульфида молибдена от мономолекулярного слоя до фрактолообразной субструктуры”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 940–946 ; È. P. Domashevskaya, D. L. Goloshchapov, Al Khailani Hasan Ismail Dambos, E. V. Rudnev, M. V. Grechkina, S. V. Ryabtsev, “On the morphology and optical properties of molybdenum disulfide nanostructures from a monomolecular layer to a fractal-like substructure”, Semiconductors, 53:7 (2019), 923–929 |
2
|
|
2018 |
| 4. |
В. А. Терехов, Д. С. Усольцева, О. В. Сербин, И. Е. Занин, Т. В. Куликова, Д. Н. Нестеров, К. А. Барков, А. В. Ситников, С. К. Лазарук, Э. П. Домашевская, “Особенности фазообразования и электронного строения в пленочных композитах Al$_{1-x}$Si$_{x}$ при магнетронном и ионно-лучевом напылении”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 1005–1011 ; V. A. Terekhov, D. S. Usol'tseva, O. V. Serbin, I. E. Zanin, T. V. Kulikova, D. N. Nesterov, K. A. Barkov, A. V. Sitnikov, S. K. Lazaruk, È. P. Domashevskaya, “Phase formation and electronic structure peculiarities in the Al$_{1-x}$Si$_{x}$ film composites under the conditions of magnetron and ion-beam sputtering”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 1021–1028 |
1
|
| 5. |
Д. Л. Голощапов, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Фотолюминесцентные свойства нанопористого нанокристаллического карбонат-замещенного гидроксиапатита”, Оптика и спектроскопия, 124:2 (2018), 191–196 ; D. L. Goloshchapov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Photoluminescence properties of nanoporous nanocrystalline carbonate-substituted hydroxyapatite”, Optics and Spectroscopy, 124:2 (2018), 187–192 |
7
|
|
2017 |
| 6. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Э. П. Домашевская, П. В. Середин, А. Н. Бельтюков, Ф. З. Гильмутдинов, “Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 773–782 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, È. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Beltyukov, F. Z. Gilmutdinov, “Composition of nanocomposites of thin tin layers on porous silicon, formed by magnetron sputtering”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 791–800 |
| 7. |
Э. П. Домашевская, А. А. Гуда, А. В. Чернышев, В. Г. Ситников, “Особенности локальной атомной структуры металлических слоев многослойных наноструктур (CoFeZr/SiO$_{2}$)$_{32}$ и (CoFeZr/$a$-Si)$_{40}$ с различными прослойками”, Физика твердого тела, 59:2 (2017), 373–378 ; È. P. Domashevskaya, A. A. Guda, A. V. Chernyshev, V. G. Sitnikov, “Specific features of the atomic structure of metallic layers of multilayered (CoFeZr/SiO$_{2}$)$_{32}$ and (CoFeZr/$a$-Si)$_{40}$ nanostructures with different interlayers”, Phys. Solid State, 59:2 (2017), 385–391 |
1
|
| 8. |
Э. П. Домашевская, Н. С. Буйлов, В. А. Терехов, К. А. Барков, В. Г. Ситников, “Электронное строение и фазовый состав диэлектрических прослоек в многослойной аморфной наноструктуре [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$”, Физика твердого тела, 59:1 (2017), 161–166 ; È. P. Domashevskaya, N. S. Builov, V. A. Terekhov, K. A. Barkov, V. G. Sitnikov, “Electronic structure and phase composition of dielectric interlayers in multilayer amorphous nanostructure [(CoFeB)$_{60}$C$_{40}$/SiO$_{2}$]$_{200}$”, Phys. Solid State, 59:1 (2017), 168–173 |
5
|
| 9. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, А. В. Ершов, А. И. Машин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах $a$-SiO$_{x}$/диэлектрик по результатам синхротронных исследований”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 363–366 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. A. Koyuda, A. V. Ershov, A. I. Mashin, E. V. Parinova, D. N. Nesterov, D. A. Grachev, I. A. Karabanova, È. P. Domashevskaya, “Formation of silicon nanocrystals in multilayer nanoperiodic $a$-SiO$_{x}$/insulator structures from the results of synchrotron investigations”, Semiconductors, 51:3 (2017), 349–352 |
5
|
|
2016 |
| 10. |
М. Д. Манякин, С. И. Курганский, О. И. Дубровский, О. А. Чувенкова, Э. П. Домашевская, С. Ю. Турищев, “Ab initio моделирование и синхротронные рентгеноспектральные исследования оксидов олова вблизи Sn $L_{3}$-краев поглощения”, Физика твердого тела, 58:12 (2016), 2294–2298 ; M. D. Manyakin, S. I. Kurganskii, O. I. Dubrovskii, O. A. Chuvenkova, È. P. Domashevskaya, S. Yu. Turishchev, “Ab initio calculation and synchrotron X-ray spectroscopy investigations of tin oxides near the Sn $L_{3}$”, Phys. Solid State, 58:12 (2016), 2379–2384 |
1
|
| 11. |
Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. Е. Спирин, А. В. Чернышев, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников, “Межатомные взаимодействия на интерфейсах многослойных наноструктур (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/a-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_{2}$)$_{32}$”, Физика твердого тела, 58:5 (2016), 991–999 ; È. P. Domashevskaya, V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, D. E. Spirin, A. V. Chernyshev, Yu. E. Kalinin, A. V. Sitnikov, “Interatomic interactions at interfaces of multilayered nanostructures (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ and (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/Si$_{2}$)$_{32}$”, Phys. Solid State, 58:5 (2016), 1024–1033 |
6
|
| 12. |
Э. П. Домашевская, Е. А. Михайлюк, Т. В. Прокопова, Н. Н. Безрядин, “Глубокие центры на границе раздела в гетероструктурах In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs и In$_{2}$Te$_{3}$/InAs”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 313–317 ; È. P. Domashevskaya, E. A. Mikhailyuk, T. V. Prokopova, N. N. Bezryadin, “Deep centers at the interface in In$_{2x}$Ga$_{2(1-x)}$Te$_{3}$/InAs and In$_{2}$Te$_{3}$/InAs heterostructures”, Semiconductors, 50:3 (2016), 309–313 |
| 13. |
В. А. Терехов, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, Е. В. Паринова, Д. Е. Спирин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Состав и оптические свойства аморфных пленок $a$-SiO$_{x}$:H с нанокластерами кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 212–217 ; V. A. Terekhov, E. I. Terukov, Yu. K. Undalov, E. V. Parinova, D. E. Spirin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Composition and optical properties of amorphous $a$-SiO$_x$ :H films with silicon nanoclusters”, Semiconductors, 50:2 (2016), 212–216 |
5
|
| 14. |
С. В. Рябцев, О. А. Чувенкова, С. В. Канныкин, А. Е. Попов, Н. С. Рябцева, С. С. Воищев, С. Ю. Турищев, Э. П. Домашевская, “Электрофизические и оптические свойства оксидных нанослоев, полученных термическим окислением металлического олова”, Физика и техника полупроводников, 50:2 (2016), 180–184 ; S. V. Ryabtsev, O. A. Chuvenkova, S. V. Kannykin, A. E. Popov, N. S. Ryabtseva, S. S. Voischev, S. Yu. Turishchev, È. P. Domashevskaya, “On the electrical and optical properties of oxide nanolayers produced by the thermal oxidation of metal tin”, Semiconductors, 50:2 (2016), 180–184 |
|
2015 |
| 15. |
О. А. Чувенкова, Э. П. Домашевская, С. В. Рябцев, Ю. А. Юраков, А. Е. Попов, Д. А. Коюда, Д. Н. Нестеров, Д. Е. Спирин, Р. Ю. Овсянников, С. Ю. Турищев, “Исследование поверхностных дефектов в нитевидных кристаллах SnO$_2$ методами XANES и XPS”, Физика твердого тела, 57:1 (2015), 145–152 ; O. A. Chuvenkova, È. P. Domashevskaya, S. V. Ryabtsev, Yu. A. Yurakov, A. E. Popov, D. A. Koyuda, D. N. Nesterov, D. E. Spirin, R. Yu. Ovsyannikov, S. Yu. Turishchev, “XANES and XPS investigations of surface defects in wire-like SnO$_2$ crystals”, Phys. Solid State, 57:1 (2015), 153–161 |
46
|
| 16. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Особенности изменения с течением времени оптических характеристик нано-, мезо- и макропористого кремния”, ЖТФ, 85:7 (2015), 151–155 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Variations of the optical characteristics of nano-, meso-, and macroporous silicon with time”, Tech. Phys., 60:7 (2015), 1096–1100 |
2
|
| 17. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, Д. Е. Спирин, Е. В. Паринова, Д. Н. Нестеров, Д. А. Грачев, И. А. Карабанова, А. В. Ершов, А. И. Машин, Э. П. Домашевская, “Формирование нанокристаллов кремния в многослойных нанопериодических структурах Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/ SiO$_x$/$\dots$/Si(100) по данным синхротронных исследований и фотолюминесценции”, Физика и техника полупроводников, 49:3 (2015), 421–425 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. A. Koyuda, D. E. Spirin, E. V. Parinova, D. N. Nesterov, D. A. Grachev, I. A. Karabanova, A. V. Ershov, A. I. Mashin, È. P. Domashevskaya, “Formation of Si nanocrystals in multilayered nanoperiodic Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100) structures: Synchrotron and photoluminescence data”, Semiconductors, 49:3 (2015), 409–413 |
4
|
| 18. |
В. А. Терехов, Е. В. Паринова, Э. П. Домашевская, А. С. Садчиков, Е. И. Теруков, Ю. К. Ундалов, Б. В. Сеньковский, С. Ю. Турищев, “Особенности электронного строения и фазового состава аморфных пленок композитов (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ по данным рентгеноспектральных исследований”, Письма в ЖТФ, 41:20 (2015), 82–88 ; V. A. Terekhov, E. V. Parinova, È. P. Domashevskaya, A. S. Sadchikov, E. I. Terukov, Yu. K. Undalov, B. V. Senkovskiy, S. Yu. Turishchev, “Peculiarities of the electronic structure and phase composition of amorphous (SiO$_2$)$_x$($a$-Si:H)$_{x-1}$ composite films according to X-ray spectroscopy data”, Tech. Phys. Lett., 41:10 (2015), 1010–1012 |
7
|
| 19. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. Н. Нестеров, К. Г. Колтыгина, В. А. Сиваков, Э. П. Домашевская, “Особенности атомного и электронного строения нитевидного кремния, сформированного на подложках с различным удельным сопротивлением по данным ультрамягкой рентгеновской эмиссионной спектроскопии”, Письма в ЖТФ, 41:7 (2015), 81–88 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. N. Nesterov, K. G. Koltygina, V. A. Sivakov, È. P. Domashevskaya, “Atomic and electronic structure peculiarities of silicon wires formed on substrates with varied resistivity according to ultrasoft X-ray emission spectroscopy”, Tech. Phys. Lett., 41:4 (2015), 344–347 |
5
|
|
2014 |
| 20. |
Э. П. Домашевская, А. В. Чернышев, С. Ю. Турищев, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников, Д. Е. Марченко, “XPS-исследования межатомных взаимодействий в поверхностном слое многослойных наноструктур (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_2$)$_{32}$”, Физика твердого тела, 56:11 (2014), 2219–2230 ; È. P. Domashevskaya, A. V. Chernyshev, S. Yu. Turishchev, Yu. E. Kalinin, A. V. Sitnikov, D. E. Marchenko, “X-Ray photoelectron spectroscopy investigations of atomic interactions in surface layers of multilayered nanostructures (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ and (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_2$)$_{32}$”, Phys. Solid State, 56:11 (2014), 2294–2306 |
11
|
| 21. |
С. И. Курганский, М. Д. Манякин, О. И. Дубровский, О. А. Чувенкова, С. Ю. Турищев, Э. П. Домашевская, “Теоретическое и экспериментальное исследование электронной структуры диоксида олова”, Физика твердого тела, 56:9 (2014), 1690–1695 ; S. I. Kurganskii, M. D. Manyakin, O. I. Dubrovskii, O. A. Chuvenkova, S. Yu. Turishchev, È. P. Domashevskaya, “Theoretical and experimental study of the electronic structure of tin dioxide”, Phys. Solid State, 56:9 (2014), 1748–1753 |
20
|
| 22. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Б. Л. Агапов, Д. А. Минаков, В. Н. Ципенюк, Э. П. Домашевская, “Оптические характеристики различных структур пористого кремния”, ЖТФ, 84:2 (2014), 70–75 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, B. L. Agapov, D. A. Minakov, V. N. Tsipenyuk, È. P. Domashevskaya, “Optical characteristics of porous silicon structures”, Tech. Phys., 59:2 (2014), 224–229 |
27
|
| 23. |
А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, В. М. Кашкаров, Б. Л. Агапов, Э. П. Домашевская, И. Е. Кононова, В. А. Мошников, Н. С. Теребова, И. Н. Шабанова, “Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 570–575 ; A. S. Len'shin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, B. L. Agapov, È. P. Domashevskaya, I. E. Kononova, V. A. Moshnikov, N. S. Terebova, I. N. Shabanova, “Specific features of the sol–gel formation and optical properties of 3$d$ metal/porous silicon composites”, Semiconductors, 48:4 (2014), 551–555 |
5
|
|
2013 |
| 24. |
Э. П. Домашевская, А. В. Чернышев, С. Ю. Турищев, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников, Д. Е. Марченко, “XANES-исследования межатомных взаимодействий в многослойных наноструктурах (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ и (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_2$)$_{32}$”, Физика твердого тела, 55:6 (2013), 1202–1210 ; È. P. Domashevskaya, A. V. Chernyshev, S. Yu. Turishchev, Yu. E. Kalinin, A. V. Sitnikov, D. E. Marchenko, “XANES investigations of interatomic interactions in multilayered nanostructures (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/$a$-Si)$_{40}$ and (Co$_{45}$Fe$_{45}$Zr$_{10}$/SiO$_2$)$_{32}$”, Phys. Solid State, 55:6 (2013), 1294–1303 |
9
|
| 25. |
Э. П. Домашевская, В. А. Терехов, С. Ю. Турищев, Д. А. Коюда, Н. А. Румянцева, Ю. П. Першин, В. В. Кондратенко, N. Appathurai, “Синхротронные исследования многослойных нанопериодических структур Si/Mo/Si $\dots$ $c$-Si (100)”, Физика твердого тела, 55:3 (2013), 577–584 ; È. P. Domashevskaya, V. A. Terekhov, S. Yu. Turishchev, D. A. Koyuda, N. A. Rumyantseva, Yu. P. Pershin, V. V. Kondratenko, N. Appathurai, “Synchrotron investigations of Si/Mo/Si $\dots$ $c$-Si (100) multilayer nanoperiodic structures”, Phys. Solid State, 55:3 (2013), 634–641 |
4
|
| 26. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, Э. П. Домашевская, В. В. Ратников, Л. М. Сорокин, “Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в $p^+$-эпитаксиальном слое на $n$-Si(111)”, ЖТФ, 83:3 (2013), 96–100 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, D. A. Minakov, B. L. Agapov, È. P. Domashevskaya, V. V. Ratnikov, L. M. Sorokin, “Structural and optical properties of porous silicon prepared from a $p^+$-epitaxial layer on $n$-Si(111)”, Tech. Phys., 58:3 (2013), 404–407 |
1
|
| 27. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, В. Н. Ципенюк, П. В. Середин, Б. Л. Агапов, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Оптические свойства пористого кремния, обработанного в тетраэтилортосиликате”, ЖТФ, 83:2 (2013), 136–140 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, V. N. Tsipenyuk, P. V. Seredin, B. L. Agapov, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Optical properties of porous silicon processed in tetraethyl orthosilicate”, Tech. Phys., 58:2 (2013), 284–288 |
14
|
| 28. |
С. Ю. Турищев, В. А. Терехов, Д. А. Коюда, К. Н. Панков, А. В. Ершов, Д. А. Грачев, А. И. Машин, Э. П. Домашевская, “Синхротронные исследования формирования нанокластеров кремния в многослойных наноструктурах
Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100)”, Физика и техника полупроводников, 47:10 (2013), 1327–1334 ; S. Yu. Turishchev, V. A. Terekhov, D. A. Koyuda, K. N. Pankov, A. V. Ershov, D. A. Grachev, A. I. Mashin, È. P. Domashevskaya, “Synchrotron study of the formation of nanoclusters in Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/Al$_2$O$_3$/SiO$_x$/$\dots$/Si(100) multilayer nanostructures”, Semiconductors, 47:10 (2013), 1316–1323 |
6
|
| 29. |
П. В. Середин, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, “Свойства эпитаксиальных твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$, выращенных МОС-гидридной автоэпитаксией”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 9–14 ; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, “Properties of epitaxial (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$C$_y$ alloys grown by MOCVD autoepitaxy”, Semiconductors, 47:1 (2013), 7–12 |
7
|
| 30. |
П. В. Середин, Э. П. Домашевская, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, T. Prutskij, “Сверхструктурное упорядочение в твердых растворах Al$_x$Ga$_{1-x}$As и Ga$_x$In$_{1-x}$P”, Физика и техника полупроводников, 47:1 (2013), 3–8 ; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, T. Prutskij, “Superstructured ordering in Al$_x$Ga$_{1-x}$As and Ga$_x$In$_{1-x}$P alloys”, Semiconductors, 47:1 (2013), 1–6 |
20
|
|
2012 |
| 31. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, С. Ю. Турищев, М. С. Смирнов, Э. П. Домашевская, “Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния”, ЖТФ, 82:2 (2012), 150–152 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, S. Yu. Turishchev, M. S. Smirnov, È. P. Domashevskaya, “Influence of natural aging on photoluminescence from porous silicon”, Tech. Phys., 57:2 (2012), 305–307 |
17
|
| 32. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, М. А. Кузнецова, В. А. Мошников, Э. П. Домашевская, “Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1101–1107 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, B. L. Agapov, M. A. Kuznetsova, V. A. Moshnikov, È. P. Domashevskaya, “Study of the morphological growth features and optical characteristics of multilayer porous silicon samples grown on $n$-type substrates with an epitaxially deposited $p^+$-layer”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1079–1084 |
22
|
| 33. |
П. В. Середин, А. В. Глотов, Э. П. Домашевская, А. С. Леньшин, М. С. Смирнов, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, А. Л. Станкевич, И. С. Тарасов, “Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/ GaAs(100)”, Физика и техника полупроводников, 46:6 (2012), 739–750 ; P. V. Seredin, A. V. Glotov, È. P. Domashevskaya, A. S. Len'shin, M. S. Smirnov, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, I. S. Tarasov, “Structural and spectral features of MOCVD Al$_x$Ga$_y$In$_{1-x-y}$As$_z$P$_{1-z}$/GaAs (100) alloys”, Semiconductors, 46:6 (2012), 719–729 |
18
|
|
2011 |
| 34. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, С. Ю. Турищев, М. С. Смирнов, Э. П. Домашевская, “Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 37:17 (2011), 1–8 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, S. Yu. Turishchev, M. S. Smirnov, È. P. Domashevskaya, “Effect of natural aging on photoluminescence of porous silicon”, Tech. Phys. Lett., 37:9 (2011), 789–792 |
|
1991 |
| 35. |
Л. А. Балагуров, Н. Ю. Карпова, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, Э. П. Домашевская, “Исследование энергетического спектра локализованных Д-состояний в объеме и на поверхности $a$-Si : H методом ультрамягкой рентгеновской спектроскопии”, Физика твердого тела, 33:10 (1991), 3033–3038  |
| 36. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, “Плотность состояний хвоста валентной зоны и фотопроводимость
аморфного гидрированного кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:8 (1991), 1448–1450 |
| 37. |
Э. П. Домашевская, Е. Н. Неврюева, Г. Г. Грушка, Н. П. Говалешко, А. С. Баев, В. А. Терехов, “Влияние стехиометрических вакансий на поведение потолка валентной
зоны в твердых растворах (In$_{2}$Te$_{3}$)$_{x}{-}$(HgTe)$_{1-x}$”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991), 893–897 |
|
1989 |
| 38. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, М. М. Казанин, В. Х. Кудоярова, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, В. А. Терехов, С. Н. Тростянский, “Структурная сетка, уровень Ферми и плотность состояний аморфного
кремния”, Физика и техника полупроводников, 23:3 (1989), 450–455 |
| 39. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, Э. П. Домашевская, Н. Н. Арсентьев, Т. М. Иванова, “Электронное строение валентной зоны твердых растворов
Al$_{y}$Ga$_{1-y}$As и GaAs$_{1-x}$P$_{x}$
по данным рентгеновской спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 23:2 (1989), 268–273 |
|
1988 |
| 40. |
О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, А. Таджиев, В. А. Терехов, “Плотность электронных состояний соединений MB$_{66}$”, Физика твердого тела, 30:3 (1988), 899–901 |
|
1987 |
| 41. |
В. В. Кукуев, Е. А. Тутов, Э. П. Домашевская, М. В. Яновская, В. Е. Обвинцева, Ю. Н. Веневцев, “Управление плотностью эффективного поверхностного заряда в МДП
структуре с пленкой триоксида вольфрама”, ЖТФ, 57:10 (1987), 1957–1961 |
|
1986 |
| 42. |
Ю. К. Тимошенко, Э. П. Домашевская, А. Н. Латышев, “Локальные электронные состояния иодного центра в AgCl”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2191–2193 |
| 43. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, Ю. А. Тетерин, И. М. Раренко, Э. П. Домашевская, “Влияние $5d$-электронов ртути на захлопывание запрещенной зоны
в твердых растворах Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986), 1658–1661 |
|
1985 |
| 44. |
С. В. Власов, Э. П. Домашевская, С. И. Курганский, Г. П. Нижникова, О. В. Фарберович, “Структура валентной полосы соединения с промежуточной валентностью SmB$_{6}$”, Физика твердого тела, 27:7 (1985), 2173–2175 |
|
1984 |
| 45. |
О. В. Фарберович, Г. П. Нижникова, С. В. Власов, Э. П. Домашевская, “Самосогласованная релятивистская зонная структура соединения TmS в приближении функционала локальной плотности”, Физика твердого тела, 26:2 (1984), 554–556 |
| 46. |
В. А. Терехов, О. А. Голикова, Э. П. Домашевская, С. Н. Тростянский, М. М. Мездрогина, К. Л. Сорокина, “Плотность состояний и фотопроводимость аморфного кремния”, Физика и техника полупроводников, 18:10 (1984), 1897–1899 |
|
1983 |
| 47. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, В. В. Горбачев, Ю. А. Тетерин, Э. П. Домашевская, “Электронное строение халькогенидов меди по рентгеноспектральным и рентгеноэлектронным данным”, Физика твердого тела, 25:8 (1983), 2482–2484 |
|
1964 |
| 48. |
Я. А. Угай, Э. П. Домашевская, “К вопросу о природе химической связи в полупроводниковых соединениях
$\mathrm{A}^{\mathrm{III}}\mathrm{B}^{\mathrm{V}}$”, Докл. АН СССР, 156:2 (1964), 430–433 |
|
|
|
2013 |
| 49. |
П. В. Середин, Э. П. Домашевская, В. Е. Терновая, И. Н. Арсентьев, Д. А. Винокуров, И. С. Тарасов, T. Prutskij, “Фотолюминесцентные свойства высоколегированных гетероструктур на основе твердых растворов (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$”, Физика твердого тела, 55:10 (2013), 2054–2057 ; P. V. Seredin, È. P. Domashevskaya, V. E. Ternovaya, I. N. Arsent'ev, D. A. Vinokurov, I. S. Tarasov, T. Prutskij, “Photoluminescence properties of heavily doped heterostructures based on (Al$_x$Ga$_{1-x}$As)$_{1-y}$Si$_y$ solid solutions”, Phys. Solid State, 55:10 (2013), 2169–2172 |
10
|
|
