Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Лебедев Александр Александрович
профессор
доктор физико-математических наук (1998)
Специальность ВАК: 01.04.10 (физика полупроводников)
Дата рождения: 10.03.1959

Научная биография:

Лебедев, Александр Александрович. Глубокие центры и их влияние на рекомбинационные процессы в диодных структурах на основе 6Н и 4Н SiC : диссертация ... кандидата физико-математических наук : 01.04.10 / Физ.-техн. ин-т. - Ленинград, 1991. - 141 с. : ил.

Лебедев, Александр Александрович. Ёмкостная спектроскопия карбида кремния : диссертация ... доктора физико-математических наук : 01.04.10. - Санкт-Петербург, 1998. - 307 с. : ил.

https://www.mathnet.ru/rus/person140840
https://ru.wikipedia.org/wiki/Лебедев,_Александр_Александрович_(физик)
Список публикаций на Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=817884
https://www.researchgate.net/profile/Aa-Lebedev

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. А. В. Мясоедов, М. Г. Мынбаева, С. Ю. Приображенский, Д. Г. Амельчук, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Применение композитных подложек 6H-SiC/3C-SiC(001) для выращивания кубического политипа карбида кремния методом сублимации”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  294–297  mathnet
2. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, Д. А. Малевский, А. В. Сахаров, К. С. Давыдовская, М. Е. Левинштейн, А. Е. Николаев, “Влияние температуры облучения на скорость удаления носителей в GaN”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  227–229  mathnet
3. А. В. Мясоедов, М. Г. Мынбаева, С. П. Лебедев, С. Ю. Приображенский, Д. Г. Амельчук, А. А. Лебедев, “Особенности кристаллизации промежуточного слоя кремния в процессе переноса тонкого слоя 3C-SiC(001) на 6H-SiC(0001)-подложку”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025),  11–14  mathnet  elib
4. Н. М. Шмидт, А. С. Усиков, С. В. Воробьев, А. Ю. Плеханов, И. К. Терновых, А. Д. Роенков, М. В. Пузык, Е. И. Шабунина, Е. В. Гущина, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, А. Н. Смирнов, С. Ю. Приображенский, Е. М. Танклевская, “Биосенсоры на основе графена для детектирования маркеров нейродегенеративной деменции”, Письма в ЖТФ, 51:3 (2025),  13–16  mathnet  elib
2024
5. В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, В. В. Козловский, “Низкотемпературное люминесцентное исследование образования радиационных дефектов в $4H$-$\mathrm{SiC}$ диодах Шоттки”, Физика твердого тела, 66:12 (2024),  2193–2196  mathnet  elib
6. С. Ю. Давыдов, К. С. Давыдовская, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, “Температурная зависимость скорости удаления носителей в 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024),  482–484  mathnet  elib
7. А. А. Лебедев, А. В. Сахаров, В. В. Козловский, Д. А. Малевский, А. Е. Николаев, М. Е. Левинштейн, “Влияние протонного и электронного облучения на параметры нитрид-галлиевых диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 58:1 (2024),  49–52  mathnet  elib; A. A. Lebedev, A. V. Sakharov, V. V. Kozlovsky, D. A. Malevskii, A. E. Nikolaev, M. E. Levinshteǐn, “Effect of proton and electron irradiation on the parameters of gallium nitride Schottky diodes”, Semiconductors, 58:5 (2024), 433–435 1
2023
8. И. А. Елисеев, А. С. Усиков, А. Д. Роенков, С. П. Лебедев, В. Н. Петров, А. Н. Смирнов, А. А. Лебедев, Е. В. Гущина, Е. М. Танклевская, Е. И. Шабунина, М. В. Пузык, Н. М. Шмидт, “Исследование рельефа напряжений и распределения деформаций в пленках графена биосенсоров вирусных инфекций”, Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2216–2219  mathnet  elib
9. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “Органическая макромолекула на свободном и эпитаксиальном графене: модель HOMO-LUMO”, Физика твердого тела, 65:12 (2023),  2048–2050  mathnet  elib
10. А. А. Лебедев, Д. А. Малевский, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, “Процессы долговременной релаксации в облученном протонами 4H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 57:9 (2023),  743–750  mathnet  elib
11. В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, И. А. Елисеев, Ю. Э. Китаев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. А. Лебедев, Д. Ю. Панов, В. А. Спиридонов, Д. А. Бауман, А. Е. Романов, В. В. Козловский, “Исследование Cr$^{3+}$ примесной люминесценции в протонно-облученном $\beta$-Ga$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  573–576  mathnet  elib
12. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “Влияние адсорбированной макромолекулы на подвижность носителей в однослойном графене: модель оборванных связей”, Физика и техника полупроводников, 57:5 (2023),  392–396  mathnet  elib
13. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, “Влияние протонного облучения на свойства высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 57:1 (2023),  53–57  mathnet  elib 1
14. М. С. Дунаевский, Е. В. Гущина, Д. А. Малых, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Тестовые структуры на базе SiC с тонкими слоями графена для определения аппаратной функции для Кельвин-зонд-микроскопии”, Письма в ЖТФ, 49:4 (2023),  24–27  mathnet  elib
2022
15. И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, В. В. Антипов, А. А. Лебедев, “Электронно-дифракционное изучение преобразования реконструкции 6$\sqrt{3}$ на поверхности 4H-SiC(0001) в квазисвободный эпитаксиальный графен”, Физика твердого тела, 64:12 (2022),  2055–2060  mathnet  elib
16. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “Диэлектрические и оптические свойства кубических монокристаллов SiC, GeC и SnC: модельные оценки”, Физика твердого тела, 64:1 (2022),  70–73  mathnet  elib
17. С. П. Лебедев, С. Ю. Приображенский, А. В. Плотников, М. Г. Мынбаева, А. А. Лебедев, “Моделирование распределения температуры в зоне сублимационного роста графена на SiC подложке”, ЖТФ, 92:12 (2022),  1776–1780  mathnet  elib
18. А. Ю. Плеханов, М. В. Пузык, А. С. Усиков, А. Д. Роенков, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, С. А. Клотченко, А. В. Васин, Ю. Н. Макаров, “Хемилюминесценция функционализированной поверхности графена”, Оптика и спектроскопия, 130:9 (2022),  1417–1422  mathnet  elib
19. И. А. Елисеев, Е. А. Гущина, С. А. Клотченко, А. А. Лебедев, Н. М. Лебедева, С. П. Лебедев, А. В. Нащекин, В. Н. Петров, М. В. Пузык, А. Д. Роенков, А. Н. Смирнов, Е. М. Танклевская, А. С. Усиков, Е. И. Шабунина, Н. М. Шмидт, “Изменение адсорбционных свойств графена в процессе получения биосенсоров вирусных инфекций”, Физика и техника полупроводников, 56:12 (2022),  1137–1143  mathnet  elib
20. М. Г. Мынбаева, Д. Г. Амельчук, А. Н. Смирнов, И. П. Никитина, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “Создание темплейтов для гомоэпитаксиального роста 3C-SiC методом прямого сращивания пластин карбида кремния различающихся политипов”, Физика и техника полупроводников, 56:11 (2022),  1094–1098  mathnet  elib
21. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Р. А. Кузьмин, “Устойчивость к электронному облучению высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки в рабочем диапазоне температур”, Физика и техника полупроводников, 56:8 (2022),  809–813  mathnet  elib
22. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, М. Е. Левинштейн, Д. А. Малевский, Г. А. Оганесян, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, “Отжиг высоковольтных 4H-SiC диодов Шоттки, облученных электронами при высокой температуре”, Физика и техника полупроводников, 56:4 (2022),  441–445  mathnet  elib
23. А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Г. А. Оганесян, А. Н. Смирнов, Л. В. Шахов, “Исследование сильно легированных эпитаксиальных пленок $n$-$3\mathrm{C}$-$\mathrm{SiC}$, выращенных методом сублимации на основе полуизолирующих подложек $6H$-$\mathrm{SiC}$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022),  225–228  mathnet  elib
2021
24. П. В. Середин, К. А. Барков, Д. Л. Голощапов, А. С. Леньшин, Ю. Ю. Худяков, И. Н. Арсентьев, А. А. Лебедев, Ш. Ш. Шарофидинов, А. М. Мизеров, И. А. Касаткин, T. Prutskij, “Влияние предобработки подложки кремния на свойства пленок GaN, выращенных методом хлорид-гидридной газофазной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021),  704–710  mathnet  elib; P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001
25. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Переход заряда в вертикальных структурах, образованных двумерными слоями”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021),  16–18  mathnet  elib
2020
26. Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Формирование силицидов железа под графеном, выращенным на поверхности карбида кремния”, Физика твердого тела, 62:10 (2020),  1726–1730  mathnet  elib; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Formation of iron silicides under graphene grown on the silicon carbide surface”, Phys. Solid State, 62:10 (2020), 1944–1948 2
27. Г. С. Гребенюк, И. А. Елисеев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркаляционный синтез силицидов кобальта под графеном, выращенным на карбиде кремния”, Физика твердого тела, 62:3 (2020),  462–471  mathnet  elib; G. S. Grebenyuk, I. A. Eliseyev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Intercalation synthesis of cobalt silicides under graphene grown on silicon carbide”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 519–528 5
28. Е. А. Панютин, Ш. Ш. Шарофидинов, Т. А. Орлова, С. А. Сныткина, А. А. Лебедев, “Бипланарные эпитаксиальные AlN/SiC/$(n,p)$SiC-структуры для приборов высокотемпературной функциональной электроники”, ЖТФ, 90:3 (2020),  450–455  mathnet  elib; E. A. Panyutin, Sh. Sh. Sharofidinov, T. A. Orlova, S. A. Snytkina, A. A. Lebedev, “Biplanar epitaxial AlN/SiC/$(n,p)$SiC structures for high-temperature functional electronic devices”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 428–433 5
29. А. А. Лебедев, А. В. Кириллов, Л. П. Романов, А. В. Зубов, А. М. Стрельчук, “Разработка технологии и исследование сверхвысокочастотных переключателей на основе 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$-диодов”, ЖТФ, 90:2 (2020),  264–267  mathnet  elib; A. A. Lebedev, A. V. Kirillov, L. P. Romanov, A. V. Zubov, A. M. Strel'chuk, “Development of the processing technique and study of microwave switches based on 4$H$-SiC $p$–$i$–$n$ diodes”, Tech. Phys., 65:2 (2020), 250–253
30. I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, S. V. Belov, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Raman studies of graphene films grown on 4$H$-SiC subjected to deposition of Ni”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1388  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1674–1677
31. А. М. Стрельчук, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Характеристики выпрямительных диодов Шоттки на основе карбида кремния при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1364–1367  mathnet  elib; A. M. Strel'chuk, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Characteristics of Schottky rectifier diodes based on silicon carbide at elevated temperatures”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1624–1627 2
32. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, А. В. Зубов, П. В. Булат, “Модельные оценки квантовой емкости графеноподобных наноструктур”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  19–21  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, A. V. Zubov, P. V. Bulat, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene-like nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1174–1176 1
33. П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, И. А. Мустафин, А. В. Зубов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, В. Н. Трухин, “Терагерцевый ближнепольный отклик в лентах графена”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  29–32  mathnet  elib; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, I. A. Mustafin, A. V. Zubov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, V. N. Trukhin, “Terahertz near-field response in graphene ribbons”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 756–759 2
34. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, П. В. Булат, А. В. Зубов, “Модельные оценки квантовой емкости графеновых наноструктур”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020),  7–9  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, A. V. Zubov, “Model estimates of the quantum capacitance of graphene nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 733–736 4
35. А. С. Усиков, С. П. Лебедев, А. Д. Роенков, И. С. Бараш, С. В. Новиков, М. В. Пузык, А. В. Зубов, Ю. Н. Макаров, А. А. Лебедев, “Исследование чувствительной способности графена для применений в качестве биосенсоров”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020),  3–6  mathnet  elib; A. S. Usikov, S. P. Lebedev, A. D. Roenkov, I. S. Barash, S. V. Novikov, M. V. Puzyk, A. V. Zubov, Yu. N. Makarov, A. A. Lebedev, “Studying the sensitivity of graphene for biosensor applications”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 462–465 4
36. В. В. Козловский, O. Корольков, К. С. Давыдовская, А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, Н. Слепчук, А. М. Стрельчук, J. Toompuu, “Влияние температуры протонного облучения на характеристики мощных высоковольтных карбид-кремниевых диодов Шоттки”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020),  35–37  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, O. Korolkov, K. S. Davydovskaja, A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, N. Sleptsuk, A. M. Strel'chuk, J. Toompuu, “Influence of the proton irradiation temperature on the characteristics of high-power high-voltage silicon carbide Schottky diodes”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 287–289 8
2019
37. И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Электронографическое изучение структуры эпитаксиального графена, сформированного путем термического разложения SiC(0001) в атмосфере Ar и в высоком вакууме”, Физика твердого тела, 61:10 (2019),  1978–1984  mathnet  elib; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron diffraction study of epitaxial graphene formed by thermal destruction of SiC(0001) in an Ar environment and in high vacuum”, Phys. Solid State, 61:10 (2019), 1940–1946 4
38. Г. С. Гребенюк, Е. Ю. Лобанова, Д. А. Смирнов, И. А. Елисеев, А. В. Зубов, А. Н. Смирнов, С. П. Лебедев, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена на карбиде кремния кобальтом”, Физика твердого тела, 61:7 (2019),  1374–1384  mathnet  elib; G. S. Grebenyuk, E. Yu. Lobanova, D. A. Smirnov, I. A. Eliseyev, A. V. Zubov, A. N. Smirnov, S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, I. I. Pronin, “Cobalt intercalation of graphene on silicon carbide”, Phys. Solid State, 61:7 (2019), 1316–1326 10
39. С. П. Лебедев, И. С. Бараш, И. А. Елисеев, П. А. Дементьев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Исследование влияния водородного травления поверхности SiC на последующий процесс формирования пленок графена”, ЖТФ, 89:12 (2019),  1940–1946  mathnet  elib; S. P. Lebedev, I. S. Barash, I. A. Eliseyev, P. A. Dementev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Investigation of the hydrogen etching effect of the SiC surface on the formation of graphene films”, Tech. Phys., 64:12 (2019), 1843–1849 2
40. А. А. Лебедев, М. Е. Левинштейн, П. А. Иванов, В. В. Козловский, А. М. Стрельчук, Е. И. Шабунина, L. Fursin, “Влияние протонного облучения (15 МэВ) на низкочастотный шум мощных SiC MOSFETs”, Физика и техника полупроводников, 53:12 (2019),  1604–1608  mathnet  elib; A. A. Lebedev, M. E. Levinshteǐn, P. A. Ivanov, V. V. Kozlovsky, A. M. Strel'chuk, E. I. Shabunina, L. Fursin, “Effect of irradiation with 15-MeV protons on low frequency noise in power SiC MOSFETs”, Semiconductors, 53:12 (2019), 1568–1572 8
41. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, А. В. Зубов, “Влияние облучения электронами высокой энергии на характеристики ударных токов высоковольтных интегрированных 4$H$-SiC $p$–$n$-диодов Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 53:10 (2019),  1448–1452  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, P. A. Ivanov, M. E. Levinshteǐn, A. V. Zubov, “Impact of high energy elctron irradiation on surge currents in 4$H$-SiC JBS Schottky diodes”, Semiconductors, 53:10 (2019), 1409–1413 1
42. O. M. Корольков, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Н. Слепчук, J. Toompuu, T. Rang, “Низкотемпературный отжиг слаболегированных слоев $n$-4$H$-SiC после облучения быстрыми электронами”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019),  991–994  mathnet  elib; O. M. Korolkov, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, N. Sleptsuk, J. Toompuu, T. Rang, “Low-temperature annealing of lightly doped $n$-4$H$-SiC layers after irradiation with fast electrons”, Semiconductors, 53:7 (2019), 975–978 6
43. С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, А. А. Лебедев, “Роль кулоновского взаимодействия электронов адсорбата и субстрата: модель поверхностного димера”, Письма в ЖТФ, 45:18 (2019),  21–23  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Coulomb electron interaction between an adsorbate and substrate: a model of a surface dimer”, Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 924–926 2
44. А. А. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Н. К. Полетаев, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, А. В. Зубов, “Исследование влияния структурных дефектов на спектры фотолюминесценции в $n$-3$C$-SiC”, Письма в ЖТФ, 45:11 (2019),  28–30  mathnet  elib; A. A. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, N. K. Poletaev, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovskii, A. V. Zubov, “A study of the influence exerted by structural defects on photoluminescence spectra in $n$-3$C$-SiC”, Tech. Phys. Lett., 45:6 (2019), 557–559 3
45. С. Ю. Давыдов, А. В. Зубов, А. А. Лебедев, “Модель поверхностного димера в задаче об адсорбции”, Письма в ЖТФ, 45:9 (2019),  40–42  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “A model of a surface dimer in the problem of adsorption”, Tech. Phys. Lett., 45:5 (2019), 461–463 5
46. А. А. Лебедев, П. А. Иванов, М. Е. Левинштейн, Е. Н. Мохов, С. С. Нагалюк, А. Н. Анисимов, П. Г. Баранов, “Электроника на основе SiC (к 100-летию Физико-технического института им. А.Ф. Иоффе РАН)”, УФН, 189:8 (2019),  803–848  mathnet  elib; A. A. Lebedev, P. A. Ivanov, M. E. Levinshtein, E. N. Mokhov, S. S. Nagalyuk, A. N. Anisimov, P. G. Baranov, “SiC-based electronics (100th anniversary of the Ioffe Institute)”, Phys. Usp., 62:8 (2019), 754–794  isi  scopus 16
2018
47. А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Полевой эффект при формировании интерфейса однослойного графена с водой”, Физика твердого тела, 60:12 (2018),  2474–2477  mathnet  elib; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effect in monolayer graphene associated with the formation of graphene–water interface”, Phys. Solid State, 60:12 (2018), 2668–2671 1
48. М. В. Гомоюнова, Г. С. Гребенюк, В. Ю. Давыдов, И. А. Ермаков, И. А. Елисеев, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Е. Ю. Лобанова, А. Н. Смирнов, Д. А. Смирнов, И. И. Пронин, “Интеркалирование графена, сформированного на карбиде кремния, атомами железа”, Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1423–1430  mathnet  elib; M. V. Gomoyunova, G. S. Grebenyuk, V. Yu. Davydov, I. A. Ermakov, I. A. Eliseyev, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, E. Yu. Lobanova, A. N. Smirnov, D. A. Smirnov, I. I. Pronin, “Intercalation of iron atoms under graphene formed on silicon carbide”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1439–1446 13
49. И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, П. В. Булат, “Электронно-дифракционное изучение структуры эпитаксиального графена, выращенного методом термодеструкции 6$H$- и 4$H$-SiC (0001) в вакууме”, Физика твердого тела, 60:7 (2018),  1403–1408  mathnet  elib; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, P. V. Bulat, “Electron-diffraction study of the structure of epitaxial graphene grown by the method of thermal destruction of 6$H$- and 4$H$-SiC (0001) in vacuum”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1419–1424 1
50. S. P. Lebedev, V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, E. V. Gushchina, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, S. N. Novikov, Yu. N. Makarov, “Graphene on silicon carbide as a basis for gas- and biosensor applications”, Наносистемы: физика, химия, математика, 9:1 (2018),  95–97  mathnet  isi  elib 2
51. А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, А. А. Лебедев, “Радиационное повреждение карбид-кремниевых диодов заряженными частицами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 52:13 (2018),  1651–1655  mathnet  elib; A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, “Radiation-induced damage of silicon-carbide diodes by high-energy particles”, Semiconductors, 52:13 (2018), 1758–1762 6
52. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, Ю. В. Любимова, “Гальванические и емкостные эффекты при компенсации проводимости $n$-SiC радиационными дефектами”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1532–1534  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, Yu. V. Lubimova, “Galvanic and capacitive effects in $n$-SiC conductivity compensation by radiation-induced defects”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1635–1637
53. Н. В. Агринская, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, М. А. Шахов, E. Lahderanta, “Переход между электронной локализацией и антилокализацией, а также проявление фазы Берри в графене на поверхности SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1512–1517  mathnet  elib; N. V. Agrinskaya, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, M. A. Shakhov, E. Lahderanta, “Transition between electron localization and antilocalization and manifestation of the Berry phase in graphene on a SiC surface”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1616–1620
54. П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, А. О. Михайлов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, И. В. Илькив, А. И. Хребтов, А. Д. Буравлев, Г. Э. Цырлин, “Электрические свойства GaAs нитевидных нанокристаллов, выращенных на гибридных подложках графен/SiC”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018),  1507–1511  mathnet  elib; P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, A. O. Mikhailov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, I. V. Ilkiv, A. I. Khrebtov, A. D. Bouravlev, G. E. Cirlin, “Electrical properties of GaAs nanowires grown on graphene/SiC hybrid substrates”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1611–1615 3
55. Р. Р. Резник, К. П. Котляр, И. В. Илькив, И. П. Сошников, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Д. А. Кириленко, П. А. Алексеев, Г. Э. Цырлин, “Синтез методом молекулярно-пучковой эпитаксии и структурные свойства GaP- и InP-нитевидных нанокристаллов на SiC-подложке с пленкой графена”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018),  1317–1320  mathnet  elib; R. R. Reznik, K. P. Kotlyar, I. V. Ilkiv, I. P. Soshnikov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, D. A. Kirilenko, P. A. Alekseev, G. E. Cirlin, “MBE growth and structural properties of GaP and InP nanowires on a SiC substrate with a graphene layer”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1428–1431 2
56. В. В. Козловский, А. Э. Васильев, П. А. Карасев, А. А. Лебедев, “Образование радиационных дефектов в слабо легированных слоях $n$- и $p$-SiC при торможении протонов”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018),  327–332  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. È. Vasil'ev, P. A. Karaseov, A. A. Lebedev, “Formation of radiation defects by proton braking in lightly doped $n$- and $p$-SiC layers”, Semiconductors, 52:3 (2018), 310–315 4
57. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. В. Любимова, “Роль зарядового состояния поверхностных атомов металлической подложки в допировании квазисвободного графена”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018),  90–95  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. V. Lubimova, “The role of the charge state of surface atoms of a metal substrate in doping of quasi-free-standing graphene”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1089–1091
58. П. А. Алексеев, Б. Р. Бородин, М. С. Дунаевский, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Локальное анодное окисление слоев графена на SiC”, Письма в ЖТФ, 44:9 (2018),  34–40  mathnet  elib; P. A. Alekseev, B. R. Borodin, M. S. Dunaevskii, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Local anodic oxidation of graphene layers on SiC”, Tech. Phys. Lett., 44:5 (2018), 381–383 12
2017
59. А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Полевой эффект в графене при интерфейсном контакте с водными растворами уксусной кислоты и гидроксида калия”, Физика твердого тела, 59:10 (2017),  2063–2065  mathnet  elib; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Field effects in graphene in an interface contact with aqueous solutions of acetic acid and potassium hydroxide”, Phys. Solid State, 59:10 (2017), 2089–2091 1
60. В. Ю. Давыдов, Д. Ю. Усачёв, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, И. А. Елисеев, П. А. Алексеев, М. С. Дунаевский, О. Ю. Вилков, А. Г. Рыбкин, А. А. Лебедев, “Исследование кристаллической и электронной структуры графеновых пленок, выращенных на 6$H$-SiC (0001)”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1116–1124  mathnet  elib; V. Yu. Davydov, D. Yu. Usachov, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, I. A. Eliseyev, P. A. Alekseev, M. S. Dunaevskii, O. Yu. Vilkov, A. G. Rybkin, A. A. Lebedev, “Study of the crystal and electronic structure of graphene films grown on 6$H$-SiC (0001)”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1072–1080 49
61. А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Г. А. Оганесян, С. В. Белов, С. П. Лебедев, И. П. Никитина, Н. В. Середова, Л. В. Шахов, В. В. Козловский, “Воздействие протонного облучения с энергией 8 МэВ на гетероэпитаксиальные слои $n$-3$C$-SiC”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017),  1088–1090  mathnet  elib; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, G. A. Oganesyan, S. V. Belov, S. P. Lebedev, I. P. Nikitina, N. V. Seredova, L. V. Shakhov, V. V. Kozlovsky, “Effects of irradiation with 8-MeV protons on $n$-3$C$-SiC heteroepitaxial layers”, Semiconductors, 51:8 (2017), 1044–1046
62. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, К. С. Давыдовская, А. Э. Васильев, Л. Ф. Макаренко, “Влияние энергии бомбардирующих электронов на проводимость эпитаксиальных слоев $n$-4$H$-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017),  311–316  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, A. M. Strel'chuk, K. S. Davydovskaja, A. È. Vasil'ev, L. F. Makarenko, “Effect of the energy of bombarding electrons on the conductivity of $n$-4$H$-SiC (CVD) epitaxial layers”, Semiconductors, 51:3 (2017), 299–304 3
63. А. А. Лебедев, К. С. Давыдовская, А. Н. Якименко, А. М. Стрельчук, В. В. Козловский, “Исследование воздействия электронного и протонного облучения на приборные структуры на основе 4$H$-SiC”, Письма в ЖТФ, 43:22 (2017),  63–67  mathnet  elib; A. A. Lebedev, K. S. Davydovskaja, A. N. Yakimenko, A. M. Strel'chuk, V. V. Kozlovsky, “A study of the effect of electron and proton irradiation on 4$H$-SiC device structures”, Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 1027–1029 8
64. С. П. Лебедев, И. А. Елисеев, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, В. С. Левицкий, М. Г. Мынбаева, М. М. Кулагина, B. Hähnlein, J. Pezoldt, А. А. Лебедев, “Транспортные свойства пленок графена, выращенных методом термодеструкции поверхности SiC (0001) в среде аргона”, Письма в ЖТФ, 43:18 (2017),  64–72  mathnet  elib; S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, V. S. Levitskii, M. G. Mynbaeva, M. M. Kulagina, B. Hähnlein, J. Pezoldt, A. A. Lebedev, “Transport properties of graphene films grown by thermodestruction of SiC (0001) surface in argon medium”, Tech. Phys. Lett., 43:9 (2017), 849–852 7
2016
65. А. В. Бутко, В. Ю. Бутко, С. П. Лебедев, А. Н. Смирнов, В. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, Ю. А. Кумзеров, “Транспортные свойства графена в области его интерфейса с водной поверхностью”, Физика твердого тела, 58:7 (2016),  1432–1435  mathnet  elib; A. V. Butko, V. Yu. Butko, S. P. Lebedev, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, Yu. A. Kumzerov, “Transport properties of graphene in the region of its interface with water surface”, Phys. Solid State, 58:7 (2016), 1483–1486 2
66. А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, С. Н. Новиков, В. Ю. Давыдов, А. Н. Смирнов, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. С. Левицкий, “Сверхчувствительный газовый сенсор на основе графена”, ЖТФ, 86:3 (2016),  135–139  mathnet  elib; A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, S. N. Novikov, V. Yu. Davydov, A. N. Smirnov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. S. Levitskii, “Supersensitive graphene-based gas sensor”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 453–457 17
67. A. A. Lebedev, “Growth, study, and device application prospects of graphene on SiC substrates”, Наносистемы: физика, химия, математика, 7:1 (2016),  30–36  mathnet  isi 3
68. И. С. Котоусова, С. П. Лебедев, А. А. Лебедев, “Электронографическое исследование стадий формирования графеновой пленки при термодеструкции 6$H$-SiC (000$\bar1$) в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 50:7 (2016),  967–972  mathnet  elib; I. S. Kotousova, S. P. Lebedev, A. A. Lebedev, “Electron-diffraction study of graphene-film growth stages during the thermal destruction of 6$H$-SiC (000$\bar1$) in vacuum”, Semiconductors, 50:7 (2016), 951–956
69. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, Л. М. Сорокин, “Развитие модели спинодального распада на примере гетероструктуры на основе политипов карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 42:23 (2016),  66–71  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, L. M. Sorokin, “Development of a spinodal decomposition model for the example of a heterostructure based on silicon carbide polytypes”, Tech. Phys. Lett., 42:12 (2016), 1153–1155 1
70. А. А. Лебедев, В. Ю. Давыдов, С. Н. Новиков, Д. П. Литвин, Ю. Н. Макаров, В. Б. Климович, М. П. Самойлович, “Биосенсоры на основе графена”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016),  28–35  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. Yu. Davydov, S. N. Novikov, D. P. Litvin, Yu. N. Makarov, V. B. Klimovich, M. P. Samoilovich, “Graphene-based biosensors”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 729–732 15
2015
71. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “Об электронном состоянии атома, адсорбированного на эпитаксиальном графене, сформированном на металлической и полупроводниковой подложках”, Физика твердого тела, 57:1 (2015),  200–205  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “On the electronic state of an atom adsorbed on epitaxial graphene formed on metallic and semiconductor substrates”, Phys. Solid State, 57:1 (2015), 213–218 2
72. А. А. Лебедев, С. В. Белов, М. Г. Мынбаева, А. М. Стрельчук, Е. В. Богданова, Ю. Н. Макаров, А. С. Усиков, С. Ю. Курин, И. С. Бараш, А. Д. Роенков, В. В. Козловский, “Радиационная стойкость диодов Шоттки на основе $n$-GaN”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015),  1386–1388  mathnet  elib; A. A. Lebedev, S. V. Belov, M. G. Mynbaeva, A. M. Strel'chuk, E. V. Bogdanova, Yu. N. Makarov, A. S. Usikov, S. Yu. Kurin, I. S. Barash, A. D. Roenkov, V. V. Kozlovsky, “Radiation hardness of $n$-GaN Schottky diodes”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1341–1343 6
73. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, “Влияние облучения протонами и электронами МэВ-ных энергий на компенсацию проводимости и фотолюминесценцию слабо легированного $p$-4H-SiC (CVD)”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015),  1198–1201  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, “Effect of irradiation with MeV protons and electrons on the conductivity compensation and photoluminescence of moderately doped $p$-4H-SiC (CVD)”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1163–1165 12
74. Е. В. Калинина, А. А. Лебедев, Е. Богданова, B. Berenquier, L. Ottaviani, Г. Н. Виолина, В. А. Скуратов, “Облучение тяжелыми ионами 4H-SiC детекторов ультрафиолетового излучения”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015),  550–556  mathnet  elib; E. V. Kalinina, A. A. Lebedev, E. Bogdanova, B. Berenquier, L. Ottaviani, G. N. Violina, V. A. Skuratov, “Irradiation of 4H-SiC UV detectors with heavy ions”, Semiconductors, 49:4 (2015), 540–546 21
75. А. А. Лебедев, С. Ю. Давыдов, Л. М. Сорокин, Л. В. Шахов, “Получение квазисверхрешеток на границе эпитаксиального слоя 3C-SiC и подложек гексагональных политипов SiC методом сублимационной эпитаксии в вакууме”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  89–94  mathnet  elib; A. A. Lebedev, S. Yu. Davydov, L. M. Sorokin, L. V. Shakhov, “Fabrication of quasi-superlattices at the interface between 3C-SiC epitaxial layer and substrates of hexagonal SiC polytypes by sublimation epitaxy in vacuum”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1156–1158 5
76. А. А. Лебедев, Б. Я. Бер, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, Д. Ю. Казанцев, В. В. Козловский, “О связи радиационно-стимулированной фотолюминесценции с атомами азота в $p$-4H-SiC”, Письма в ЖТФ, 41:23 (2015),  61–67  mathnet  elib; A. A. Lebedev, B. Ya. Ber, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, D. Yu. Kazantsev, V. V. Kozlovsky, “On the relationship between radiation-stimulated photoluminescence and nitrogen atoms in $p$-4H-SiC”, Tech. Phys. Lett., 41:12 (2015), 1143–1145
2014
77. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “Оценка влияния адсорбции на проводимость однослойного эпитаксиального графена, сформированного на полупроводниковой подложке”, Физика твердого тела, 56:12 (2014),  2486–2489  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “Evaluation of the effect of adsorption on the conductivity of single-layer graphene formed on a semiconductor substrate”, Phys. Solid State, 56:12 (2014), 2580–2583 2
78. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, “О сравнении радиационной стойкости кремния и карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014),  1329–1331  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Comparison of the radiation hardness of silicon and silicon carbide”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1293–1295 8
79. В. В. Козловский, А. А. Лебедев, В. Н. Ломасов, Е. В. Богданова, Н. В. Середова, “Компенсация проводимости $n$-4H-SiC (CVD) при облучении электронами с энергией 0.9 МэВ”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014),  1033–1036  mathnet  elib; V. V. Kozlovsky, A. A. Lebedev, V. N. Lomasov, E. V. Bogdanova, N. V. Seredova, “Conductivity compensation in $n$-4H-SiC (CVD) under irradiation with 0.9-MeV electrons”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1006–1009 12
80. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, “О возможности спинодального распада в переходном слое гетероструктуры на основе политипов карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 48:6 (2014),  721–724  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, “On the possibility of spinodal decomposition in the transition layer of a heterostructure based on silicon-carbide polytypes”, Semiconductors, 48:6 (2014), 701–704
81. М. Г. Мынбаева, С. П. Лебедев, А. А. Лаврентьев, К. Д. Мынбаев, А. А. Головатенко, А. А. Лебедев, В. И. Николаев, “Эффект самоструктурирования пластин монокристаллического кремния в условиях индукционного нагрева в вакууме”, Физика и техника полупроводников, 48:3 (2014),  364–368  mathnet  elib; M. G. Mynbaeva, S. P. Lebedev, A. A. Lavrent'ev, K. J. Mynbaev, A. A. Golovatenko, A. A. Lebedev, V. I. Nikolaev, “On the self-structuring of single-crystal silicon wafers under inductive heating in vacuum”, Semiconductors, 48:3 (2014), 350–353
82. А. А. Лебедев, В. В. Козловский, “Облучение электронами с энергией 0.9 MeV $p$-SiC, выращенного методом сублимации”, Письма в ЖТФ, 40:15 (2014),  45–49  mathnet  elib; A. A. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Irradiation of sublimation-grown $p$-SiC with 0.9-MeV electrons”, Tech. Phys. Lett., 40:8 (2014), 651–652 1
2013
83. А. А. Лебедев, М. В. Заморянская, С. Ю. Давыдов, Д. А. Кириленко, С. П. Лебедев, Л. М. Сорокин, Д. Б. Шустов, М. П. Щеглов, “Исследование переходного слоя в гетероструктурах 3C-SiH/6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013),  1554–1558  mathnet  elib; A. A. Lebedev, M. V. Zamoryanskaya, S. Yu. Davydov, D. A. Kirilenko, S. P. Lebedev, L. M. Sorokin, D. B. Shustov, M. P. Scheglov, “Investigation of the transition layer in 3C-SiC/6H-SiC heterostructures”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1539–1543 4
84. Д. Б. Шустов, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, Д. К. Нельсон, А. А. Ситникова, М. В. Заморянская, “Сравнительное исследование слоев 3C-SiC, выращенных на подложке 6H-SiC, методом сублимации”, Физика и техника полупроводников, 47:9 (2013),  1279–1282  mathnet  elib; D. B. Shustov, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, D. K. Nelson, A. A. Sitnikova, M. V. Zamoryanskaya, “Comparative study of 3C-SiC layers sublimation-grown on a 6H-SiC substrate”, Semiconductors, 47:9 (2013), 1267–1270 1
85. Н. В. Агринская, В. А. Березовец, В. И. Козуб, И. С. Котоусова, А. А. Лебедев, С. П. Лебедев, А. А. Ситникова, “Структура и транспортные свойства наноуглеродных пленок, полученных сублимацией на поверхности на 6H-SiC”, Физика и техника полупроводников, 47:2 (2013),  267–272  mathnet  elib; N. V. Agrinskaya, V. A. Berezotets, V. I. Kozub, I. S. Kotousova, A. A. Lebedev, S. P. Lebedev, A. A. Sitnikova, “Structure and transport properties of nanocarbon films prepared by sublimation on a 6H-SiC surface”, Semiconductors, 47:2 (2013), 301–306 12
2012
86. А. М. Иванов, Н. Б. Строкан, А. А. Лебедев, “Радиационная стойкость широкозонного материала на примере SiC-детекторов ядерного излучения”, ЖТФ, 82:4 (2012),  131–135  mathnet  elib; A. M. Ivanov, N. B. Strokan, A. A. Lebedev, “Radiation resistance of wide-gap materials as exemplified by SiC nuclear radiation detectors”, Tech. Phys., 57:4 (2012), 556–560 2
87. С. Ю. Давыдов, А. А. Лебедев, О. В. Посредник, “О возможностях экспериментального определения величины спонтанной поляризации политипов карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 46:7 (2012),  937–939  mathnet  elib; S. Yu. Davydov, A. A. Lebedev, O. V. Posrednik, “On the possibility of the experimental determination of spontaneous polarization for silicon carbide polytypes”, Semiconductors, 46:7 (2012), 913–916 1
88. V. V. Emtsev, A. M. Ivanov, V. V. Kozlovski, A. A. Lebedev, G. A. Oganesyan, N. B. Strokan, G. Wagner, “Similarities and distinctions of defect production by fast electron and proton irradiation: moderately doped silicon and silicon carbide of $n$-type”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012),  473–481  mathnet  elib; Semiconductors, 46:4 (2012), 456–465 34
89. А. А. Лебедев, Е. В. Богданова, М. В. Григорьева, С. П. Лебедев, В. В. Козловский, “Отжиг радиационно-компенсированного карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 38:19 (2012),  90–94  mathnet  elib; A. A. Lebedev, E. V. Bogdanova, M. V. Grigor'eva, S. P. Lebedev, V. V. Kozlovsky, “Annealing of radiation-compensated silicon carbide”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 910–912 2
2011
90. А. А. Белевцев, С. Ю. Казанцев, И. Г. Кононов, А. А. Лебедев, С. В. Подлесных, К. Н. Фирсов, “К вопросу об устойчивости объёмного самостоятельного разряда в рабочих смесях нецепного электрохимического HF-лазера”, Квантовая электроника, 41:8 (2011),  703–708  mathnet  elib [A. A. Belevtsev, S. Yu. Kazantsev, I. G. Kononov, A. A. Lebedev, S. V. Podlesnykh, K. N. Firsov, “On stability of self-sustained volume discharge in working mixtures of non-chain electrochemical HF laser”, Quantum Electron., 41:8 (2011), 703–708  isi  scopus] 8
1992
91. А. Н. Старухин, А. А. Лебедев, Б. С. Разбирин, Л. М. Капитонова, “Скрытая анизотропия излучательных переходов в пористом кремнии”, Письма в ЖТФ, 18:16 (1992),  60–63  mathnet  isi
92. Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, Ю. Н. Далуда, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “О природе $p$-слоя, образующегося в области интерфейса полупроводниковых пластин при твердофазном прямом сращивании кремния (ПСК)”, Письма в ЖТФ, 18:14 (1992),  51–56  mathnet  isi
1991
93. К. П. Абдурахманов, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, Ш. А. Юсупова, “Исследование поведения примесей марганца и никеля при диффузионном легировании кремния”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991),  1075–1078  mathnet
94. Е. В. Астрова, И. А. Бобровникова, М. Д. Вилисова, О. М. Ивлева, Л. Г. Лаврентьева, А. А. Лебедев, И. В. Тетеркина, В. В. Чалдышев, Н. А. Чернов, Ю. В. Шмарцев, “Влияние изовалентного легирования индием на свойства эпитаксиальных слоев арсенида галлия, выращенного из газовой фазы”, Физика и техника полупроводников, 25:5 (1991),  898–903  mathnet
95. М. М. Аникин, А. С. Зубрилов, А. А. Лебедев, А. П. Стрельчук, А. Е. Черенков, “Рекомбинационные процессы в $6H$-SiC $p{-}n$-структурах и влияние на них глубоких центров”, Физика и техника полупроводников, 25:3 (1991),  479–486  mathnet
96. М. М. Аникин, А. Н. Андреев, А. А. Лебедев, С. Н. Пятко, М. Г. Растегаева, Н. С. Савкина, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Высокотемпературный диод Шоттки Au$-$SiC-$6H$”, Физика и техника полупроводников, 25:2 (1991),  328–333  mathnet
1990
97. М. М. Аникин, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, “Связь желтой электролюминесценции в $6H$-SiC с глубокими центрами”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990),  1384–1390  mathnet
98. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Новый способ обработки спектров DLTS”, Физика и техника полупроводников, 24:3 (1990),  549–552  mathnet
99. Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, И. Н. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “К вопросу о гидрофилизации поверхности при прямом сращивании кремния”, Письма в ЖТФ, 16:4 (1990),  1–4  mathnet  isi
1989
100. А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, X. С. Далиев, Ш. Б. Утамурадова, “Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:12 (1989),  2227–2229  mathnet
101. Р. Ф. Витман, Н. А. Витовский, А. А. Лебедев, Т. В. Машовец, Л. В. Налбандян, “Исследование скоплений компенсирующих центров в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:11 (1989),  2066–2069  mathnet
102. Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, Э. С. Таптыгов, “Влияние кислорода на образование акцепторных уровней никеля в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  919–921  mathnet
103. А. А. Лебедев, В. И. Митрохин, С. И. Рембеза, В. В. Свиридов, М. Н. Степанова, Н. П. Ярославцев, “Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в $p^{+}{-}p^{0}{-}\pi{-}n^{0}$-структурах арсенида галлия”, Физика и техника полупроводников, 23:5 (1989),  897–899  mathnet
1988
104. Н. Т. Баграев, А. А. Лебедев, В. А. Машков, И. С. Половцев, “Самокомпенсация центров железа в кремнии при оптической накачке”, Физика твердого тела, 30:7 (1988),  2076–2084  mathnet  isi
105. Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, А. А. Ситникова, Ш. Б. Утамурадова, “Образование структурных дефектов в кремнии и влияние на этот процесс углерода и марганца”, ЖТФ, 58:11 (1988),  2272–2274  mathnet  isi
106. М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. П. Растегаев, А. М. Стрельчук, А. Л. Сыркин, Ю. М. Таиров, В. Ф. Цветков, В. Е. Челноков, “Электрические характеристики эпитаксиальных $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структур на основе карбида кремния политипа $6H$”, Физика и техника полупроводников, 22:2 (1988),  298–300  mathnet
107. М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, С. Н. Пятко, В. П. Растегаев, А. Л. Сыркин, Б. В. Царенков, В. Е. Челноков, “Электростатические свойства SiC-$6H$-структур с резким $p{-}n$-переходом”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  133–136  mathnet
108. А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, “Влияние ориентированной деформации и $\gamma$-облучения на уровни платины в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 22:1 (1988),  16–19  mathnet
109. Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, И. В. Грехов, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Сверхвысоковольтные кремниевые $p{-}n$-переходы с напряжением пробоя выше 20 кВ”, Письма в ЖТФ, 14:11 (1988),  972–975  mathnet  isi
110. В. М. Ботнарюк, Ю. В. Жиляев, А. Г. Кечек, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, М. И. Шульга, “Доминирующие рекомбинационные центры в слоях $n$-GaAs, полученных осаждением из газовой фазы”, Письма в ЖТФ, 14:2 (1988),  181–185  mathnet  isi
1987
111. Ю. Ф. Шульпяков, Р. Ф. Витман, Л. С. Власенко, А. Н. Дремин, А. А. Лебедев, В. Н. Ломасов, Т. Г. Уткина, “Свойства монокристллов кремния после их деформации при высоком давлении”, Физика твердого тела, 29:5 (1987),  1486–1491  mathnet  isi
112. А. А. Лебедев, Э. С. Таптыгов, Э. А. Джафарова, “Сечения фотоионизации уровней никеля в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2237–2239  mathnet
113. А. Г. Кечек, Н. И. Кузнецов, А. А. Лебедев, “Метод повышения разрешающей способности нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней в полупроводниках”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2228–2229  mathnet
114. А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, “Пьезоемкостная спектроскопия радиационных дефектов в $p$-Si”, Физика и техника полупроводников, 21:12 (1987),  2149–2151  mathnet
115. Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Влияние термообработки на плотность радиационных дефектов в диэлектрике и на поверхности полупроводника кремниевых МДП структур”, Физика и техника полупроводников, 21:5 (1987),  836–841  mathnet
116. А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Влияние одноосного давления на нестационарную емкостную спектроскопию глубоких уровней в Si$\langle$Zn$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 21:2 (1987),  321–324  mathnet
117. Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Исследование электрофизических свойств кремниевых МДП структур, облученных $\gamma$-квантами при наличии электрического поля в диэлектрике”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  23–29  mathnet
118. А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Исследование влияния $\gamma$-облучения на спектр глубоких уровней в кремнии, легированном цинком”, Физика и техника полупроводников, 21:1 (1987),  18–22  mathnet
119. Л. С. Власенко, А. А. Лебедев, Э. С. Таптыгов, В. А. Xрамцов, “Новые парамагнитные центры в кремнии, легированном никелем”, Письма в ЖТФ, 13:21 (1987),  1322–1326  mathnet  isi
1986
120. М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Емкостная спектроскопия $p{-}n$-переходов на основе эпитаксиального $4H$-SiC, полученного ионной имплантацией Al”, Физика и техника полупроводников, 20:12 (1986),  2169–2172  mathnet
121. Е. В. Астрова, В. М. Волле, В. Б. Воронков, В. А. Козлов, А. А. Лебедев, “Влияние глубоких уровней на пробивное напряжение диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986),  2122–2125  mathnet
122. А. А. Лебедев, В. Экке, “Определение концентрации глубоких уровней в объеме полупроводника из измерений нестационарной емкостной спектроскопии при постоянной емкости”, Физика и техника полупроводников, 20:10 (1986),  1806–1810  mathnet
123. М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Структуры с ионно-имплантированным $p{-}n$-переходом на основе эпитаксиального $4H$-SiC с $S$-образной вольтамперной характеристикой”, Физика и техника полупроводников, 20:9 (1986),  1654–1657  mathnet
124. М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, А. М. Стрельчук, А. В. Суворов, А. Л. Сыркин, В. Е. Челноков, “Исследование вольтамперных характеристик диодных структур на основе карбида кремния”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986),  844–848  mathnet
125. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках при фототермической эмиссии носителей тока”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986),  683–686  mathnet
126. К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, Г. С. Куликов, А. А. Лебедев, Д. Э. Назиров, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование взаимодействия железа с другими элементами в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 20:1 (1986),  185–186  mathnet
1985
127. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, А. А. Лебедев, “Распад твердого раствора золота в кремнии II. Данные исследований оптической поляризации ядерных моментов”, ЖТФ, 55:11 (1985),  2162–2169  mathnet  isi
128. Н. Т. Баграев, Л. С. Власенко, А. А. Лебедев, “Распад твердого раствора золота в кремнии I. Данные исследований ядерной спин-решеточной релаксации”, ЖТФ, 55:11 (1985),  2149–2161  mathnet  isi
129. А. А. Лебедев, В. Экке, “Влияние коррелированного неоднородного распределения поверхностных рекомбинационных центров и зарядов в окисле на генерацию неосновных носителей тока при емкостной спектроскопии в МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 19:11 (1985),  1971–1975  mathnet
130. А. А. Лебедев, В. Экке, В. С. Юферев, “Влияние генерации неосновных носителей тока на емкостную спектроскопию поверхностных состояний в МДП структурах”, Физика и техника полупроводников, 19:10 (1985),  1791–1795  mathnet
131. Е. В. Астрова, В. Б. Воронков, А. А. Лебедев, Б. М. Урунбаев, “Исследование термодефектов в высокоомном $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1709–1711  mathnet
132. К. П. Абдурахманов, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование влияния $\gamma$-облучения на свойства $n$-Si$\langle$Mn$\rangle$ с помощью DLTS”, Физика и техника полупроводников, 19:9 (1985),  1617–1619  mathnet
133. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, “Влияние последовательного сопротивления диода на нестационарные емкостные измерения параметров глубоких уровней”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1382–1385  mathnet
134. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, “Емкостные измерения профиля распределения и поверхностной концентрации глубокой примеси в тонких легированных слоях”, Физика и техника полупроводников, 19:8 (1985),  1375–1381  mathnet
135. Е. В. Астрова, В. М. Гонтарь, А. А. Лебедев, “Емкостная и фотоэлектрическая спектроскопия уровней таллия в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:7 (1985),  1273–1276  mathnet
136. Ю. Ф. Шульпяков, А. А. Лебедев, К. П. Абдурахманов, Ш. Б. Утамурадова, “Влияние высокого гидростатического давления на энергию активации уровней Мn в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1159–1161  mathnet
137. К. П. Абдурахманов, Р. Ф. Витман, Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Взаимодействие кислорода с марганцем в $n$-Si”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1158–1159  mathnet
138. Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, В. Экке, “Оценка профиля распределения степени окисления кремния в переходных слоях Si$-$SiO$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1156–1158  mathnet
139. А. А. Лебедев, В. Экке, “Исследование плотности глубоких центров в катодно-распыленных пленках SiO$_{x}$ в зависимости от степени окисления кремния”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  1087–1091  mathnet
140. Ю. Ф. Шулышков, Р. Ф. Витман, А. А. Лебедев, А. Н. Дремин, “Влияние пластической деформации на состояние кислорода и углерода в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:6 (1985),  982–986  mathnet
141. Е. В. Астрова, И. Б. Большаков, А. А. Лебедев, О. А. Михно, “Фотопроводимость кремния, легированного селеном”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  919–922  mathnet
142. Е. В. Астрова, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней (ГУ) в $n$-Si(Cr)”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  917–919  mathnet
143. А. А. Лебедев, В. Экке, “Емкостная спектроскопия радиационных дефектов, образующихся в переходном слое Si$-$SiO$_{2}$ при катодном напылении”, Физика и техника полупроводников, 19:5 (1985),  831–835  mathnet
144. Е. В. Астрова, И. Б. Большаков, А. А. Лебедев, О. А. Михно, “Энергетические уровни селена в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 19:4 (1985),  597–600  mathnet
145. К. П. Абдурахманов, Б. А. Котов, Й. Крейсль, А. А. Лебедев, Ш. Б. Утамурадова, “Исследование Fe в $n$-Si с помощью ЭПР и емкостных методов”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  349–350  mathnet
146. Х. С. Далиев, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, В. Экке, “Параметры глубоких уровней в Si$\langle$V$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  338–340  mathnet
147. К. П. Абдурахманов, А. А. Лебедев, Й. Крейсль, Ш. Б. Утамурадова, “Глубокие уровни в кремнии, связанные с марганцем”, Физика и техника полупроводников, 19:2 (1985),  213–216  mathnet
148. Л. М. Капитонова, А. А. Лебедев, Н. А. Султанов, “Фотопроводимость кремния с примесью хрома”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  162–164  mathnet
149. М. М. Аникин, А. А. Лебедев, А. Л. Сыркин, А. В. Суворов, “Иследование глубоких уровней в SiC методами емкостной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 19:1 (1985),  114–117  mathnet
1984
150. Ю. Ф. Шульпяков, Р. Ф. Витман, А. А. Лебедев, А. Н. Дремин, “Влияние высокого давления на состояние оптически активного кислорода в кремнии при термообработке”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984),  1306–1307  mathnet
151. М. М. Аникин, А. А. Лебедев, И. В. Попов, В. Е. Севастьянов, А. Л. Сыркин, А. Л. Суворов, В. Е. Челноков, Г. П. Шпынев, “Выпрямительный диод на основе карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 10:17 (1984),  1053–1056  mathnet  isi
152. Р. Ф. Витман, Н. Б. Гусева, А. А. Лебедев, “Факторы, способствующие образованию второй фазы в бестигельном кремнии”, Письма в ЖТФ, 10:14 (1984),  837–840  mathnet  isi
1983
153. А. А. Лебедев, А. А. Лебедев, “Емкостная спектроскопия глубоких уровней, возникающих в кремнии после диффузии серы”, Физика и техника полупроводников, 17:12 (1983),  2152–2155  mathnet
154. В. Б. Воронков, А. А. Лебедев, В. М. Рожков, “Фото-ЭПР кремния, легированного железом, в обратно смещенном $p{-}n$-переходе”, Физика и техника полупроводников, 17:7 (1983),  1344–1347  mathnet
2020
155. S. P. Lebedev, I. A. Eliseyev, V. N. Panteleev, P. A. Dementev, V. V. Shnitov, M. K. Rabchinskii, D. A. Smirnov, A. V. Zubov, A. A. Lebedev, “Comparative study of conventional and quasi-freestanding epitaxial graphenes grown on 4$H$-SiC substrate”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020),  1383  mathnet; Semiconductors, 54:12 (2020), 1657–1660 1

Организации
 
  Обратная связь:
  Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025