|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. В. Донская, “Фотоэлектрические преобразователи на основе гетероструктур Al$_{0.1}$Ga$_{0.2}$In$_{0.7}$Sb$_{0.2}$P$_{0.8}$/InP”, Физика и техника полупроводников, 59:7 (2025), 402–405  |
|
2024 |
| 2. |
Н. М. Богатов, В. С. Володин, Л. Р. Григорьян, М. С. Коваленко, Л. С. Лунин, “Вклад области, обедненной носителями заряда, в вольт-амперную характеристику фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 11–13  |
|
2023 |
| 3. |
Alexander S. Pashchenko, Oleg V. Devitsky, Leonid S. Lunin, Marina L. Lunina, Olga S. Pashchenko, Eleonora M. Danilina, “Growth of nanotextured thin films of GaInAsP and GaInAsSbBi solid solutions on GaP substrates by pulsed laser deposition”, Наносистемы: физика, химия, математика, 14:5 (2023), 601–605 |
1
|
|
2022 |
| 4. |
А. С. Пащенко, О. В. Девицкий, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, О. С. Пащенко, “Структурные свойства твердых растворов GaInAsSbBi, выращенных на подложках GaSb”, Письма в ЖТФ, 48:10 (2022), 24–27 |
|
2021 |
| 5. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Н. А. Яковенко, О. С. Пащенко, “Варизонные гетероструктуры Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$P$_{z}$As$_{1-z}$/GaAs для фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 47:20 (2021), 27–30 |
2
|
| 6. |
Н. М. Богатов, Л. Р. Григорьян, А. И. Коваленко, М. С. Коваленко, Л. С. Лунин, “Импульсные характеристики кремниевых фотоэлектрических преобразователей, облученных низкоэнергетическими протонами”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 10–12 ; N. M. Bogatov, L. R. Grigoryan, A. I. Kovalenko, M. S. Kovalenko, L. S. Lunin, “Pulse response characteristics of silicon photovoltaic converters irradiated with low-energy protons”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 326–328 |
4
|
|
2020 |
| 7. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, “Особенности фазовых переходов в висмутсодержащих упругонапряженных гетеросистемах AlGaInSbBi–InSb”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 523–528 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, “Phase transitions in bismuth-containing elastostressed AlGaInSbBi–InSb heterosystems”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 597–602 |
1
|
| 8. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, Н. М. Богатов, “Твердые растворы AlGaInSbAs, выращенные на подложках InAs методом зонной перекристаллизации градиентом температуры”, Физика и техника полупроводников, 54:7 (2020), 648–653 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, N. M. Bogatov, “AlGaInSbAs solid solutions grown on inas substrates by zone recrystallization with a temperature gradient”, Semiconductors, 54:7 (2020), 759–764 |
| 9. |
Н. М. Богатов, Л. Р. Григорьян, А. И. Коваленко, М. С. Коваленко, Ф. А. Колоколов, Л. С. Лунин, “Влияние радиационных дефектов, созданных низкоэнергетическими протонами при температуре 83 K, на характеристики кремниевых фотоэлектрических структур”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 144–148 ; N. M. Bogatov, L. R. Grigoryan, A. I. Kovalenko, M. S. Kovalenko, F. A. Kolokolov, L. S. Lunin, “Influence of radiation defects induced by low-energy protons at a temperature of 83 K on the characteristics of silicon photoelectric structures”, Semiconductors, 54:2 (2020), 196–200 |
13
|
| 10. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, О. С. Пащенко, “Изопериодические гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP для планарных $p$–$n$-фотодиодов”, Письма в ЖТФ, 46:19 (2020), 38–41 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, O. S. Pashchenko, “Isoperiodic Ga$_{x}$In$_{1-x}$Sb$_{y}$As$_{z}$P$_{1-y-z}$/InP heterostructures for planar $p$–$n$ photodiodes”, Tech. Phys. Lett., 46:10 (2020), 979–982 |
| 11. |
Л. С. Лунин, О. В. Девицкий, А. А. Кравцов, А. С. Пащенко, “Применение полимерных пленок с наночастицами серебра для улучшения спектральных характеристик фотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 51–54 ; L. S. Lunin, O. V. Devitsky, A. A. Kravtsov, A. S. Pashchenko, “Polymer films with silver nanoparticles improve the spectral characteristics of photovoltaic converters”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 98–101 |
1
|
|
2019 |
| 12. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, Д. Л. Алфимова, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, В. В. Нефедов, “Влияние висмута на свойства упругонапряженных гетероструктур AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP”, Физика и техника полупроводников, 53:8 (2019), 1110–1114 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, D. L. Alfimova, A. S. Pashchenko, È. M. Danilina, V. V. Nefedov, “Effect of bismuth on the properties of elastically stressed AlGaInAsP$\langle\mathrm{Bi}\rangle$/InP heterostructures”, Semiconductors, 53:8 (2019), 1088–1091 |
1
|
| 13. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Э. М. Данилина, “Изопараметрические гетероструктуры AlInGaAsP/InP и их свойства”, Физика и техника полупроводников, 53:7 (2019), 903–907 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, È. M. Danilina, “On the properties of isoparametric AlInGaAsP/InP heterostructures”, Semiconductors, 53:7 (2019), 887–891 |
1
|
| 14. |
Л. С. Лунин, О. В. Девицкий, И. А. Сысоев, А. С. Пащенко, И. В. Касьянов, Д. А. Никулин, В. А. Ирха, “Ионно-лучевое осаждение тонких пленок AlN на Al$_{2}$O$_{3}$”, Письма в ЖТФ, 45:24 (2019), 21–24 ; L. S. Lunin, O. V. Devitsky, I. A. Sysoev, A. S. Pashchenko, I. V. Kasyanov, D. A. Nikulin, V. A. Irkha, “Ion-beam deposition of thin AlN films on Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Tech. Phys. Lett., 45:12 (2019), 1237–1240 |
6
|
| 15. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, О. С. Пащенко, “Гетероструктуры Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb для фотоприемных устройств ($\lambda$ = 6–12 $\mu$m)”, Письма в ЖТФ, 45:16 (2019), 27–29 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, O. S. Pashchenko, “Heterostructures Ga$_{x}$In$_{1-x}$As$_{y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-y-z}$/InSb for photodetector devices”, Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 823–826 |
| 16. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, “Каскадные солнечные элементы на основе наногетероструктур GaP/Si/Ge”, Письма в ЖТФ, 45:6 (2019), 7–9 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova, “Cascade solar cells based on GaP/Si/Ge nanoheterostructures”, Tech. Phys. Lett., 45:3 (2019), 250–252 |
5
|
|
2018 |
| 17. |
Д. Л. Алфимова, М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, А. С. Пащенко, А. Е. Казакова, “Влияние висмута на структурное совершенство и люминесцентные свойства тонкопленочных упругонапряженных гетероструктур Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb”, Физика твердого тела, 60:7 (2018), 1277–1282 ; D. L. Alfimova, M. L. Lunina, L. S. Lunin, A. S. Pashchenko, A. E. Kazakova, “The effect of bismuth on the structural perfection and the luminescent properties of thin-film elastically stressed Al$_{x}$In$_{y}$Ga$_{1-x-y}$Bi$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb heterostructures”, Phys. Solid State, 60:7 (2018), 1280–1286 |
3
|
| 18. |
М. Л. Лунина, Л. С. Лунин, В. В. Калинчук, А. Е. Казакова, “Тонкопленочные гетероструктуры In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb, выращенные в поле температурного градиента”, Физика твердого тела, 60:5 (2018), 888–896 ; M. L. Lunina, L. S. Lunin, V. V. Kalinchuk, A. E. Kazakova, “Thin-film In$_{x}$Al$_{y}$Ga$_{1-x-y}$As$_{z}$Sb$_{1-z}$/GaSb heterostructures grown in a temperature gradient”, Phys. Solid State, 60:5 (2018), 890–898 |
3
|
| 19. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. А. Кравцов, И. А. Сысоев, А. В. Блинов, А. С. Пащенко, “Влияние концентрации наночастиц серебра в функциональных покрытиях TiO$_{2}$–Ag на характеристики фотопреобразователей GaInP/GaAs/Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 860–864 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. A. Kravtsov, I. A. Sysoev, A. V. Blinov, A. S. Pashchenko, “Effect of the Ag nanoparticle concentration in TiO$_{2}$–Ag functional coatings on the characteristics of GaInP/GaAs/Ge photoconverters”, Semiconductors, 52:8 (2018), 993–996 |
14
|
| 20. |
А. С. Пащенко, Л. С. Лунин, С. Н. Чеботарев, М. Л. Лунина, “Исследование структурных и люминесцентных свойств гетероструктур InAs/GaAs с легированными Bi потенциальными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 581–585 ; A. S. Pashchenko, L. S. Lunin, S. N. Chebotarev, M. L. Lunina, “Study of the structural and luminescence properties of InAs/GaAs heterostructures with Bi-doped potential barriers”, Semiconductors, 52:6 (2018), 729–733 |
4
|
| 21. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. Е. Казакова, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Д. А. Арустамян, “Наногетероструктуры AlInGaPAs/GaAs/Si для фотоэлектрических преобразователей, полученные методом импульсного лазерного напыления”, Письма в ЖТФ, 44:24 (2018), 75–80 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. E. Kazakova, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, D. A. Arustamyan, “AlInGaPAs/GaAs/Si heterostructures for photoelectric converters fabricated by pulsed laser deposition”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1154–1156 |
1
|
| 22. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, Д. Л. Алфимова, Э. М. Данилина, “Гетероструктуры AlInPSbAs/InAs для термофотоэлектрических преобразователей”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 3–8 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, D. L. Alfimova, E. M. Danilina, “AlInPSbAs/InAs heterostructures for thermophotoelectric converters”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1049–1051 |
|
2017 |
| 23. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, Д. А. Арустамян, А. Е. Казакова, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопараметрических гетероструктур InAlGaPAs/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1426–1433 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, D. A. Arustamyan, A. E. Kazakova, S. N. Chebotarev, “Growth and properties of isoparametric InAlGaPAs/GaAs heterostructures”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1377–1384 |
8
|
| 24. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, О. В. Девицкий, И. А. Сысоев, “Импульсное лазерное напыление тонких пленок Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As и GaP на подложках Si для фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 403–408 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, O. V. Devitsky, I. A. Sysoev, “Pulsed laser deposition of Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As and GaP thin films onto Si substrates for photoelectric converters”, Semiconductors, 51:3 (2017), 387–391 |
14
|
| 25. |
В. Н. Лозовский, А. А. Ломов, Л. С. Лунин, Б. М. Середин, Ю. М. Чесноков, “Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 297–301 ; V. N. Lozovskii, A. A. Lomov, L. S. Lunin, B. M. Seredin, Yu. M. Chesnokov, “Crystal defects in solar cells produced by the method of thermomigration”, Semiconductors, 51:3 (2017), 285–289 |
8
|
|
2016 |
| 26. |
Д. Л. Алфимова, Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. С. Пащенко, С. Н. Чеботарев, “Выращивание и свойства изопериодных твердых растворов GaInPSbAs на подложках арсенида индия”, Физика твердого тела, 58:9 (2016), 1695–1700 ; D. L. Alfimova, L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, “Growth and properties of GaInPSbAs isoperiodic solid solutions on indium arsenide substrates”, Phys. Solid State, 58:9 (2016), 1751–1757 |
5
|
| 27. |
Л. С. Лунин, М. Л. Лунина, А. А. Кравцов, И. А. Сысоев, А. В. Блинов, “Синтез и исследование свойств тонких пленок TiO$_{2}$, легированных наночастицами серебра, для просветляющих покрытий и прозрачных контактов фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 50:9 (2016), 1253–1257 ; L. S. Lunin, M. L. Lunina, A. A. Kravtsov, I. A. Sysoev, A. V. Blinov, “Synthesis and study of thin TiO$_{2}$ films doped with silver nanoparticles for the antireflection coatings and transparent contacts of photovoltaic converters”, Semiconductors, 50:9 (2016), 1231–1235 |
10
|
| 28. |
А. С. Пащенко, С. Н. Чеботарев, Л. С. Лунин, В. А. Ирха, “Особенности легирования сурьмой в процессе ионно-лучевой кристаллизации кремния”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 553–556 ; A. S. Pashchenko, S. N. Chebotarev, L. S. Lunin, V. A. Irkha, “Specific features of doping with antimony during the ion-beam crystallization of silicon”, Semiconductors, 50:4 (2016), 545–548 |
4
|
|
2015 |
| 29. |
С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко, A. Williamson, Л. С. Лунин, В. А. Ирха, Ю. В. Сидоров, “Ионно-лучевая кристаллизация наноструктур InAs/GaAs(001)”, Письма в ЖТФ, 41:13 (2015), 102–110 ; S. N. Chebotarev, A. S. Pashchenko, A. Williamson, L. S. Lunin, V. A. Irkha, Yu. V. Sidorov, “Ion beam crystallization of InAs/GaAs(001) nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 41:7 (2015), 661–664 |
16
|
|
2013 |
| 30. |
Л. С. Лунин, Г. Я. Карапетьян, В. Г. Днепровский, В. Ф. Катаев, “Преобразование тепла окружающей среды в электрическую энергию в системе металл–диэлектрик–полупроводник–металл”, ЖТФ, 83:11 (2013), 72–77 ; L. S. Lunin, G. Ya. Karapetyan, V. G. Dneprovskii, V. F. Kataev, “Conversion of environmental heat to electric energy in the metal–dielectric–semiconductor–metal system”, Tech. Phys., 58:11 (2013), 1619–1624 |
3
|
| 31. |
С. Н. Чеботарев, А. С. Пащенко, Л. С. Лунин, В. А. Ирха, “Особенности формирования многослойных наноструктур Ge/Si при ионно-лучевой кристаллизации”, Письма в ЖТФ, 39:16 (2013), 30–37 ; S. N. Chebotarev, A. S. Pashchenko, L. S. Lunin, V. A. Irkha, “Features in the formation of Ge/Si multilayer nanostructures under ion-beam-assisted crystallization”, Tech. Phys. Lett., 39:8 (2013), 726–729 |
12
|
|
2011 |
| 32. |
Л. С. Лунин, А. С. Пащенко, “Моделирование и исследование характеристик фотоэлектрических преобразователей на основе GaAs и GaSb”, ЖТФ, 81:9 (2011), 71–76 ; L. S. Lunin, A. S. Pashchenko, “Simulation and investigation of the GaAs and GaSb photovoltaic cell performance”, Tech. Phys., 56:9 (2011), 1291–1296 |
5
|
|
Обратная связь: