|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
К. К. Абгарян, Н. Л. Загордан, Ю. Д. Мочалова, “Метод компьютерного моделирования упругих характеристик многослойных композиционных материалов”, Системы и средства информ., 33:4 (2023), 92–101  |
|
2022 |
| 2. |
К. К. Абгарян, Е. С. Гаврилов, “Программный комплекс для многомасштабного моделирования структурных свойств композиционных материалов”, Информ. и её примен., 16:1 (2022), 88–97 |
1
|
|
2021 |
| 3. |
К. К. Абгарян, Е. С. Гаврилов, “Распределенная информационная система для расчета структурных свойств композиционных материалов”, Информ. и её примен., 15:4 (2021), 50–58 |
2
|
|
2020 |
| 4. |
К. К. Абгарян, И. С. Колбин, “Применение многомасштабного подхода и методов анализа данных для моделирования теплопроводности в слоистых структурах”, Информ. и её примен., 14:4 (2020), 91–99 |
| 5. |
К. К. Абгарян, Е. С. Гаврилов, “Интеграционная платформа для многомасштабного моделирования нейроморфных систем”, Информ. и её примен., 14:2 (2020), 104–110 |
5
|
|
2019 |
| 6. |
К. К. Абгарян, В. А. Осипова, “Применение методов поддержки принятия решений для многокритериальной задачи отбора МК”, Информ. и её примен., 13:2 (2019), 47–53  |
2
|
| 7. |
К. К. Абгарян, Е. С. Гаврилов, “Информационная поддержка интеграционной платформы многомасштабного моделирования”, Системы и средства информ., 29:1 (2019), 53–62 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
К. К. Абгарян, С. В. Елисеев, А. А. Журавлев, Д. Л. Ревизников, “Высокоскоростное внедрение. Дискретно-элементное моделирование и эксперимент”, Компьютерные исследования и моделирование, 9:6 (2017), 937–944 |
1
|
| 9. |
К. С. Журавлев, Т. В. Малин, В. Г. Мансуров, О. Е. Терещенко, К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, В. Е. Земляков, В. И. Егоркин, Я. М. Парнес, В. Г. Тихомиров, И. П. Просвирин, “AlN/GaN-гетероструктуры для нормально закрытых транзисторов”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 395–402 ; K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 |
5
|
|
2016 |
| 10. |
К. К. Абгарян, Д. Л. Ревизников, “Численное моделирование распределения носителей заряда в наноразмерных полупроводниковых гетероструктурах с учетом поляризационных эффектов”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 56:1 (2016), 155–166 ; K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, “Numerical simulation of the distribution of charge carrier in nanosized semiconductor heterostructures with account for polarization effects”, Comput. Math. Math. Phys., 56:1 (2016), 161–172   |
14
|
|
2015 |
| 11. |
К. К. Абгарян, А. А. Журавлев, Н. Л. Загордан, Д. Л. Ревизников, “Дискретно-элементное моделирование внедрения шара в массивную преграду”, Компьютерные исследования и моделирование, 7:1 (2015), 71–79 |
2
|
| 12. |
Ю. Г. Коробова, Д. И. Бажанов, И. А. Камынина, К. К. Абгарян, А. С. Илюшин, “Исследование влияния кислорода на свойства магнитной анизотропии нанопроводов Co на поверхности Cu(210): ab initio подход”, Физика твердого тела, 57:7 (2015), 1343–1348 ; Yu. G. Korobova, D. I. Bazhanov, I. A. Kamynina, K. K. Abgaryan, A. S. Ilyushin, “A study of the oxygen effect on the properties of magnetic anisotropy of Co nanowires on the Cu(210) surface: Ab initio approach”, Phys. Solid State, 57:7 (2015), 1366–1371 |
3
|
|
2014 |
| 13. |
К. К. Абгарян, М. А. Посыпкин, “Применение оптимизационных методов для решения задач параметрической идентификации потенциалов межатомного взаимодействия”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 54:12 (2014), 1994–2001  ; K. K. Abgaryan, M. A. Posypkin, “Optimization methods as applied to parametric identification of interatomic potentials”, Comput. Math. Math. Phys., 54:12 (2014), 1929–1935 |
11
|
|
2013 |
| 14. |
И. А. Супрядкина, К. К. Абгарян, Д. И. Бажанов, И. В. Мутигуллин, “Исследование поляризаций нитридных соединений (Al,Ga,AlGa)N и зарядовой плотности различных интерфейсов на их основе”, Физика и техника полупроводников, 47:12 (2013), 1647–1652 ; I. A. Supryadkina, K. K. Abgaryan, D. I. Bazhanov, I. V. Mutigullin, “Study of the polarizations of (Al,Ga,AlGa)N nitride compounds and the charge density of various interfaces based on them”, Semiconductors, 47:12 (2013), 1621–1625 |
9
|
|
2009 |
| 15. |
К. К. Абгарян, В. Р. Хачатуров, “Компьютерное моделирование устойчивых структур кристаллических материалов”, Ж. вычисл. матем. и матем. физ., 49:8 (2009), 1517–1530  ; K. K. Abgaryan, V. R. Khachaturov, “Computer simulation of stable structures in crystal substances”, Comput. Math. Math. Phys., 49:8 (2009), 1449–1462 |
4
|
|
Обратная связь: