RUS  ENG ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ЛИЧНЫЙ КАБИНЕТ
 
Басиев Тасолтан Тазретович

В базах данных Math-Net.Ru
Публикаций: 95
Научных статей: 90

Статистика просмотров:
Эта страница:344
Страницы публикаций:8791
Полные тексты:3803
Списки литературы:364
E-mail:

http://www.mathnet.ru/rus/person55016
Список публикаций на Google Scholar
Список публикаций на ZentralBlatt

Публикации в базе данных Math-Net.Ru
1. Четырехволновая генерация ВКР-компонент излучения в кристаллах BaWO4 и SrWO4 при пикосекундном возбуждении
Т. Т. Басиев, М. Е. Дорошенко, Л. И. Ивлева, С. Н. Сметанин, М. Елинек, В. Кубечек, Х. Елинкова
Квантовая электроника, 43:7 (2013),  616–620
2. Безрезонаторная стохастическая лазерная генерация в нанокомпозитной среде
С. Н. Сметанин, Т. Т. Басиев
Квантовая электроника, 43:1 (2013),  63–70
3. Синхронизм четырехволновых взаимодействий ВКР-компонент в двулучепреломляющих ВКР-кристаллах
С. Н. Сметанин, Т. Т. Басиев
Квантовая электроника, 42:3 (2012),  224–227
4. Кинетика сверхбыстрого миграционно-ускоренного тушения в наночастицах
Н. А. Глушков, Т. Т. Басиев, И. Т. Басиева
Письма в ЖЭТФ, 93:12 (2011),  777–781
5. Спонтанное и вынужденное комбинационное рассеяние света в кристаллах ZnWO4
Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, А. А. Соболь, Д. С. Чунаев, В. Е. Шукшин
Квантовая электроника, 41:4 (2011),  370–372
6. Петлевые лазерные резонаторы на самонакачивающихся ОВФ-зеркалах в слабо усиливающих активных средах для сфазированных многоканальных лазерных систем
Т. Т. Басиев, А. В. Гаврилов, М. Н. Ершков, С. Н. Сметанин, А. В. Федин, К. А. Бельков, А. С. Борейшо, В. Ф. Лебедев
Квантовая электроника, 41:3 (2011),  207–211
7. Управление фазовой синхронизацией излучения в наборе лазеров с самонакачивающимися ОВФ-зеркалами на решетках усиления при использовании пассивного лазерного затвора
Т. Т. Басиев, А. В. Гаврилов, С. Н. Сметанин, А. В. Федин
Квантовая электроника, 41:3 (2011),  202–206
8. Монокристаллы пированадата свинца — новый материал для получения ВКР-генерации
Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, В. А. Маслов, А. А. Соболь, В. Е. Шукшин
Квантовая электроника, 41:2 (2011),  125–127
9. Люминесцентная нанофотоника, фторидная лазерная керамика и кристаллы
Т. Т. Басиев, И. Т. Басиева, М. Е. Дорошенко
УФН, 181:12 (2011),  1334–1340
10. Теоретический анализ статического тушения оптических возбуждений в люминесцирующих наночастицах
Т. Т. Басиев, И. Т. Басиева, Н. А. Глушков
Письма в ЖЭТФ, 91:5 (2010),  254–258
11. Эффективное преобразование излучения Nd:YAG-лазера в безопасный для глаз спектральный диапазон при вынужденном комбинационном рассеянии в кристалле BaWO4
Т. Т. Басиев, М. Н. Басиева, А. В. Гаврилов, М. Н. Ершков, Л. И. Ивлева, В. В. Осико, С. Н. Сметанин, А. В. Федин
Квантовая электроника, 40:8 (2010),  710–715
12. Внутрирезонаторная ВКР-генерация в полифункциональном лазерном кристалле SrMoO4:Nd3+ при диодной накачке
Т. Т. Басиев, С. Н. Сметанин, А. В. Федин, А. С. Шурыгин
Квантовая электроника, 40:8 (2010),  704–709
13. Качественное улучшение лазерных свойств кристаллов PbGa2S4:Dy3+ при их соактивации ионами Na+
Т. Т. Басиев, М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, В. В. Бадиков, Д. В. Бадиков, В. Л. Панютин, Г. С. Шевырдяева
Квантовая электроника, 40:7 (2010),  596–598
14. Параметрическая связь частотных компонент излучения при вынужденном комбинационном рассеянии в твердом теле
Т. Т. Басиев, С. Н. Сметанин, А. С. Шурыгин, А. В. Федин
УФН, 180:6 (2010),  639–646
15. Измерение оптического поглощения образцов нанокерамики из CaF2
О. В. Палашов, Е. А. Хазанов, И. Б. Мухин, А. Н. Смирнов, И. А. Миронов, К. В. Дукельский, Е. А. Гарибин, П. П. Федоров, С. В. Кузнецов, В. В. Осико, Т. Т. Басиев, Р. В. Гайнутдинов
Квантовая электроника, 39:10 (2009),  943–947
16. Технологии перфорации близкорасположенных микронных отверстий с использованием неодимовых LiF:F2--лазеров
Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, В. В. Осико, А. Г. Папашвили, Д. С. Чунаев, А. В. Гаврилов, М. Н. Ершков, С. Н. Сметанин, С. А. Солохин, А. В. Федин, В. Н. Колокольцев, В. М. Лазоренко, В. И. Товтин
Квантовая электроника, 39:4 (2009),  385–387
17. Исследование дифракционно-связанной генерации излучения в наборе лазеров с самонакачивающимися ОВФ-зеркалами на решетках усиления при близкодействующей связи
Т. Т. Басиев, А. В. Гаврилов, В. В. Осико, С. Н. Сметанин, А. В. Федин
Квантовая электроника, 39:1 (2009),  31–35
18. Спонтанное излучение в диэлектрических наночастицах
K. K. Пухов, Т. Т. Басиев, Ю. В. Орловский
Письма в ЖЭТФ, 88:1 (2008),  14–20
19. Преобразование люминесценции лазерных красителей в вынужденное излучение в опаловой матрице
О. К. Алимов, Т. Т. Басиев, Ю. В. Орловский, В. В. Осико, М. И. Самойлович
Квантовая электроника, 38:7 (2008),  665–669
20. Светоуправляемый сдвиг стоп-зоны в синтетических опалах, заполненных оптически нелинейным раствором красителя
А. М. Гончаренко, Г. В. Синицын, А. В. Ляхнович, М. И. Самойлович, С. П. Апанасевич, М. А. Ходасевич, Ю. А. Варакса, Т. Т. Басиев, Ю. В. Орловский
Квантовая электроника, 38:1 (2008),  37–40
21. Лазерная генерация наноструктурированной фторидной керамики LiF с F-2-центрами окраски при диодной накачке
Т. Т. Басиев, М. Е. Дорошенко, В. А. Конюшкин, В. В. Осико, Л. И. Иванов, С. В. Симаков
Квантовая электроника, 37:11 (2007),  989–990
22. Высокоскоростное аблирование сверхглубоких каналов фазово-сопряженным Nd:ИАГ-лазером с динамически регулируемой пассивной модуляцией добротности
Т. Т. Басиев, С. В. Гарнов, С. М. Климентов, П. А. Пивоваров, А. В. Гаврилов, С. Н. Сметанин, С. А. Солохин, А. В. Федин
Квантовая электроника, 37:10 (2007),  956–960
23. Эффективная генерация монокристаллов твердых растворов CaF2–SrF2:Yb3+ при диодной лазерной накачке
Т. Т. Басиев, С. В. Васильев, М. Е. Дорошенко, В. А. Конюшкин, С. В. Кузнецов, В. В. Осико, П. П. Федоров
Квантовая электроника, 37:10 (2007),  934–937
24. Усилитель на неодимовом фосфатном стекле ГЛС-23 с длиной волны 1.047 мкм
Т. Т. Басиев, А. Г. Папашвили
Квантовая электроника, 37:7 (2007),  597–598
25. Динамика генерации сфазированной трехканальной голографической Nd:YAG лазерной системы
Т. Т. Басиев, А. В. Гаврилов, В. В. Осико, С. Н. Сметанин, А. В. Федин
Квантовая электроника, 37:3 (2007),  255–258
26. Исследование фазовой самосинхронизации импульсного трехканального голографического Nd:YAG-лазера на решетках усиления
Т. Т. Басиев, А. В. Гаврилов, С. Н. Сметанин, А. В. Федин, В. В. Осико
Квантовая электроника, 37:2 (2007),  143–146
27. Лазерная прошивка сверхглубоких микронных отверстий в различных материалах при программируемом управлении параметрами лазерной генерации
Т. Т. Басиев, А. В. Гаврилов, В. В. Осико, С. Н. Сметанин, А. В. Федин
Квантовая электроника, 37:1 (2007),  99–102
28. Сравнение оптических характеристик монокристалла и оптической керамики CaF2
О. В. Палашов, Е. А. Хазанов, И. Б. Мухин, И. А. Миронов, А. Н. Смирнов, К. В. Дукельский, В. В. Осико, П. П. Федоров, Т. Т. Басиев
Квантовая электроника, 37:1 (2007),  27–28
29. Генерационные свойства ВКР-активных кристаллов молибдатов и вольфраматов, активированных ионами Nd3+ при селективной оптической накачке
Т. Т. Басиев, М. Е. Дорошенко, Л. И. Ивлева, В. В. Осико, М. Б. Космына, В. К. Комарь, Я. Шульц, Х. Елинкова
Квантовая электроника, 36:8 (2006),  720–726
30. Прямое усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2-
Т. Т. Басиев, С. В. Гарнов, В. И. Вовченко, А. Я. Карасик, С. М. Климентов, В. А. Конюшкин, С. Б. Кравцов, А. А. Малютин, А. Г. Папашвили, П. А. Пивоваров, Д. С. Чунаев
Квантовая электроника, 36:7 (2006),  609–611
31. Непрерывная генерация с плавной перестройкой длины волны вблизи 2.75 мкм на кристаллах SrF2:Er3+ и CaF2:Er3+
Т. Т. Басиев, Ю. В. Орловский, М. В. Поляченкова, П. П. Федоров, С. В. Кузнецов, В. А. Конюшкин, В. В. Осико, О. К. Алимов, А. Ю. Дергачев
Квантовая электроника, 36:7 (2006),  591–594
32. Новые материалы для ВКР-лазеров
Т. Т. Басиев, В. В. Осико
Усп. хим., 75:10 (2006),  939–955
33. Усиление пикосекундных импульсов в кристаллах LiF:F2- при синхронной пико- и наносекундной лазерной накачке
Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, В. А. Конюшкин, В. В. Осико, А. Г. Папашвили, Д. С. Чунаев
Квантовая электроника, 35:4 (2005),  344–346
34. Применение лазера на центрах окраски в кристалле LiF для накачки активной среды YAG:Yb
Т. Т. Басиев, Н. Е. Быковский, В. А. Конюшкин, Ю. В. Сенатский
Квантовая электроника, 34:12 (2004),  1138–1142
35. Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах в условиях фазомодулированной пикосекундной накачки
Т. Т. Басиев, П. Г. Зверев, А. Я. Карасик, Д. С. Чунаев
Квантовая электроника, 34:10 (2004),  924–926
36. ВКР-преобразование излучения с высокой средней мощностью в кристалле BaWO4
Т. Т. Басиев, А. В. Гаврилов, В. В. Осико, С. Н. Сметанин, А. В. Федин
Квантовая электроника, 34:7 (2004),  649–651
37. Импульсные Cr2+:ZnS- и Cr2+:ZnSe-лазеры среднего ИК диапазона с накачкой неодимовыми лазерами с модуляцией добротности и сдвигом частоты излучения с помощью ВКР
К. Грэхэм, В. В. Федоров, С. Б. Миров, М. Е. Дорошенко, Т. Т. Басиев, Ю. В. Орловский, В. В. Осико, В. В. Бадиков, В. Л. Панютин
Квантовая электроника, 34:1 (2004),  8–14
38. Сверхчувствительный электронный переход в примесных Nd–Nd нано-кластерах кристалла CaF$_2$
Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, А. А. Корниенко, А. Г. Папашвили, К. К. Пухов
Письма в ЖЭТФ, 78:5 (2003),  768–771
39. Одно- и двухфотонные спектры кластеров Nd3+ в кристаллах CaF2 и SrF2
Т. Т. Басиев, В. В. Воронов, М. Ю. Глотова, А. Г. Папашвили, А. Я. Карасик
Квантовая электроника, 33:8 (2003),  684–688
40. Фазовая синхронизация оптически связанных лазеров на решетках усиления в активной среде
Т. Т. Басиев, А. В. Гаврилов, В. В. Осико, С. Н. Сметанин, А. В. Федин
Квантовая электроника, 33:8 (2003),  659–670
41. Вынужденное комбинационное рассеяние пикосекундных импульсов в кристаллах SrMoO4 и Ca3(VO4)2
П. Г. Зверев, А. Я. Карасик, Т. Т. Басиев, Л. И. Ивлева, В. В. Осико
Квантовая электроника, 33:4 (2003),  331–334
42. Генерация молекулярного газового HCl-лазера в области λ = 4 мкм при оптическом возбуждении в третий колебательный обертон перестраиваемым лазером на центрах окраски
Т. Т. Басиев, М. Е. Дорошенко, С. Б. Кравцов, В. В. Скорняков, П. Г. Зверев, С. В. Васильев, С. С. Алимпиев, С. М. Никифоров, Г. Д. Хагер
Квантовая электроника, 33:3 (2003),  210–214
43. Моделирование и оптимизация HCl-лазера с оптической накачкой
С. В. Васильев, М. А. Кузьмина, Т. Т. Басиев, Г. Д. Хагер
Квантовая электроника, 33:3 (2003),  201–209
44. Агрегатные центры окраски в примесных кристаллах LiF
Т. Т. Басиев, А. Я. Карасик, В. А. Конюшкин, А. Г. Папашвили, К. К. Пухов, И. В. Ермаков, В. Геллерманн
Квантовая электроника, 32:8 (2002),  659–662
45. Кинетика кооперативного тушения. Теория и моделирование методом Монте-Карло
И. Т. Басиева, К. К. Пухов, Т. Т. Басиев
Письма в ЖЭТФ, 74:11 (2001),  612–615
46. Широкополосный оптический усилитель ИК импульсов на кристалле LiF:F2+
Т. Т. Басиев, И. В. Ермаков, В. А. Конюшкин, К. К. Пухов
Квантовая электроника, 31:5 (2001),  424–426
47. Широкополосная генерация и нелинейное преобразование излучения лазеров на кристаллах LiF c F2+ и F2--центрами окраски
В. В. Федоров, П. Г. Зверев, Т. Т. Басиев
Квантовая электроника, 31:4 (2001),  285–289
48. Вынужденное комбинационное рассеяние в кристаллах щелочноземельных вольфраматов
П. Г. Зверев, Т. Т. Басиев, А. А. Соболь, В. В. Скорняков, Л. И. Ивлева, Н. М. Полозков, В. В. Осико
Квантовая электроника, 30:1 (2000),  55–59
49. Одномодовый ИАГ:Nd-лазер с самонакачивающимся фазово-сопряженным петлевым резонатором
Т. Т. Басиев, А. В. Федин, А. В. Гаврилов, С. Н. Сметанин, С. А. Кялбиева
Квантовая электроника, 27:2 (1999),  145–148
50. Спектроскопия поглощения из возбужденного состояния кристаллов SrF2:Nd3+ в спектральном диапазоне длин волн 1280 — 1320 нм
Б. К. Севастьянов, А. Г. Охримчук, В. В. Набатов, Ю. Н. Мартышев, Т. Т. Басиев, М. Е. Дорошенко, В. В. Осико, А. Г. Папашвили
Квантовая электроника, 26:2 (1999),  117–121
51. Спектроскопия новых ВКР-активных кристаллов и твердотельные ВКР-лазеры
Т. Т. Басиев
УФН, 169:10 (1999),  1149–1155
52. Технологический ИАГ:Nd-лазер с трехзеркальным резонатором и его применение
Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, А. С. Крайнов, А. В. Федин
Квантовая электроника, 25:6 (1998),  525–528
53. Усилительные свойства кристаллов LiF со стабилизированными $F^+_2$-центрами окраски
Т. Т. Басиев, И. В. Ермаков, В. А. Конюшкин, К. К. Пухов, М. Гласбик
Квантовая электроника, 25:2 (1998),  187–189
54. Квазинепрерывная генерация LiF-лазера c $F_2^-$-центрами окраски
Т. Т. Басиев, П. Г. Зверев, А. Г. Папашвили, В. А. Конюшкин, В. В. Осико
Квантовая электроника, 24:9 (1997),  779–780
55. Временные и спектральные характеристики перестраиваемого лазера на кристалле LiF с $F_2^-$ центрами окраски
Т. Т. Басиев, П. Г. Зверев, А. Г. Папашвили, В. В. Федоров
Квантовая электроника, 24:7 (1997),  591–595
56. Оптические и безызлучательные переходы с участием триплетных состояний лазерных $F_3^+$-ЦО в кристаллах LiF
Т. Т. Басиев, И. В. Ермаков, К. К. Пухов
Квантовая электроника, 24:4 (1997),  313–317
57. Высокоэффективная генерация перестраиваемых пикосекундных импульсов на основе лазерного кристалла LiF:$F_2^-$
Т. Т. Басиев, А. Ю. Дергачев, А. Я. Карасик, В. В. Федоров, Р. Л. Шубочкин
Квантовая электроника, 23:12 (1996),  1072–1074
58. Дихроизм кристалла LiF при необратимом пространственно-селективном разрушении $F_2^-$-центров окраски под действием излучения с $\lambda \sim$ 1.06 мкм
Т. Т. Басиев, Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 23:3 (1996),  269–272
59. Поляризационные характеристики двухфотонного поглощения в кристалле LiF:$F^-_2$ на длине волны 1.06 мкм
Т. Т. Басиев, Н. Н. Ильичев, А. В. Кирьянов, В. А. Конюшкин, П. П. Пашинин, С. М. Шпуга
Квантовая электроника, 23:2 (1996),  149–153
60. Исследование уширения линии ВКР-активного колебания в кристалле нитрата бария методом двухфотонной спектроскопии комбинационного усиления
П. Г. Зверев, Т. Т. Басиев
Квантовая электроника, 22:12 (1995),  1241–1244
61. Природа переноса энергии электронного возбуждения от ионов Cr3+ к редкоземельным ионам в кристаллах гранатов
Т. Т. Басиев, Ю. В. Орловский, В. Г. Остроумов, Ю. С. Привис, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 22:8 (1995),  759–764
62. Сенсибилизация люминесценции ионов Er3+ и Ho3+ ионами Cr4+ в кристалле Y2SiO5
В. Б. Сигачев, М. Е. Дорошенко, Т. Т. Басиев, Г. Б. Лутц, Б. Х. Чай
Квантовая электроника, 22:1 (1995),  33–36
63. Пикосекундный лазер с активной синхронизацией мод на основе кальций-литий-ниобий-галлиевого разупорядоченного граната с Nd3+
Т. Т. Басиев, А. Б. Грудинин, А. Я. Карасик, А. К. Сенаторов, А. А. Соболь, В. В. Федоров, Р. Л. Шубочкин
Квантовая электроника, 21:1 (1994),  89–90
64. Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F2 при импульсно-периодической накачке
Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, А. В. Федин
Квантовая электроника, 20:6 (1993),  594–596
65. Модуляция добротности ИАГ:Nd-лазера с линейным трехзеркальным резонатором кристаллами LiF:$F_2^-$
Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, С. Б. Миров, А. В. Федин
Квантовая электроника, 19:8 (1992),  772–773
66. Эффективные перестраиваемые лазеры на кристаллах LiF(F2) с F2- и F2+-ЦO
Т. Т. Басиев, В. А. Конюшкин, С. Б. Миров, В. В. Тер-Микиртычев
Квантовая электроника, 19:2 (1992),  145
67. Трехкаскадный усилитель одномодового излучения ИАГ: Nd-лазера с пассивным затвором на кристалле LiF:F2
Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, С. Б. Миров, А. В. Федин
Квантовая электроника, 18:7 (1991),  822–824
68. Модуляция добротности технологического ИАГ:Nd-лазера кристаллами LiF:F2
Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, С. Б. Миров, А. В. Федин, В. А. Конюшкин
Квантовая электроника, 18:2 (1991),  223–225
69. Особенности концентрационного тушения люминесценции с уровня 4S3/2 иона Er3+ в кристалле (Y1 – xErx)3Al2O5
Т. Т. Басиев, Ш. Джеорджеску, В. И. Жеков, В. Лупей, Т. М. Мурина, A. М. Прохоров, М. И. Студеникин
Квантовая электроника, 15:9 (1988),  1800–1801
70. Непрерывный кольцевой LiF:F2-лазер
Т. Т. Басиев, А. А. Гусев, С. В. Кружалов, С. Б. Миров, В. Ю. Петрунькин
Квантовая электроника, 15:3 (1988),  499–500
71. Преобразование перестраиваемого излучения лазера на кристалле LiF с F2-ЦО путем генерации ВКР в кристаллах Ba(NO3)2 и KGd(WO4)2
Т. Т. Басиев, В. Н. Войцеховский, П. Г. Зверев, Ф. В. Карпушко, А. В. Любимов, С. Б. Миров, В. П. Морозов, И. В. Мочалов, А. А. Павлюк, Г. В. Синицын, В. Э. Якобсон
Квантовая электроника, 14:12 (1987),  2452–2454
72. Прямое измерение скорости безызлучательной релаксации и спектры люминесценции с уровней 4G7/2, 4G5/2+2G7/2 и 4F9/2 ионов Nd3+ в лазерных кристаллах LaF3, SrF2 и YAlO3
Т. Т. Басиев, А. Ю. Дергачев, Е. О. Кирпиченкова, Ю. В. Орловский, В. В. Осико
Квантовая электроника, 14:10 (1987),  2021–2023
73. Генерирование и регистрация мощного плавноперестраиваемого излучения субпикосекундной длительности в лазере на кристалле фтористого лития с F2-центрами окраски
А. В. Бабушкин, Т. Т. Басиев, Н. С. Воробьев, С. Б. Миров, A. М. Прохоров, Ю. Н. Сердюченко, М. Я. Щелев
Квантовая электроника, 13:11 (1986),  2262–2266
74. Профилирование лазерного импульса с помощью насыщающихся фильтров
С. А. Абросимов, Т. Т. Басиев, М. Е. Бродов, А. В. Иванов, С. Б. Миров, П. П. Пашинин, Р. В. Серов, Е. В. Шашков
Квантовая электроника, 13:8 (1986),  1718–1720
75. Перестраиваемый лазер на кристаллах LiF(F2) с повышенным ресурсом работы
Т. Т. Басиев, Ф. А. Вахидов, Ю. К. Воронько, С. Б. Миров
Квантовая электроника, 13:2 (1986),  422–425
76. Двухпроходовый малогабаритный лазерный усилитель на кристалле ГСГГ:Cr3+, Nd3+
Т. Т. Басиев, Е. В. Жариков, С. Б. Миров, С. Ю. Натаров, В. В. Осико, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, Е. И. Шкловский, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 13:2 (1986),  412–414
77. Лазер на центрах окраски в кристалле LiF с выходной энергией 100 Дж
Т. Т. Басиев, Б. В. Ершов, С. Б. Кравцов, С. Б. Миров, В. А. Спиридонов, В. Б. Федоров
Квантовая электроника, 12:6 (1985),  1125–1126
78. Об оптимизации параметров активных элементов в миниатюрных лазерах на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле
Т. Т. Басиев, С. А. Болдырев, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, Г. С. Леонов, А. А. Малютин, С. Б. Миров, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 11:8 (1984),  1671–1674
79. Генерационные характеристики лазеров на кристаллах LiF:$F_2^-$ при мощном возбуждении
Т. Т. Басиев, В. С. Бураков, Ф. В. Карпушко, Д. В. Ковалев, С. Б. Миров, В. П. Морозов, A. М. Прохоров, Г. В. Синицын, А. П. Шкадаревич
Квантовая электроника, 10:9 (1983),  1919–1922
80. Импульсный АИГ : Nd3+-лазер с пассивным модулятором добротности на кристалле LiF с F2-центрами
Т. Т. Басиев, И. Я. Ицхоки, Б. Г. Лысой, С. Б. Миров, О. Б. Чередниченко
Квантовая электроника, 10:3 (1983),  619–621
81. Эффективные перестраиваемые лазеры на основе кристаллов LiF:$F_2^-$
Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, С. Б. Миров, В. В. Осико, A. М. Прохоров, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко
Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1741–1743
82. Лазер на концентрированном Li–Nd–La-фосфатном стекле с пассивной модуляцией добротности
Т. Т. Басиев, Б. И. Денкер, Н. Н. Ильичев, А. А. Малютин, С. Б. Миров, В. В. Осико, П. П. Пашинин
Квантовая электроника, 9:8 (1982),  1536–1542
83. Эффективные пассивные затворы неодимовых лазеров на основе кристаллов LiF:F2
Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, С. Б. Миров, В. В. Осико, A. М. Прохоров
Квантовая электроника, 9:4 (1982),  837–839
84. Перестраиваемый лазер на LiF : $F_2^+$-центpax окраски с голографическим селектором
Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, Е. О. Кирпиченкова, С. Б. Миров, В. В. Осико, М. С. Соскин, В. Б. Тараненко
Квантовая электроника, 8:2 (1981),  419–421
85. Исследование тонкой структуры неоднородно-уширенных полос поглощения иона $Nd^{3+}$ в стекле методом селективного возбуждения
О. К. Алимов, Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько
Квантовая электроника, 7:11 (1980),  2477–2480
86. Безызлучательные потери на переходе 4I11/24I13/2 иона Er3+ в кристаллах Y3Al5O12, Gd3Sc2Al3O12, Y3Ga5O12, Gd3Ga5O12, CaF2
М. Х. Ашуров, Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 5:5 (1978),  1028–1033
87. Излучательные и безызлучательные переходы Er3+ в смешанных иттрий-эрбий-алюминиевых гранатах
Т. Т. Басиев, Е. В. Жариков, В. И. Жеков, Т. М. Мурина, В. В. Осико, А. М. Прохоров, Б. П. Стариков, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 3:7 (1976),  1471–1477
88. Миграция энергии по ионам Yb3+ в кристаллах гранатов
Т. Т. Басиев, Ю. К. Воронько, Т. Г. Мамедов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 2:10 (1975),  2172–2182
89. Исследование механизма безызлучательной релаксации метастабильного состояния Nd3+ 4F3/2 в силикатном стекле
Т. Т. Басиев, Т. Г. Мамедов, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 2:6 (1975),  1269–1277
90. О квантовом выходе люминесценции с метастабильного состояния $\mathrm{Nd}^{3+}$ в силикатных стеклах и кристаллах $\mathrm{Y}_3\mathrm{Al}_5\mathrm{O}_{12}$
Т. Т. Басиев, Е. М. Дианов, A. М. Прохоров, И. А. Щербаков
Докл. АН СССР, 216:2 (1974),  297–299

91. Александр Александрович Каплянский (к 80-летию со дня рождения)
Е. Б. Александров, Ж. И. Алферов, С. Н. Багаев, Т. Т. Басиев, А. Г. Забродский, В. В. Кведер, Л. В. Келдыш, Б. В. Новиков, В. В. Осико, Р. А. Сурис, В. Б. Тимофеев, И. А. Щербаков
УФН, 181:1 (2011),  115–116
92. К 80-летию А. А. Маненкова
С. Н. Багаев, Т. Т. Басиев, Ф. В. Бункин, Е. М. Дианов, Н. В. Карлов, В. И. Конов, П. П. Пашинин, И. А. Щербаков, В. В. Осико
Квантовая электроника, 40:2 (2010),  188
93. Памяти Сергея Ивановича Яковленко
И. А. Щербаков, Ф. В. Бункин, Е. М. Дианов, В. И. Конов, В. В. Осико, Т. Т. Басиев, В. П. Макаров, О. Н. Крохин, И. Г. Зубарев, И. Б. Ковш, А. С. Семенов
Квантовая электроника, 37:2 (2007),  204
94. Поправка к статье: Модуляция добротности ИАГ:Nd-лазера с линейным трехзеркальным резонатором кристаллами LiF:$F_2^-$
Т. Т. Басиев, А. Н. Кравец, С. Б. Миров, А. В. Федин
Квантовая электроника, 19:12 (1992),  1248
95. Вячеслав Васильевич Осико (к пятидесятилетию со дня рождения)
В. И. Александров, Т. Т. Басиев, Ф. В. Бункин, В. Г. Веселаго, Ю. К. Воронько, Б. И. Денкер, Е. В. Жариков, Н. В. Карлов, Ю. С. Кузьминов, П. П. Пашинин, A. М. Прохоров, И. Н. Сисакян, А. А. Соболь, В. М. Татаринцев, М. И. Тимошечкин, И. А. Щербаков
Квантовая электроника, 9:5 (1982),  1072

Организации
 
Обратная связь:
 Пользовательское соглашение  Регистрация  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2018