|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
1992 |
| 1. |
S. I. Kirillova, M. D. Moin, V. E. Primachenko, S. V. Svechnikov, V. A. Chernobai, I. N. Dubrov, “Variation of Si$-$SiO$_{2}$-system electron properties under laser irradiation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 26:8 (1992), 1399–1404  |
|
1990 |
| 2. |
I. N. Dubrov, S. I. Kozlovsky, Yu. M. Korostyshevskii, M. D. Moin, “Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия
при лазерном возбуждении”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:4 (1990), 763–766 |
|
1986 |
| 3. |
S. I. Kozlovsky, M. D. Moin, “Transverse Photovoltaic Effect in Silicon due to Intervalley Diffusion Repopulation of Electrons under Laser Excitation”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:5 (1986), 806–810 |
|
1985 |
| 4. |
N. A. Davydova, N. E. Korsunskaya, M. D. Moin, I. Yu. Shablii, “Distribution of defects created with laser radiation in $\mathrm{CdS}$ single crystals”, Fizika Tverdogo Tela, 27:3 (1985), 767–771 |
| 5. |
S. I. Kozlovsky, M. D. Moin, “Transverse Photoelectromotive Force Arising in Germanium under Laser
Excitation of Extreme Intensity”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 19:5 (1985), 864–868 |
|
1984 |
| 6. |
M. D. Moin, “Kinetics of defect formation and solid evaporation due to laser radiation”, Fizika Tverdogo Tela, 26:9 (1984), 2742–2748 |
| 7. |
S. I. Kozlovsky, M. D. Moin, “Поперечный фотовольтаический эффект, возникающий
при лазерном
возбуждении германия вследствие термического изменения ширины запрещенной
зоны полупроводника”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:10 (1984), 1772–1777 |
|
| Organisations |
|
|
