|
Computational nanotechnology, 2016, выпуск 1, страницы 62–66
(Mi cn64)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 1 научной статье (всего в 1 статье)
ТЕХНОЛОГИИ МАШИНОСТРОЕНИЯ. ЯДЕРНАЯ ТЕХНИКА. ЭЛЕКТРОТЕХНИКА
Особенности технологии формирования Si(Li) p-i-n детекторов ядерного излучения больших размеров
Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, Ё. К. Тошмуродов, Б. С. Раджапов Физико-технический институт НПО "Физика-Солнце" АН РУз
Аннотация:
В настоящей работе рассматриваются физико-технологические особенности изготовления Si(Li) детекторов ядерного излучения больших размеров (Ø$\ge$ 60 мм, W=4 мм), когда для формирования необходимой Si(Li) p-i-n структуры используется новый метод проведения процесса дрейфа ионов лития при помощи воздействия импульсного электрического поля.
Ключевые слова:
полупроводниковый Si(Li) p-i-n детектор, монокристаллический кремний, диффузия, дрейф, литий, чувствительная область.
Образец цитирования:
Р. А. Муминов, С. А. Раджапов, Ё. К. Тошмуродов, Б. С. Раджапов, “Особенности технологии формирования Si(Li) p-i-n детекторов ядерного излучения больших размеров”, Comp. nanotechnol., 2016, № 1, 62–66
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/cn64 https://www.mathnet.ru/rus/cn/y2016/i1/p62
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 156 | PDF полного текста: | 65 | Список литературы: | 21 |
|