Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
Общая информация
Последний выпуск
Архив
Импакт-фактор

Поиск публикаций
Поиск ссылок

RSS
Последний выпуск
Текущие выпуски
Архивные выпуски
Что такое RSS



Письма в ЖЭТФ:
Год:
Том:
Выпуск:
Страница:
Найти






Персональный вход:
Логин:
Пароль:
Запомнить пароль
Войти
Забыли пароль?
Регистрация


Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 11, страницы 680–683 (Mi jetpl3125)  

Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)

КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ

Электропроводность кристаллов фуллерена С60 при динамическом сжатии до 200 кбар

Ю. А. Осипьянa, В. Е. Фортовb, К. Л. Каганb, В. В. Кведерa, В. И. Кулаковa, А. Н. Курьянчикb, Р. К. Николаевa, В. И. Постновb, Н. С. Сидоровa

a Институт физики твердого тела РАН
b Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
Список литературы:
Аннотация: Измерена удельная электропроводность σ кристаллов фуллерена С60 в условиях квазиизэнтропического нагружения размытой ударной волной до давления 200 кбар при начальных температурах T=293К и 77 К. В результате зарегистрировано резкое увеличение σ на 7–8 порядков с 106107 Ом1см1 при нормальных условиях до 5 Ом1см1 в диапазоне давлений 100-200 кбар. Электропроводность образцов под давлением падает с понижением температуры, что характерно для полупроводников. При снятии давления значение σ возвращается к исходной величине.
Поступила в редакцию: 22.04.2002
Англоязычная версия:
Journal of Experimental and Theoretical Physics Letters, 2002, Volume 75, Issue 11, Pages 563–565
DOI: https://doi.org/10.1134/1.1500722
Реферативные базы данных:
Тип публикации: Статья
PACS: 81.40.Vw, 71.30.+h
Образец цитирования: Ю. А. Осипьян, В. Е. Фортов, К. Л. Каган, В. В. Кведер, В. И. Кулаков, А. Н. Курьянчик, Р. К. Николаев, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров, “Электропроводность кристаллов фуллерена С60 при динамическом сжатии до 200 кбар”, Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002), 680–683; JETP Letters, 75:11 (2002), 563–565
Цитирование в формате AMSBIB
\RBibitem{OsiForKag02}
\by Ю.~А.~Осипьян, В.~Е.~Фортов, К.~Л.~Каган, В.~В.~Кведер, В.~И.~Кулаков, А.~Н.~Курьянчик, Р.~К.~Николаев, В.~И.~Постнов, Н.~С.~Сидоров
\paper Электропроводность кристаллов фуллерена С$_{\mathbf{60}}$ при динамическом сжатии до 200 кбар
\jour Письма в ЖЭТФ
\yr 2002
\vol 75
\issue 11
\pages 680--683
\mathnet{http://mi.mathnet.ru/jetpl3125}
\transl
\jour JETP Letters
\yr 2002
\vol 75
\issue 11
\pages 563--565
\crossref{https://doi.org/10.1134/1.1500722}
\scopus{https://www.scopus.com/record/display.url?origin=inward&eid=2-s2.0-0040076643}
Образцы ссылок на эту страницу:
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3125
  • https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i11/p680
  • Эта публикация цитируется в следующих 12 статьяx:
    1. Vasiliy T. Lebedev, Nikolay A. Charykov, Olga S. Shemchuk, Igor V. Murin, Dmitry A. Nerukh, Andrey V. Petrov, Dmitriy N. Maystrenko, Oleg E. Molchanov, Vladimir V. Sharoyko, Konstantin N. Semenov, Colloids and Surfaces B: Biointerfaces, 222 (2023), 113133  crossref
    2. Rekhviashvili S.Sh., Phys. Solid State, 59:4 (2017), 835–837  crossref  isi  scopus
    3. Khusnutdinoff R.M. Mokshin A.V. Takhaviev I.D., Phys. Solid State, 57:2 (2015), 412–418  crossref  isi  elib  scopus
    4. Семкин Н.Д., Телегин А.М., Физика волновых процессов и радиотехнические системы, 14:4 (2011), 92–102 Conductivity of insulators and semiconductors under high pressure  elib
    5. Телегин А.М., Калаев М.П., Сёмкин Н.Д., Вестник самарского государственного аэрокосмического университета им. академика С.П. Королёва (национального исследовательского университета), 2011, № 7, 97–106 Review of research conductivity of dielectrics and semiconductors under high pressure  elib
    6. Yu.A. Ossipyan, N.S. Sidorov, A.V. Palnichenko, O.M. Vyaselev, M.V. Kartsovnik, M. Opel, V.V. Avdonin, D.V. Shakhrai, N.V. Biktimirova, A.A. Golyshev, Chemical Physics Letters, 457:1-3 (2008), 74  crossref
    7. V.V. AVDONIN, V.I. POSTNOV, K.L. KAGAN, D.V. SHAKHRAY, V.E. FORTOV, A.F. SHESTAKOV, R.K. NIKOLAEV, N.S. SIDOROV, V.V. KVEDER, YU. A. OSIP'YAN, NATO Security through Science Series A: Chemistry and Biology, Hydrogen Materials Science and Chemistry of Carbon Nanomaterials, 2007, 37  crossref
    8. A. M. Molodets, V. V. Avdonin, A. N. Zhukov, V. V. Kim, A. YU. Osip'yan, N. S. Sidorov, J. M. Shulga, V. E. Fortov, High Pressure Research, 27:2 (2007), 279  crossref
    9. Ю. А. Осипьян, Б. В. Авдонин, К. Л. Каган, Р. К. Николаев, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров, Д. В. Шахрай, А. Ф. Шестаков, В. В. Кведер, В. Е. Фортов, Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005), 587–590  mathnet; JETP Letters, 81:9 (2005), 471–474  crossref  isi
    10. V.V. Milyavskiy, A.V. Utkin, A.Z. Zhuk, V.V. Yakushev, V.E. Fortov, Diamond and Related Materials, 14:11-12 (2005), 1920  crossref
    11. A.S. Berdinsky, D. Fink, Hui-Gon Chun, Yong-Zoo Yoo, Ji-Beom Yoo, A.V. Petrov, P.S. Alegaonkar, Journal of Sensor Science and Technology, 13:5 (2004), 392  crossref
    12. В. В. Бражкин, А. Г. Ляпин, С. В. Попова, С. К. Бейлисс, Т. Д. Варфоломеева, Р. Н. Волошин, А. Г. Гаврилюк, М. В. Кондрин, В. В. Мухамадьяров, И. А. Троян, С. В. Демишев, А. А. Пронин, Н. Е. Случанко, Письма в ЖЭТФ, 76:11 (2002), 805–1  mathnet; V. V. Brazhkin, A. G. Lyapin, S. V. Popova, S. C. Bayliss, T. D. Varfolomeeva, R. N. Voloshin, A. G. Gavriliuk, M. V. Kondrin, V. V. Makhamad'yarov, I. A. Trojan, S. V. Demishev, A. A. Pronin, N. E. Sluchanko, JETP Letters, 76:11 (2002), 681–692  crossref
    Citing articles in Google Scholar: Russian citations, English citations
    Related articles in Google Scholar: Russian articles, English articles
    Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики Pis'ma v Zhurnal Иksperimental'noi i Teoreticheskoi Fiziki
    Статистика просмотров:
    Страница аннотации:320
    PDF полного текста:106
    Список литературы:71
     
      Обратная связь:
     Пользовательское соглашение  Регистрация посетителей портала  Логотипы © Математический институт им. В. А. Стеклова РАН, 2025