|
Письма в Журнал экспериментальной и теоретической физики, 2002, том 75, выпуск 11, страницы 680–683
(Mi jetpl3125)
|
|
|
|
Эта публикация цитируется в 12 научных статьях (всего в 12 статьях)
КОНДЕНСИРОВАННЫЕ СРЕДЫ
Электропроводность кристаллов фуллерена С$_{\mathbf{60}}$ при динамическом сжатии до 200 кбар
Ю. А. Осипьянa, В. Е. Фортовb, К. Л. Каганb, В. В. Кведерa, В. И. Кулаковa, А. Н. Курьянчикb, Р. К. Николаевa, В. И. Постновb, Н. С. Сидоровa a Институт физики твердого тела РАН
b Институт проблем химической физики РАН, г. Черноголовка Московской обл.
Аннотация:
Измерена удельная электропроводность $\sigma $ кристаллов фуллерена С$_{60}$ в условиях квазиизэнтропического нагружения размытой ударной волной до давления 200 кбар при начальных температурах $T=293\,$К и 77 К. В результате зарегистрировано резкое увеличение $\sigma $ на 7–8 порядков с $10^{-6}{-} 10^{-7}$ Ом$^{-1}\cdot$см$^{-1}$ при нормальных условиях до 5 Ом$^{-1}\cdot$см$^{-1}$ в диапазоне давлений 100-200 кбар. Электропроводность образцов под давлением падает с понижением температуры, что характерно для полупроводников. При снятии давления значение $\sigma $ возвращается к исходной величине.
Поступила в редакцию: 22.04.2002
Образец цитирования:
Ю. А. Осипьян, В. Е. Фортов, К. Л. Каган, В. В. Кведер, В. И. Кулаков, А. Н. Курьянчик, Р. К. Николаев, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров, “Электропроводность кристаллов фуллерена С$_{\mathbf{60}}$ при динамическом сжатии до 200 кбар”, Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002), 680–683; JETP Letters, 75:11 (2002), 563–565
Образцы ссылок на эту страницу:
https://www.mathnet.ru/rus/jetpl3125 https://www.mathnet.ru/rus/jetpl/v75/i11/p680
|
Статистика просмотров: |
Страница аннотации: | 285 | PDF полного текста: | 96 | Список литературы: | 62 |
|