Аннотация:
Измерена удельная электропроводность σ кристаллов фуллерена С60 в условиях квазиизэнтропического нагружения размытой ударной волной до давления 200 кбар при начальных температурах T=293К и 77 К. В результате зарегистрировано резкое увеличение σ на 7–8 порядков с 10−6−10−7 Ом−1⋅см−1 при нормальных условиях до 5 Ом−1⋅см−1 в диапазоне давлений 100-200 кбар. Электропроводность образцов под давлением падает с понижением температуры, что характерно для полупроводников. При снятии давления значение σ возвращается к исходной величине.
Образец цитирования:
Ю. А. Осипьян, В. Е. Фортов, К. Л. Каган, В. В. Кведер, В. И. Кулаков, А. Н. Курьянчик, Р. К. Николаев, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров, “Электропроводность кристаллов фуллерена С60 при динамическом сжатии до 200 кбар”, Письма в ЖЭТФ, 75:11 (2002), 680–683; JETP Letters, 75:11 (2002), 563–565
Vasiliy T. Lebedev, Nikolay A. Charykov, Olga S. Shemchuk, Igor V. Murin, Dmitry A. Nerukh, Andrey V. Petrov, Dmitriy N. Maystrenko, Oleg E. Molchanov, Vladimir V. Sharoyko, Konstantin N. Semenov, Colloids and Surfaces B: Biointerfaces, 222 (2023), 113133
Семкин Н.Д., Телегин А.М., Физика волновых процессов и радиотехнические системы, 14:4 (2011), 92–102
Conductivity of insulators and semiconductors under high pressure
Телегин А.М., Калаев М.П., Сёмкин Н.Д., Вестник самарского государственного аэрокосмического университета им. академика С.П. Королёва (национального исследовательского университета), 2011, № 7, 97–106
Review of research conductivity of dielectrics and semiconductors under high pressure
V.V. AVDONIN, V.I. POSTNOV, K.L. KAGAN, D.V. SHAKHRAY, V.E. FORTOV, A.F. SHESTAKOV, R.K. NIKOLAEV, N.S. SIDOROV, V.V. KVEDER, YU. A. OSIP'YAN, NATO Security through Science Series A: Chemistry and Biology, Hydrogen Materials Science and Chemistry of Carbon Nanomaterials, 2007, 37
A. M. Molodets, V. V. Avdonin, A. N. Zhukov, V. V. Kim, A. YU. Osip'yan, N. S. Sidorov, J. M. Shulga, V. E. Fortov, High Pressure Research, 27:2 (2007), 279
Ю. А. Осипьян, Б. В. Авдонин, К. Л. Каган, Р. К. Николаев, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров, Д. В. Шахрай, А. Ф. Шестаков, В. В. Кведер, В. Е. Фортов, Письма в ЖЭТФ, 81:9 (2005), 587–590; JETP Letters, 81:9 (2005), 471–474
V.V. Milyavskiy, A.V. Utkin, A.Z. Zhuk, V.V. Yakushev, V.E. Fortov, Diamond and Related Materials, 14:11-12 (2005), 1920
A.S. Berdinsky, D. Fink, Hui-Gon Chun, Yong-Zoo Yoo, Ji-Beom Yoo, A.V. Petrov, P.S. Alegaonkar, Journal of Sensor Science and Technology, 13:5 (2004), 392
В. В. Бражкин, А. Г. Ляпин, С. В. Попова, С. К. Бейлисс, Т. Д. Варфоломеева, Р. Н. Волошин, А. Г. Гаврилюк, М. В. Кондрин, В. В. Мухамадьяров, И. А. Троян, С. В. Демишев, А. А. Пронин, Н. Е. Случанко, Письма в ЖЭТФ, 76:11 (2002), 805–1; V. V. Brazhkin, A. G. Lyapin, S. V. Popova, S. C. Bayliss, T. D. Varfolomeeva, R. N. Voloshin, A. G. Gavriliuk, M. V. Kondrin, V. V. Makhamad'yarov, I. A. Trojan, S. V. Demishev, A. A. Pronin, N. E. Sluchanko, JETP Letters, 76:11 (2002), 681–692