Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Malin, Timur Valerievich
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person136479
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, N. V. Fateev, “Parameters of stimulated emission in Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N : Si/AlN/Al$_2$O$_3$ structure with planar geometry”, Optics and Spectroscopy, 132:9 (2024),  911–917  mathnet  elib
2. V. G. Mansurov, T. V. Malin, D. D. Bashkatov, D. S. Milakhin, K. S. Zhuravlev, “Chemical kinetics of the Si(111) surface nitridation process at temperatures below the structural phase transition (7$\times$7)$\to$(1$\times$1)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:7 (2024),  349–357  mathnet  elib
3. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, N. V. Fateev, “Optical gain in heavily doped Al$_{0.65}$Ga$_{0.35}$N:Si structures under continuous pumping”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 50:21 (2024),  39–42  mathnet  elib
2023
4. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, N. V. Fateev, “Mechanisms of optical gain in heavily doped Al$_x$Ga$_{1-x}$N : Si structures ($x$ = 0.56–1)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:9 (2023),  731–737  mathnet  elib
2022
5. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Stimulated emission in the heavily doped Al$_{0.68}$Ga$_{0.32}$N : Si structures with transverse optical pumping at room temperature”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:12 (2022),  1125–1131  mathnet  elib
6. I. V. Osinnykh, I. A. Aleksandrov, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Determination of the types of optical transitions and concentrations of donors and acceptors in GaN by the dependence of photoluminescence intensity on the excitation power”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:8 (2022),  802–807  mathnet  elib
7. D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, A. S. Kozhukhov, N. N. Novikova, V. A. Yakovlev, K. S. Zhuravlev, “Determination of the AlN nucleation layer thickness formed on the Al$_2$O$_3$ (0001) surface during nitridation process by XPS and IR spectroscopy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:8 (2022),  734–741  mathnet  elib
8. I. V. Osinnykh, T. V. Malin, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, K. S. Zhuravlev, “Transformation of N-polar inversion domains from AlN buffer layers during the growth of AlGaN layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:7 (2022),  677–684  mathnet  elib
9. J. E. Maidebura, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “GaN quantum dots formation by temperature increase in ammonia flow”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:7 (2022),  667–671  mathnet  elib
2021
10. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Features of optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si-structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:14 (2021),  39–42  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 692–695 1
2019
11. D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, I. A. Aleksandrov, N. V. Rzheutskii, E. V. Lebiadok, A. A. Razumets, K. S. Zhuravlev, “Forming the GaN nanocrystals on the graphene-like $g$-AlN and $g$-Si$_{3}$N$_{3}$ surface”, Fizika Tverdogo Tela, 61:12 (2019),  2327–2332  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2329–2334 1
12. N. N. Novikova, V. A. Yakovlev, S. A. Klimin, T. V. Malin, A. M. Gilinskii, K. S. Zhuravlev, “Surface polaritons in silicon-doped aluminum and gallium nitride films”, Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019),  42–45  mathnet  elib; Optics and Spectroscopy, 127:1 (2019), 36–39 2
13. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Optical gain in heavily doped Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N : Si structures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:18 (2019),  48–51  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:9 (2019), 951–954 2
14. T. V. Malin, D. S. Milakhin, I. A. Aleksandrov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, A. A. Zaitsev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, V. G. Mansurov, K. S. Zhuravlev, “Undoped high-resistance GaN buffer layer for AlGaN/GaN high-electron-mobility transistors”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:15 (2019),  21–24  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:8 (2019), 761–764 6
2018
15. V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, T. V. Malin, S. A. Teys, E. V. Fedosenko, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, Ildikó Cora, Béla Pécz, “Formation of a graphene-like SiN layer on the surface Si(111)”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1407–1413  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1511–1517 7
16. T. V. Malin, D. S. Milakhin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, A. S. Kozhukhov, V. V. Ratnikov, A. N. Smirnov, V. Yu. Davydov, K. S. Zhuravlev, “Effect of the sapphire-nitridation level and nucleation-layer enrichment with aluminum on the structural properties of AlN layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:6 (2018),  643–650  mathnet  elib; Semiconductors, 52:6 (2018), 789–796 8
17. V. V. Ratnikov, M. P. Scheglov, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, I. V. Osinnykh, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Change in the character of biaxial stresses with an increase in $x$ from 0 to 0.7 in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N:Si layers obtained by ammonia molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:2 (2018),  233–237  mathnet  elib; Semiconductors, 52:2 (2018), 221–225 1
18. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, D. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Amplified luminescence of heavily doped Al<sub>x</sub>Ga<sub>1-x</sub>N structures under optical pumping”, Kvantovaya Elektronika, 48:3 (2018),  215–221  mathnet  elib [Quantum Electron., 48:3 (2018), 215–221  isi  scopus]
2017
19. K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, O. E. Tereshchenko, K. K. Abgaryan, D. L. Reviznikov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, V. G. Tikhomirov, I. P. Prosvirin, “AlN/GaN heterostructures for normally-off transistors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:3 (2017),  395–402  mathnet  elib; Semiconductors, 51:3 (2017), 379–386 5
20. P. A. Bokhan, K. S. Zhuravlev, Dm. È. Zakrevskii, T. V. Malin, I. V. Osinnykh, N. V. Fateev, “Radiation enhancement in doped AlGaN-structures upon optical pumping”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:1 (2017),  5–13  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:1 (2017), 46–49 2
2016
21. K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, V. G. Mansurov, V. E. Zemlyakov, V. I. Egorkin, Ya. M. Parnes, “Normally off transistors based on in situ passivated AlN/GaN heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 42:14 (2016),  72–79  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 750–753 3
2015
22. T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. K. Shestakov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “MBE-grown AlGaN/GaN heterostructures for UV photodetectors”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 85:4 (2015),  67–73  mathnet  elib; Tech. Phys., 60:3 (2015), 546–552 3
23. T. V. Malin, A. M. Gilinskii, V. G. Mansurov, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, E. B. Yakimov, K. S. Zhuravlev, “Increase in the diffusion length of minority carriers in Al$_x$Ga$_{1-x}$N ($x$ = 0–0.1) fabricated by ammonia molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:10 (2015),  1329–1334  mathnet  elib; Semiconductors, 49:10 (2015), 1285–1289 6
24. D. S. Milakhin, T. V. Malin, V. G. Mansurov, Yu. G. Galitsyn, K. S. Zhuravlev, “Nitridation of an unreconstructed and reconstructed $(\sqrt{31}\times\sqrt{31})R\pm9^\circ$ (0001) sapphire surface in an ammonia flow”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:7 (2015),  925–931  mathnet  elib; Semiconductors, 49:7 (2015), 905–910 2
2014
25. D. Yu. Protasov, N. R. Vitsina, N. A. Valisheva, F. N. Dultsev, T. V. Malin, K. S. Zhuravlev, “Chromium mask for plasma-chemical etching of Al$_x$Ga$_{1-x}$N layers”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 84:9 (2014),  96–99  mathnet  elib; Tech. Phys., 59:9 (2014), 1356–1359
26. I. V. Osinnykh, K. S. Zhuravlev, T. V. Malin, B. Ya. Ber, D. Yu. Kazantsev, “Decrease in the binding energy of donors in heavily doped GaN:Si layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:9 (2014),  1164–1168  mathnet  elib; Semiconductors, 48:9 (2014), 1134–1138 9
2013
27. D. Yu. Protasov, T. V. Malin, A. V. Tikhonov, A. F. Tsatsul'nikov, K. S. Zhuravlev, “Electron scattering in AlGaN/GaN heterostructures with a two-dimensional electron gas”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 47:1 (2013),  36–47  mathnet  elib; Semiconductors, 47:1 (2013), 33–44 31

Organisations