Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Mizerov, Andrei Mikailovich
E-mail:

https://www.mathnet.ru/eng/person148471
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. M. N. Lapushkin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, “Электронная структура валентной зоны нитрида галлия при адсорбции натрия”, Fizika Tverdogo Tela, 67:4 (2025),  617–623  mathnet
2024
2. P. V. Seredin, A. M. Mizerov, N. A. Kurilo, S. A. Kukushkin, D. L. Goloshchapov, N. S. Builov, A. S. Len'shin, D. N. Nesterov, M. S. Sobolev, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, “Studies of Al$_x$Ga$_{1-x}$N/AlN, nanosized columnar heterostructures grown on silicon substrates with various surface modifications”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 94:1 (2024),  138–150  mathnet  elib
2022
3. S. N. Timoshnev, G. V. Benemanskaya, A. M. Mizerov, M. S. Sobolev, Ya. B. Enns, “Changes in the electronic properties of the GaN/Si(111) surface under Li adsorption”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:10 (2022),  961–965  mathnet  elib
4. P. V. Seredin, Ali Obaid Radam, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, N. S. Builov, K. A. Barkov, D. N. Nesterov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Sh. Sharofidinov, L. S. Vavilova, S. A. Kukushkin, I. A. Kasatkin, “Growth of thin-film AlGaN/GaN epitaxial heterostructures on hybrid substrates containing layers of silicon carbide and porous silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:6 (2022),  547–552  mathnet  elib
2021
5. A. Lazarenko, K. Yu. Shubina, E. V. Nikitina, E. V. Pirogov, A. M. Mizerov, M. S. Sobolev, “Influence of rapid thermal annealing on the distribution of nitrogen atoms in GaAsN/GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  1077–1080  mathnet  elib
6. P. V. Seredin, K. A. Barkov, D. L. Goloshchapov, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, I. N. Arsent'ev, A. A. Lebedev, Sh. Sh. Sharofidinov, A. M. Mizerov, I. A. Kasatkin, T. Prutskij, “Effect of pretreatment of the silicon substrate on the properties of GaN films grown by chloride–hydride vapor-phase epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:8 (2021),  704–710  mathnet  elib; Semiconductors, 55:12 (2021), 995–1001
2020
7. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, S. A. Kukushkin, “Influence of a nanoporous silicon layer on the practical implementation and specific features of the epitaxial growth of GaN layers on SiC/$por$-Si/$c$-Si templates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:5 (2020),  491–503  mathnet  elib; Semiconductors, 54:5 (2020), 596–608 3
8. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, S. A. Kukushkin, “Optical properties of GaN/SiC/$por$-Si/Si(111) hybrid heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:4 (2020),  346–354  mathnet  elib; Semiconductors, 54:4 (2020), 417–425 2
2019
9. S. N. Timoshnev, A. M. Mizerov, G. V. Benemanskaya, S. A. Kukushkin, A. D. Bouravlev, “Photoemission studies of the electronic structure of GaN grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Fizika Tverdogo Tela, 61:12 (2019),  2294–2297  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2282–2285 4
10. A. M. Mizerov, S. A. Kukushkin, Sh. Sh. Sharofidinov, A. V. Osipov, S. N. Timoshnev, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. D. Bouravlev, “Method for controlling the polarity of gallium nitride layers in epitaxial synthesis of GaN/AlN heterostructures on hybrid SiC/Si substrates”, Fizika Tverdogo Tela, 61:12 (2019),  2289–2293  mathnet  elib; Phys. Solid State, 61:12 (2019), 2277–2281 4
11. D. V. Mokhov, T. N. Berezovskaya, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, A. M. Mizerov, A. D. Bouravlev, “The metal-assisted photochemical etching of N- and Ga-face GaN epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:12 (2019),  1726–1732  mathnet  elib; Semiconductors, 53:12 (2019), 1717–1723 3
12. A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, E. V. Nikitina, M. S. Sobolev, K. Yu. Shubin, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, V. V. Lundin, A. E. Nikolaev, A. D. Bouravlev, “On the specific features of the plasma-assisted mbe synthesis of $n^{+}$-GaN layers on GaN/$c$-Al$_{2}$O$_{3}$ templates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1212–1217  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1187–1191 5
13. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Structural and morphological properties of hybrid heterostructures based on gan grown on a compliant por-Si(111) substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:8 (2019),  1141–1151  mathnet  elib; Semiconductors, 53:8 (2019), 1120–1130
14. P. V. Seredin, A. S. Len'shin, D. S. Zolotukhin, D. L. Goloshchapov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, “Comprehensive study of the nanoporous si layer influence on atomic and electron structure and optical properties of A$^{\mathrm{III}}$N/por-Si heterostructures grown by plasma assisted molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:7 (2019),  1010–1016  mathnet  elib; Semiconductors, 53:7 (2019), 993–999 2
15. S. A. Kukushkin, A. M. Mizerov, A. S. Grashchenko, A. V. Osipov, E. V. Nikitina, S. N. Timoshnev, A. D. Bouravlev, M. S. Sobolev, “Photoelectric properties of GaN layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates and SiC/Si(111) epitaxial layers”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:2 (2019),  190–198  mathnet  elib; Semiconductors, 53:2 (2019), 180–187 4
16. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. N. Lukin, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, I. N. Arsent'ev, Harald Leiste, Monika Rinke, “Influence of a por-Si buffer layer on the optical properties of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures with a nanocolumnar film morphology”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:1 (2019),  70–76  mathnet  elib; Semiconductors, 53:1 (2019), 65–71
17. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, A. S. Len'shin, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, H. Leiste, M. Rinke, “Electronic and optical properties of hybrid GaN/por-Si(111) heterostructures”, Kvantovaya Elektronika, 49:6 (2019),  545–551  mathnet  elib [Quantum Electron., 49:6 (2019), 545–551  isi  scopus] 2
2018
18. P. V. Seredin, D. L. Goloshchapov, D. S. Zolotukhin, M. A. Kondrashin, A. S. Len'shin, Yu. Yu. Khudyakov, A. M. Mizerov, I. N. Arsent'ev, A. N. Beltyukov, Harald Leiste, M. Rinke, “Effect of a $por$-Si buffer layer on the structure and morphology of epitaxial In$_{x}$Ga$_{1-x}$N/Si(111) heterostructures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:13 (2018),  1553–1562  mathnet  elib; Semiconductors, 52:13 (2018), 1653–1661 2
19. A. M. Mizerov, S. N. Timoshnev, M. S. Sobolev, E. V. Nikitina, K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, I. V. Shtrom, A. D. Bouravlev, “Features of the initial stage of GaN growth on Si(111) substrates by nitrogen-plasma-assisted molecular-beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1425–1429  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1529–1533 18
20. Sergei Timoshnev, Andrey Mizerov, Maxim Sobolev, Ekaterina Nikitina, “Growth of GaN layers on Si(111) substrates by plasma-assisted molecular beam epitaxy”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:5 (2018),  524  mathnet  elib; Semiconductors, 52:5 (2018), 660–663 5
2017
21. K. Yu. Shubina, T. N. Berezovskaya, D. V. Mokhov, A. M. Mizerov, E. V. Nikitina, “The effect of nitridation parameters and initial growth conditions on the polarity of GaN epitaxial layers grown by plasma-assisted molecular-beam epitaxy on Si(111) substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:21 (2017),  47–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:11 (2017), 976–978 5
2015
22. A. M. Mizerov, P. N. Kladko, E. V. Nikitina, A. Yu. Egorov, “Control over the morphology of AlN during molecular beam epitaxy with the plasma activation of nitrogen on Si (111) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:2 (2015),  283–286  mathnet  elib; Semiconductors, 49:2 (2015), 274–277 3
2012
23. E. A. Shevchenko, V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, A. A. Sitnikova, S. V. Ivanov, A. A. Toropov, “Quantum-confined stark effect and localization of charge carriers in Al$_{0.3}$Ga$_{0.7}$N/Al$_{0.4}$Ga$_{0.6}$N quantum wells with different morphologies”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 46:8 (2012),  1022–1026  mathnet  elib; Semiconductors, 46:8 (2012), 998–1002 6
24. D. V. Nechaev, V. N. Zhmerik, A. M. Mizerov, P. S. Kop'ev, S. V. Ivanov, “RHEED monitoring of elastic stresses during MBE growth of group III nitride heterostructures”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:9 (2012),  96–102  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 443–445 4
25. M. R. Ainbund, A. N. Alekseev, O. V. Alymov, V. N. Zhmerik, L. V. Lapushkina, A. M. Mizerov, S. V. Ivanov, A. V. Pashuk, S. I. Petrov, “Solar-blind UV photocathodes based on AlGaN heterostructures with a 300- to 330-nm spectral sensitivity threshold”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:9 (2012),  88–95  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 439–442 35

Organisations