|
|
|
Publications in Math-Net.Ru |
Citations |
|
2014 |
| 1. |
Yu. S. Milovanov, G. V. Kuznetsov, V. A. Skryshevsky, S. M. Stupan, “Charge transport in Si-SiO$_2$ and Si-TiO$_2$ nanocomposite structures”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 48:10 (2014), 1370–1376   ; Semiconductors, 48:10 (2014), 1335–1341 |
1
|
| 2. |
A. I. Titarenko, D. A. Andrusenko, A. G. Kuz'mich, I. V. Gavril'chenko, V. A. Skryshevsky, N. V. Isaev, R. M. Burbelo, “Features of photoacoustic transformation in microporous nanocrystalline silicon”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 40:5 (2014), 8–14 ; Tech. Phys. Lett., 40:3 (2014), 188–191 |
13
|
|
2011 |
| 3. |
N. A. Davidenko, S. V. Dekhtyarenko, A. V. Kozinets, A. S. Lobach, E. V. Mokrinskaya, V. A. Skryshevsky, N. G. Spitsyna, S. L. Studzinsky, Tretyak, L. S. Tonkopieva, “Photoconducive and photodielectric properties of heterostructures composed of poly-$N$-epoxypropylcarbazole and MEH-PPV films with a zinc octabutylphthalocyanine additive”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 81:2 (2011), 103–107 ; Tech. Phys., 56:2 (2011), 259–263 |
7
|
|
1991 |
| 4. |
R. P. Komirenko, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky, V. I. Strikha, Ya. Kochka, I. Stukhlik, “Структуры $a$-Si : H/Si с перестраиваемой областью спектральной
чувствительности”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:11 (1991), 2034–2037 |
| 5. |
Yu. V. Vorob'ev, V. N. Zakharchenko, S. S. Kil'chitskaya, R. P. Komirenko, V. A. Skryshevsky, V. I. Strikha, “Неаддитивность и неустойчивость фототока квазиоднородных пленок
аморфного кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 25:2 (1991), 334–336 |
|
1990 |
| 6. |
V. A. Skryshevsky, S. V. Litvinenko, V. I. Strikha, “Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем
туннельно-прозрачного диэлектрика”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:10 (1990), 1886–1888 |
| 7. |
A. M. Voskoboinikov, V. V. Smolyar, V. A. Skryshevsky, V. I. Strikha, “Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М$-$ТД$-$П
структурах при инфракрасной подсветке”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 24:3 (1990), 413–417 |
|
1988 |
| 8. |
V. G. Popov, A. V. Sachenko, Yu. V. Kolomzarov, R. P. Komirenko, V. A. Skryshevsky, “К определению характерных длин собирания фототока
в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного
кремния”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 22:10 (1988), 1867–1870 |
|
1986 |
| 9. |
Yu. V. Vorob'ev, S. S. Kil'chitskaya, R. P. Komirenko, S. V. Litvinenko, V. A. Skryshevsky, V. I. Strikha, “Effects of Nonadditivity of Photocurrent Excitation in the Contact of Metal-Hydroginated Amorphous Silicon”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 20:4 (1986), 661–664 |
|
1984 |
| 10. |
O. V. Vakulenko, V. A. Skryshevsky, “On the Internal Quantum Yield of Impurity Photoconduction in Semi-Insulating Gallium Arsenide”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 18:1 (1984), 172–174 |
|
1983 |
| 11. |
O. V. Vakulenko, V. A. Skryshevsky, V. V. Teslenko, “Амфотерные свойства примеси хрома в арсениде галлия”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:8 (1983), 1446–1449 |
| 12. |
O. V. Vakulenko, A. I. Mikolenko, N. N. Novikov, V. A. Skryshevsky, “Фотоэлектрические свойства арсенида галлия с дислокационными
границами зерен”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 17:5 (1983), 881–884 |
|
| Organisations |
|
|
