Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Belorusov, Dmitry Aleksandrovich

Website: https://fireras.su/index.php?main=251/index.htm

https://www.mathnet.ru/eng/person182479
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2025
1. M. S. Afanasiev, D. A. Belorusov, D. A. Kiselev, V. A. Luzanov, G. V. Chucheva, “Надежность МДП-структур на основе пленок титаната бария стронция и оксида гафния”, Fizika Tverdogo Tela, 67:10 (2025),  1928–1931  mathnet
2. D. A. Belorusov, E. I. Goldman, G. V. Chucheva, “On the properties of the transition layer between the silicon substrate and the ferroelectric or high-k-dielectric insulating gap”, Fizika Tverdogo Tela, 67:5 (2025),  832–836  mathnet  elib
2023
3. M. S. Afanasiev, D. A. Belorusov, D. A. Kiselev, G. V. Chucheva, “Influence of the upper electrode material on the electrophysical properties of MDM structures based on ferroelectric films”, Fizika Tverdogo Tela, 65:6 (2023),  1060–1064  mathnet  elib
4. M. S. Afanasiev, D. A. Belorusov, D. A. Kiselev, V. A. Luzanov, G. V. Chucheva, “Formation and study of metal-insulator-semiconductor structures based on hafnium oxide films”, Fizika Tverdogo Tela, 65:4 (2023),  572–576  mathnet  elib
2022
5. D. A. Belorusov, E. I. Goldman, G. V. Chucheva, “The effect of a strong static electric field and heating on characteristics of the high-frequency impedance of metal–ferroelectric–semiconductor structures”, Fizika Tverdogo Tela, 64:5 (2022),  556–559  mathnet  elib
2021
6. S. M. Afanas'ev, D. A. Belorusov, D. A. Kiselev, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “The influence of the PZT buffer layer on electrophysical properties of MDM structures with the BST film”, Fizika Tverdogo Tela, 63:11 (2021),  1895–1900  mathnet  elib
7. D. A. Belorusov, E. I. Goldman, G. V. Chucheva, “A weak manifestation of the field effect in metal-dielectric-semiconductor structures with a ferroelectric insulating layer Ba$_{x}$Sr$_{1-x}$TiO$_{3}$”, Fizika Tverdogo Tela, 63:11 (2021),  1887–1889  mathnet  elib 2
8. D. A. Belorusov, E. I. Goldman, V. G. Naryshkina, G. V. Chucheva, “Silicon ultrathin oxide (4.2 nm) – polysilicon structures resistant to field damages”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:1 (2021),  24–27  mathnet  elib; Semiconductors, 55:1 (2021), 21–24 5
2020
9. M. S. Afanasiev, D. A. Belorusov, D. A. Kiselev, A. A. Sivov, G. V. Chucheva, “Dependence of the electrophysical characteristics of metal–ferroelectric–semiconductor structures on the field-electrode material”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 54:11 (2020),  1219–1223  mathnet  elib; Semiconductors, 54:11 (2020), 1445–1449

Organisations