Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Rykov, Artem Vladimirovich

https://www.mathnet.ru/eng/person183448
List of publications on Google Scholar

Publications in Math-Net.Ru Citations
2023
1. I. V. Samartsev, B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, A. B. Chigineva, K. S. Zhidyaev, N. V. Dikareva, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, S. M. Plankina, A. V. Nezhdanov, A. V. Ershov, “MOCVD growth of InGaAs metamorphic heterostructures for photodiodes with low dark current”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 57:6 (2023),  495–500  mathnet  elib
2021
2. A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, A. I. Andrianov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, R. N. Kriukov, N. V. Baidus, D. V. Yurasov, A. V. Rykov, “Comparison of À$^{\mathrm{III}}$Â$^{\mathrm{V}}$ heterostructures grown on Ge/Si, Ge/SOI, and GaAs”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:11 (2021),  978–988  mathnet  elib
3. A. V. Rykov, R. N. Kriukov, I. V. Samartsev, P. A. Yunin, V. G. Shengurov, A. V. Zaitsev, N. V. Baidus, “Effect of the algaas seed layer composition on antiphase domains formation in (Al)GaAs structures grown by vapor-phase epitaxy on Ge/Si(100) substrates”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 47:8 (2021),  37–40  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 413–416 1
2019
4. A. A. Sushkov, D. A. Pavlov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, N. V. Baidus, A. V. Rykov, R. N. Kriukov, “Studies of the cross section and photoluminescence of a GaAs layer grown on a Si/Al$_{2}$O$_{3}$ substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:9 (2019),  1271–1274  mathnet  elib; Semiconductors, 53:9 (2019), 1242–1245 1
2018
5. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. G. Reunov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, “On the application of strain-compensating GaAsP layers for the growth of InGaAs/GaAs quantum-well laser heterostructures emitting at wavelengths above 1100 nm on artificial Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:12 (2018),  1443–1446  mathnet  elib; Semiconductors, 52:12 (2018), 1547–1550 3
6. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, O. V. Vikhrova, A. A. Dubinov, B. N. Zvonkov, Z. F. Krasil'nik, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, D. V. Yurasov, “Stimulated emission at 1.3-$\mu$m wavelength in metamorphic InGaAs/InGaAsP structure with quantum wells grown on Ge/Si (001) substrate”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 44:16 (2018),  67–74  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 44:8 (2018), 735–738
2017
7. E. I. Malysheva, M. V. Dorokhin, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Rykov, M. V. Ved, Yu. A. Danilov, “Control of circular polarization of electroluminescence in spin light-emitting diodes based on InGaAs/GaAs/$\delta$ $\langle$Mn$\rangle$ heterostructures”, Fizika Tverdogo Tela, 59:11 (2017),  2142–2147  mathnet  elib; Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2162–2167 1
8. M. V. Dorokhin, M. V. Ved, P. B. Demina, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, A. V. Rykov, Yu. M. Kuznetsov, “Methods for spin injection managing in InGaAs/GaAs/Al$_{2}$O$_{3}$/CoPt spin light-emitting diodes”, Fizika Tverdogo Tela, 59:11 (2017),  2135–2141  mathnet  elib; Phys. Solid State, 59:11 (2017), 2155–2161 5
9. M. V. Dorokhin, S. V. Zaitsev, A. V. Rykov, A. V. Zdoroveyshchev, E. I. Malysheva, Yu. A. Danilov, V. I. Zubkov, D. S. Frolov, G. E. Yakovlev, A. V. Kudrin, “Heterostructures with InGaAs/GaAs quantum dots doped with transition elements: II. Study of the circularly polarized luminescence”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 87:10 (2017),  1539–1544  mathnet  elib; Tech. Phys., 62:10 (2017), 1545–1550 4
10. N. V. Baidus, V. Ya. Aleshkin, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, D. A. Pavlov, A. V. Rykov, A. A. Sushkov, M. V. Shaleev, P. A. Yunin, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, Z. F. Krasil'nik, “Peculiarities of growing InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures by MOCVD on Ge/Si substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1579–1582  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1527–1530 5
11. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, K. E. Kudryavtsev, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, I. V. Samartsev, A. G. Fefelov, D. V. Yurasov, Z. F. Krasil'nik, “Technology of the production of laser diodes based on GaAs/InGaAs/AlGaAs structures grown on a Ge/Si substrate”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1530–1533  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1477–1480 4
12. V. Ya. Aleshkin, N. V. Baidus, A. A. Dubinov, Z. F. Krasil'nik, S. M. Nekorkin, A. V. Novikov, A. V. Rykov, D. V. Yurasov, A. N. Yablonskii, “On the stimulated emission of InGaAs/GaAs/AlGaAs laser structures grown by MOCVD on exact and inclined Ge/Si(001) substrates”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:5 (2017),  695–698  mathnet  elib; Semiconductors, 51:5 (2017), 663–666 6
2016
13. A. V. Rykov, M. V. Dorokhin, E. I. Malysheva, P. B. Demina, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, “Effect of the dopant concentration on the luminescence properties of InGaAs/GaAs spin light-emitting diodes with a mn $\delta$ layer”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 50:1 (2016),  3–8  mathnet  elib; Semiconductors, 50:1 (2016), 1–7 2

Organisations