Persons
RUS  ENG    JOURNALS   PEOPLE   ORGANISATIONS   CONFERENCES   SEMINARS   VIDEO LIBRARY   PACKAGE AMSBIB  
 
Dmitriev, Dmitry Vladimirovich

https://www.mathnet.ru/eng/person56803
List of publications on Google Scholar
https://elibrary.ru/author_items.asp?authorid=113383
https://www.researchgate.net/profile/Дмитриев Дмитрий Владимирович

Publications in Math-Net.Ru Citations
2024
1. D. Yu. Protasov, P. P. Kamesh, K. A. Svit, D. V. Dmitriev, A. A. Makeeva, E. M. Rzaev, K. S. Zhuravlev, “The electrochemical profiling of $n^+/n$ GaAs structures for field-effect transistors”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 58:1 (2024),  53–61  mathnet  elib; Semiconductors, 58:3 (2024), 254–262
2022
2. D. A. Kolosovsky, D. V. Dmitriev, S. A. Ponomarev, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “Determination of the flow and activation energy of phosphorus desorption during annealing of an InP(001) substrate in an arsenic flux under molecular beam epitaxy conditions”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 56:7 (2022),  646–650  mathnet  elib
3. M. S. Aksenov, E. R. Zakirov, A. P. Kovchavtsev, A. E. Nastovjak, D. V. Dmitriev, “Determination of the donor impurity concentration in thin $i$-InGaAs layers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 48:21 (2022),  40–42  mathnet  elib
4. D. Yu. Protasov, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, G. I. Ayzenshtat, A. Yu. Yushchenko, A. B. Pashkovskii, “AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures for pHEMT switching transistors”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 48:17 (2022),  20–23  mathnet  elib
5. D. V. Gulyaev, D. A. Kolosovsky, D. V. Dmitriev, A. K. Gutakovskii, E. A. Kolosovskii, K. S. Zhuravlev, “InGaAlAs/InAlAs heterostructures for electro-absorption modulator”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 48:13 (2022),  37–41  mathnet  elib
2021
6. D. V. Gulyaev, D. V. Dmitriev, N. V. Fateev, D. Yu. Protasov, A. S. Kozhukhov, K. S. Zhuravlev, “GaAs/AlGaAs- and InGaAs/AlGaAs heterostructures for high-power semiconductor infrared emitters”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:11 (2021),  1727–1731  mathnet  elib
7. K. S. Zhuravlev, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. S. Aksenov, A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, “High-power microwave photodiodes based on MBE-grown InAlAs/InGaAs heterostructures”, Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 91:7 (2021),  1158–1163  mathnet  elib; Tech. Phys., 66:9 (2021), 1072–1077  scopus 4
8. D. V. Dmitriev, D. A. Kolosovsky, E. V. Fedosenko, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “Substitution of phosphorus at the InP(001) surface upon annealing in an arsenic flux”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 55:10 (2021),  877–881  mathnet; Semiconductors, 55:11 (2021), 823–837 5
2020
9. A. P. Kovchavtsev, M. S. Aksenov, A. E. Nastovjak, N. A. Valisheva, D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, D. V. Dmitriev, “Study of the density of interface states at the insulator/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As interface”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 46:10 (2020),  10–13  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 469–472
2019
10. I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. von Helversen, C. de la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Non-classical light sources based on selectively positioned deterministic microlenses structures and (111) In(Ga)As quantum dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 53:10 (2019),  1338–1342  mathnet  elib; Semiconductors, 53:10 (2019), 1304–1307 3
11. A. L. Chizh, K. B. Mikitchuk, K. S. Zhuravlev, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, N. A. Valisheva, M. S. Aksenov, A. M. Gilinskii, I. B. Chistokhin, “High-power high-speed Schottky photodiodes for analog fiber-optic microwave signal transmission lines”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:14 (2019),  52–54  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:7 (2019), 739–741 12
12. I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, I. V. Marchishin, A. I. Toropov, K. S. Zhuravlev, “The influence of the InAlAs layer surface morphology on the temperature dependence of parameters of Au/Ti/$n$-InAlAs (001) Schottky diodes”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 45:4 (2019),  59–62  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 180–184 2
2018
13. I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, M. Von Helversen, C. De la Haye, S. Bounouar, S. Reitzenstein, “Spectroscopy of single AlInAs and (111)-oriented InGaAs quantum dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 52:11 (2018),  1326–1330  mathnet  elib; Semiconductors, 52:11 (2018), 1437–1441 1
2017
14. A. V. Gaisler, I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, A. S. Kozhukhov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “AlInAs quantum dots”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 105:2 (2017),  93–99  mathnet  elib; JETP Letters, 105:2 (2017), 103–109  isi  scopus 5
15. I. A. Derebezov, V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. Fischbach, A. Schlehahn, A. Kaganskiy, T. Heindel, S. Bounouar, S. Rodt, S. Reitzenstein, “Subminiature emitters based on a single (111) In(Ga)As quantum dot and hybrid microcavity”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 51:11 (2017),  1451–1455  mathnet  elib; Semiconductors, 51:11 (2017), 1399–1402
16. I. B. Chistokhin, M. S. Aksenov, N. A. Valisheva, D. V. Dmitriev, K. S. Zhuravlev, A. A. Guzev, “Features of current flow in structures based on Au/Ti/$n$-InAlAs Schottky barriers”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 43:12 (2017),  83–89  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 581–583
2015
17. V. A. Gaisler, A. V. Gaisler, A. S. Yaroshevich, I. A. Derebezov, M. M. Kachanova, Yu. A. Zhivodkov, T. A. Gavrilova, A. S. Medvedev, L. A. Nenasheva, K. V. Grachev, V. K. Sandyrev, A. S. Kozhukhov, V. M. Shayakhmetov, A. K. Kalagin, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, D. V. Shcheglov, A. V. Latyshev, A. L. Aseev, “Efficient single-photon emitters based on Bragg microcavities containing selectively positioned InAs quantum dots”, Fizika i Tekhnika Poluprovodnikov, 49:1 (2015),  35–40  mathnet  elib; Semiconductors, 49:1 (2015), 33–38 4
2014
18. A. A. Lyamkina, S. P. Moshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, T. S. Shamirzaev, “Exciton-plasmon interaction in hybrid quantum dot/metal cluster structures fabricated by molecular-beam epitaxy”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 99:4 (2014),  245–249  mathnet  elib; JETP Letters, 99:4 (2014), 219–223  isi  elib  scopus 7
2013
19. Z. D. Kvon, D. A. Kozlov, S. N. Danilov, C. Zoth, P. Vierling, S. Stachel, V. V. Bel'kov, A. K. Bakarov, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. D. Ganichev, “Terahertz radiation-induced magnetoresistance oscillations of a high-density and high-mobility two-dimensional electron gas”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 97:1 (2013),  45–48  mathnet  elib; JETP Letters, 97:1 (2013), 41–44  isi  elib  scopus 16
2012
20. D. V. Dmitriev, I. S. Strygin, A. A. Bykov, S. Dietrich, S. A. Vitkalov, “Transport relaxation time and quantum lifetime in selectively doped GaAs/AlAs heterostructures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 95:8 (2012),  467–471  mathnet  elib; JETP Letters, 95:8 (2012), 420–423  isi  elib  scopus 23
21. O. E. Tereshchenko, A. G. Paulish, M. A. Neklyudova, T. S. Shamirzaev, A. S. Yaroshevich, I. P. Prosvirin, I. E. Zhaksylykova, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. N. Varnakov, M. V. Rautskii, N. V. Volkov, S. G. Ovchinnikov, A. V. Latyshev, “Forming interface in Pd/Fe/GaAs/InGaAs structure for optical detector of free-electron spin”, Pisma v Zhurnal Tekhnicheskoi Fiziki, 38:1 (2012),  27–36  mathnet  elib; Tech. Phys. Lett., 38:1 (2012), 12–16 2
2011
22. T. S. Shamirzaev, D. V. Dmitriev, L. L. Sveshnikova, P. Tronc, “Nonradiative exciton transfer by the Förster mechanism from InAs/AlAs quantum dots to dye molecules in hybrid structures”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 94:10 (2011),  828–831  mathnet  elib; JETP Letters, 94:10 (2011), 764–767  isi  elib  scopus 4
23. O. E. Tereshchenko, D. V. Dmitriev, A. I. Toropov, S. V. Eremeev, S. E. Kul'kova, “Surfactant properties of cesium in molecular beam epitaxy of GaAs(100)”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 93:10 (2011),  647–652  mathnet; JETP Letters, 93:10 (2011), 585–590  isi  scopus
2007
24. Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Role of lateral interaction in the homoepitaxy of GaAs on the (001)-$\beta(2\times 4)$ surface”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 86:7 (2007),  553–557  mathnet; JETP Letters, 86:7 (2007), 482–486  isi  scopus 9
2006
25. Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Asymmetric <i>c</i>(4×4) → γ(2×4) reconstruction phase transition on the (001)GaAs surface”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 84:9 (2006),  596–600  mathnet; JETP Letters, 84:9 (2006), 505–508  isi  scopus 9
2005
26. Yu. G. Galitsyn, D. V. Dmitriev, V. G. Mansurov, S. P. Moshchenko, A. I. Toropov, “Critical phenomena in the β-(2×4) → α-(2×4) reconstruction transition on the (001) GaAs surface”, Pis'ma v Zh. Èksper. Teoret. Fiz., 81:12 (2005),  766–770  mathnet; JETP Letters, 81:12 (2005), 629–633  isi  scopus 12

Organisations