|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2015 |
| 1. |
А. К. Федотов, И. А. Свито, В. В. Федотова, А. Г. Трафименко, А. Л. Данилюк, С. Л. Прищепа, “Низкотемпературная проводимость кремния легированного сурьмой”, Физика и техника полупроводников, 49:6 (2015), 721–727   ; A. K. Fedotov, I. A. Svito, V. V. Fedotova, A. G. Trafimenko, A. L. Danilyuk, S. L. Prishchepa, “Low-temperature conductivity of silicon doped with antimony”, Semiconductors, 49:6 (2015), 705–711 |
2
|
|
2001 |
| 2. |
В. В. Углов, В. М. Анищик, В. В. Асташинский, В. М. Асташинский, С. И. Ананин, В. В. Аскерко, Е. А. Костюкевич, А. М. Кузьмицкий, Н. Т. Квасов, А. Л. Данилюк, “Формирование субмикронных цилиндрических структур при воздействии на поверхность кремния компрессионным плазменным потоком”, Письма в ЖЭТФ, 74:4 (2001), 234–236 ; V. V. Uglov, V. M. Anishchik, V. V. Astashinskii, V. M. Astashynski, S. I. Ananin, V. V. Askerko, E. A. Kostyukevich, A. M. Kuzmitski, N. T. Kvasov, A. L. Danilyuk, “Formation of submicron cylindrical structures at silicon surface exposed to a compression plasma flow”, JETP Letters, 74:4 (2001), 213–215  |
23
|
|
