|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
А. Б. Давыдов, Л. Н. Овешников, А. В. Суслов, А. И. Риль, С. Ф. Маренкин, Б. А. Аронзон, “Сверхпроводимость в тонких пленках дираковского полуметалла Cd$_{3}$As$_{2}$”, Физика твердого тела, 62:3 (2020), 369–372   ; A. B. Davydov, L. N. Oveshnikov, A. V. Suslov, A. I. Ril, S. F. Marenkin, B. A. Aronzon, “Superconductivity in thin films of the Dirac semimetal Cd$_{3}$As$_{2}$”, Phys. Solid State, 62:3 (2020), 419–422 |
4
|
|
2019 |
| 2. |
A. V. Kochura, L. N. Oveshnikov, A. P. Kuzmenko, A. B. Davydov, S. Yu. Gavrilkin, V. S. Zakhvalinskii, V. A. Kulbachinskii, N. A. Khokhlov, B. A. Aronzon, “Vapor-phase synthesis and magnetoresistance of (Cd$_{1-x}$Zn$_x$)$_3$As$_2$ ($x=0.007$) single crystals”, Письма в ЖЭТФ, 109:3 (2019), 174–175   ; JETP Letters, 109:3 (2019), 175–179 |
9
|
| 3. |
А. Б. Мехия, А. А. Казаков, Л. Н. Овешников, А. Б. Давыдов, А. И. Риль, С. Ф. Маренкин, Б. А. Аронзон, “Квантовые поправки и магнитотранспорт в пленках 3D дираковского полуметалла Cd$_{3-x}$Mn$_{x}$As$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 53:11 (2019), 1479–1484 ; A. B. Mejia, A. A. Kazakov, L. N. Oveshnikov, A. B. Davydov, A. I. Ril, S. F. Marenkin, B. A. Aronzon, “Quantum corrections and magnetotransport in 3D Dirac semimetal Cd$_{3-x}$Mn$_{x}$As$_{2}$ films”, Semiconductors, 53:11 (2019), 1439–1444 |
11
|
|
2018 |
| 4. |
А. Ю. Вдовиченко, Л. Н. Овешников, А. С. Орехов, С. А. Завьялов, Б. А. Аронзон, С. Н. Чвалун, “Прыжковая проводимость в нанокомпозитах поли-$n$-ксилилен-Fe”, Письма в ЖТФ, 44:19 (2018), 79–86 ; A. Yu. Vdovichenko, L. N. Oveshnikov, A. S. Orekhov, S. A. Zav'yalov, B. A. Aronzon, S. N. Chvalun, “Hopping conductivity in poly($p$-xylylene)–Fe nanocomposites”, Tech. Phys. Lett., 44:10 (2018), 890–893 |
1
|
|
2017 |
| 5. |
Л. Н. Овешников, В. А. Прудкогляд, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, Б. А. Аронзон, “Квантовые поправки к проводимости и анизотропия магнетосопротивления тонких пленок Bi$_2$Se$_3$, легированных Eu”, Письма в ЖЭТФ, 106:8 (2017), 506–514 ; L. N. Oveshnikov, V. A. Prudkoglyad, Yu. G. Selivanov, E. G. Chizhevskii, B. A. Aronzon, “Quantum corrections to the conductivity and anisotropy of the magnetoresistance in Eu-doped Bi$_2$Se$_3$ thin films”, JETP Letters, 106:8 (2017), 526–533 |
6
|
| 6. |
Л. Н. Овешников, Е. И. Нехаева, “Квантовые поправки к проводимости и аномальный эффект Холла в квантовых ямах InGaAs с пространственно отделенной примесью Mn”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1364–1371 ; L. N. Oveshnikov, E. I. Nekhaeva, “Quantum corrections to the conductivity and anomalous Hall effect in InGaAs quantum wells with a spatially separated Mn impurity”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1313–1320 |
6
|
|
2016 |
| 7. |
Л. Н. Овешников, В. А. Прудкогляд, Е. И. Нехаева, А. Ю. Кунцевич, Ю. Г. Селиванов, Е. Г. Чижевский, Б. А. Аронзон, “Магнетотранспорт в тонких эпитаксиальных пленках Bi$_{2}$Se$_{3}$”, Письма в ЖЭТФ, 104:9 (2016), 651–657 ; L. N. Oveshnikov, V. A. Prudkoglyad, E. I. Nekhaeva, A. Yu. Kuntsevich, Yu. G. Selivanov, E. G. Chizhevskii, B. A. Aronzon, “Magnetotransport in thin epitaxial Bi$_{2}$Se$_{3}$ films”, JETP Letters, 104:9 (2016), 629–634 |
10
|
|
2015 |
| 8. |
Е. И. Яковлева, Л. Н. Овешников, А. В. Кочура, К. Г. Лисунов, Е. Лахдеранта, Б. А. Аронзон, “Аномальный эффект Холла в разбавленном магнитном полупроводнике
In$_{1-x}$Mn$_{x}$Sb с кластерами MnSb”, Письма в ЖЭТФ, 101:2 (2015), 136–142 ; E. I. Yakovleva, L. N. Oveshnikov, A. V. Kochura, K. G. Lisunov, E. Lahderanta, B. A. Aronzon, “Anomalous hall effect in the In$_{1-x}$Mn$_{x}$Sb dilute magnetic semiconductor with MnSb inclusions”, JETP Letters, 101:2 (2015), 130–135 |
16
|
| 9. |
В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, С. С. Пушкарев, П. П. Мальцев, “Влияние конструкции буфера и ориентации подложки на подвижности электронов в метаморфных структурах In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 49:7 (2015), 942–950 ; V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, S. S. Pushkarev, P. P. Maltsev, “Influence of buffer-layer construction and substrate orientation on the electron mobilities in metamorphic In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As/In$_{0.76}$Ga$_{0.24}$As/In$_{0.70}$Al$_{0.30}$As structures on GaAs substrates”, Semiconductors, 49:7 (2015), 921–929 |
7
|
| 10. |
В. А. Кульбачинский, Л. Н. Овешников, Р. А. Лунин, Н. А. Юзеева, Г. Б. Галиев, Е. А. Климов, П. П. Мальцев, “Экспериментальное определение эффективных масс и подвижностей электронов в каждой из подзон размерного квантования в квантовой яме In$_x$Ga$_{1-x}$As со вставками InAs”, Физика и техника полупроводников, 49:2 (2015), 204–213 ; V. A. Kul'bachinskii, L. N. Oveshnikov, R. A. Lunin, N. A. Yuzeeva, G. B. Galiev, E. A. Klimov, P. P. Maltsev, “Experimental determination of the electron effective masses and mobilities in each dimensionally-quantized subband in an In$_x$Ga$_{1-x}$As quantum well with InAs inserts”, Semiconductors, 49:2 (2015), 199–208 |
14
|
|
2014 |
| 11. |
Л. Н. Овешников, В. А. Кульбачинский, А. Б. Давыдов, Б. А. Аронзон, “Аномальный эффект Холла в 2D-гетероструктуре: квантовая яма
GaAs/InGaAs/GaAs с отдаленным $\delta$-слоем Mn”, Письма в ЖЭТФ, 100:9 (2014), 648–653 ; L. N. Oveshnikov, V. A. Kul'bachinskii, A. B. Davydov, B. A. Aronzon, “Anomalous hall effect in a 2D heterostructure including a GaAs/InGaAs/GaAs quantum well with a remote Mn $\delta$-layer”, JETP Letters, 100:9 (2014), 570–575 |
8
|
|
