|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, И. В. Алтухов, Н. Б. Родионов, А. П. Большаков, В. Г. Ральченко, Р. А. Хмельницкий, “Особенности проводимости номинально нелегированного монокристаллического CVD алмаза”, Письма в ЖЭТФ, 121:3 (2025), 235–239  ; M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khvalkovskiy, I. V. Altukhov, N. B. Rodionov, A. P. Bol'shakov, V. G. Ral'chenko, R. A. Khmel'nitskiy, “Features of the conductivity of nominally undoped single-crystal CVD diamond”, JETP Letters, 121:3 (2025), 220–224 |
|
2018 |
| 2. |
I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, N. A. Khval'kovskiy, S. K. Paprotskiy, I. S. Vasil'evskii, A. N. Vinichenko, “Transport in short-period GaAs/AlAs superlattices with electric domains”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 472  ; Semiconductors, 52:4 (2018), 473–477 |
1
|
|
2016 |
| 3. |
И. В. Алтухов, С. Е. Дижур, М. С. Каган, С. К. Папроцкий, Н. А. Хвальковский, А. Д. Буравлев, А. П. Васильев, Ю. М. Задиранов, Н. Д. Ильинская, А. А. Усикова, В. М. Устинов, “Влияние ТГц-резонатора на проводимость короткопериодных сверхрешеток GaAs/AlAs”, Письма в ЖЭТФ, 103:2 (2016), 128–131 ; I. V. Altukhov, S. E. Dizhur, M. S. Kagan, S. K. Paprotskiy, N. A. Khval'kovskii, A. D. Buravlev, A. P. Vasil'ev, Yu. M. Zadiranov, N. D. Il'inskaya, A. A. Usikova, V. M. Ustinov, “Effect of a terahertz cavity on the conductivity of short-period GaAs/AlAs superlattices”, JETP Letters, 103:2 (2016), 122–124   |
19
|
|
2015 |
| 4. |
В. А. Гергель, И. В. Алтухов, А. В. Верховцева, Г. Б. Галиев, Н. М. Горшкова, А. П. Зеленый, Э. А. Ильичев, В. С. Минкин, С. К. Папроцкий, “Термоинжекционная электрическая неустойчивость в мультибарьерных гетероструктурах. Теоретическая модель и экспериментальные результаты”, ЖТФ, 85:7 (2015), 83–86 ; V. A. Gergel, I. V. Altukhov, A. V. Verkhovtseva, G. B. Galiev, N. M. Gorshkova, A. P. Zelenyi, E. A. Il'ichev, V. S. Minkin, S. K. Paprotskii, “Electrical instability against thermal injection in multibarrier heterostructures: Theoretical model and experimental data”, Tech. Phys., 60:7 (2015), 1027–1030 |
1
|
|
2014 |
| 5. |
В. А. Гергель, И. В. Алтухов, А. В. Верховцева, Г. Б. Галиев, Н. М. Горшкова, С. С. Жигальцов, А. П. Зеленый, Э. А. Ильичев, В. С. Минкин, С. К. Папроцкий, М. Н. Якупов, “Аналитическая модель механизма электрической неустойчивости в мультибарьерных гетероструктурах с туннельно-непрозрачными барьерами”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 481–486 ; V. A. Gergel, I. V. Altukhov, A. V. Verkhovtseva, G. B. Galiev, N. M. Gorshkova, S. S. Zhigaltsov, A. P. Zelenyi, E. A. Il'ichev, V. S. Minkin, S. K. Paprotskii, M. N. Yakupov, “Analytical model of the electrical instability mechanism in multibarrier heterostructures with tunnel-opaque barriers”, Semiconductors, 48:4 (2014), 465–470 |
4
|
|
2013 |
| 6. |
М. С. Каган, И. В. Алтухов, А. Н. Баранов, Н. Д. Ильинская, С. К. Папроцкий, Р. Тесье, А. А. Усикова, “Проявление эффекта Пёрселла в проводимости короткопериодных сверхрешеток InAs/AlSb”, Физика и техника полупроводников, 47:11 (2013), 1489–1492 ; M. S. Kagan, I. V. Altukhov, A. N. Baranov, N. D. Il'inskaya, S. K. Paprotskii, R. Teissier, A. A. Usikova, “Manifestation of the Purcell effect in the conductivity of InAs/AlSb short-period superlattices”, Semiconductors, 47:11 (2013), 1478–1480 |
2
|
|
