Старший научный сотрудник Физико-технологического института РАН. В 2006 году окончил Московский физико-технический институт, в 2009 г. защитил кандидатскую диссертацию. Область научных интересов: high-k диэлектрики, контактные системы для МОП-транзисторов, атомно-силовая микроскопия, CV-метрия.
А. Г. Исаев, О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин, “Исследование свойств филаментов в структурах на основе HfO$_2$ при помощи атомно-силовой микроскопии с измерением проводимости”, ЖТФ, 93:8 (2023), 1143–1151
О. О. Пермякова, А. Е. Рогожин, А. В. Мяконьких, К. В. Руденко, “Деградация значения сопротивления в низкоомном состоянии в структуре на основе HfO$_2$/HfO$_X$N$_Y$”, Физика и техника полупроводников, 57:6 (2023), 451–454
2017
3.
A. E. Rogozhin, M. A. Bruk, E. N. Zhikharev, F. A. Sidorov, “Nanophotonic structure formation by dry e-beam etching of the resist: resolution limitation origins”, Компьютерная оптика, 41:4 (2017), 499–503
М. А. Брук, Е. Н. Жихарев, Д. Р. Стрельцов, В. А. Кальнов, А. В. Спирин, А. Е. Рогожин, “Некоторые особенности нового метода формирования микрорельефа путём прямого электронно-лучевого травления резиста”, Компьютерная оптика, 39:2 (2015), 204–210
Е. А. Богоявленская, В. И. Рудаков, Ю. И. Денисенко, В. В. Наумов, А. Е. Рогожин, “Формирование затворных структур типа W/HfO$_2$/Si магнетронным распылением in situ и быстрым термическим отжигом”, ЖТФ, 84:5 (2014), 82–87; E. A. Bogoyavlenskaya, V. I. Rudakov, Yu. I. Denisenko, V. V. Naumov, A. E. Rogozhin, “Formation of W/HfO$_2$/Si gate structures using in situ magnetron sputtering and rapid thermal annealing”, Tech. Phys., 59:5 (2014), 711–715
