|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
В. С. Хорошилов, Г. Э. Шайблер, Д. М. Казанцев, С. А. Рожков, В. Л. Альперович, “Перенос фотоэлектронов через границу $p$-GaAs(Cs, O)–вакуум с положительным и отрицательным электронным сродством”, Физика и техника полупроводников, 58:5 (2024), 227–232   |
|
2023 |
| 2. |
В. С. Хорошилов, Д. М. Казанцев, С. А. Рожков, В. Л. Альперович, “Фотоэдс на поверхности сильнолегированного $p^+$-GaAs с адсорбированными слоями цезия и кислорода”, Письма в ЖТФ, 49:21 (2023), 24–28 |
|
2018 |
| 3. |
В. В. Бакин, С. Н. Косолобов, С. А. Рожков, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Атомные перестройки и фотоэмиссионные процессы на интерфейсе р-GaN(Cs)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 108:3 (2018), 180–184 ; V. V. Bakin, S. N. Kosolobov, S. A. Rozhkov, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, “Atomic rearrangements and photoemission processes at a $p$-GaN(Cs)-vacuum interface”, JETP Letters, 108:3 (2018), 180–184   |
2
|
|
2016 |
| 4. |
С. А. Рожков, В. В. Бакин, Д. В. Горшков, С. Н. Косолобов, Г. Э. Шайблер, А. С. Терехов, “Испускание фотоэлектронами каскада оптических фононов на интерфейсе p-GaN (Cs,O)-вакуум”, Письма в ЖЭТФ, 104:2 (2016), 128–132 ; S. A. Rozhkov, V. V. Bakin, D. V. Gorshkov, S. N. Kosolobov, H. E. Sheibler, A. S. Terekhov, “Optical phonon cascade emission by photoelectrons at a p-GaN (Cs,O)-vacuum interface”, JETP Letters, 104:2 (2016), 135–139 |
6
|
|
