|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
М. Ю. Есин, А. И. Никифоров, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, И. Д. Лошкарев, А. С. Дерябин, О. П. Пчеляков, “Формирование ступенчатой поверхности Si(100) и ее влияние на рост островков Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:3 (2018), 409–413   ; M. Yu. Yesin, A. I. Nikiforov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, I. D. Loshkarev, A. S. Deryabin, O. P. Pchelyakov, “Formation of a stepped Si(100) surface and its effect on the growth of Ge islands”, Semiconductors, 52:3 (2018), 390–393 |
|
2017 |
| 2. |
В. А. Володин, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, “Расщепление частот оптических фононов в растянутых слоях германия”, Письма в ЖЭТФ, 105:5 (2017), 305–310 ; V. A. Volodin, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, “Splitting of frequencies of optical phonons in tensile-strained germanium layers”, JETP Letters, 105:5 (2017), 327–331   |
16
|
| 3. |
А. А. Блошкин, А. И. Якимов, В. А. Тимофеев, А. Р. Туктамышев, А. И. Никифоров, В. В. Мурашов, “Разрывы валентной зоны в напряженных слоях SiGeSn/Si с различным содержанием олова”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 342–347 ; A. A. Bloshkin, A. I. Yakimov, V. A. Timofeev, A. R. Tuktamyshev, A. I. Nikiforov, V. V. Murashov, “Valence-band offsets in strained SiGeSn/Si layers with different tin contents”, Semiconductors, 51:3 (2017), 329–334 |
3
|
|
2016 |
| 4. |
В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, А. Р. Туктамышев, М. Ю. Есин, В. И. Машанов, А. К. Гутаковский, Н. А. Байдакова, “Напряженные многослойные структуры с псевдоморфными слоями GeSiSn”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1610–1614 ; V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, A. R. Tuktamyshev, M. Yu. Yesin, V. I. Mashanov, A. K. Gutakovskii, N. A. Baidakova, “Strained multilayer structures with pseudomorphic GeSiSn layers”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1584–1588 |
5
|
|
2015 |
| 5. |
А. Р. Туктамышев, В. И. Машанов, В. А. Тимофеев, А. И. Никифоров, С. А. Тийс, “Начальные стадии роста тройных соединений Si–Ge–Sn, выращенных на Si(100) методом низкотемпературной МЛЭ”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1630–1634 ; A. R. Tuktamyshev, V. I. Mashanov, V. A. Timofeev, A. I. Nikiforov, S. A. Teys, “Initial growth stages of Si–Ge–Sn ternary alloys grown on Si (100) by low-temperature molecular-beam epitaxy”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1582–1586 |
3
|
|
