термомиграция,
нормальный и тангенциальный градиенты,
моделирование,
охранное кольцо.
Основные темы научной работы
Применение метода термомиграции для создания приборов твердотельной электроники
Основные публикации:
Лозовский В.Н., Полухин А.С., Середин Б.М., Технология силовых кремниевых приборов на основе термомиграции, Терра-Дон, Ростов-на-Дону, 2016
V.V. Kuznetsov, V.N. Lozovskii, V.P. Popov, E.R. Rubtsov, B.M. Seredin, “Kinetics in the Si–Al–Ga and Si–Al–Sn Systems”, Inorganic Materials, 54:1 (2018), 32-36
Knyazev, S.Y., Lozovskii, V.N., Lozovskii, B.M. Seredin, “Manifestations of induced instability of phase boundaries during thermomigration”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1045-1048
Lozovskiy, V.N., Seredin, B.M., Arkhipova, N.Yu., “Local Doping of Semiconductor Crystals by Thermomigration”, Materials Engineering and Technologies for Production and Processing, Materials Science Forum, 843, 2016, 46-52
Sysoev I.A., Lunina M.L., Alfimova D.L., Blagin A.V., Gusev D.A., Seredin B.M., “Growth of GaxIn1-x AsyP1-y /GaAs Quantum dot arrays by ion beam deposition”, Inorganic Materials, 50:3 (2014), 215-221
Б. М. Середин, В. П. Попов, А. В. Малибашев, А. Д. Степченко, А. Н. Заиченко, “Использование углерода для формирования дискретных зон на основе алюминия при их термомиграции в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 302–305
2.
М. А. Тарасов, А. А. Ломов, А. М. Чекушкин, А. А. Татаринцев, Б. М. Середин, М. А. Маркина, Е. Ф. Позднякова, А. Д. Голованова, М. В. Стрелков, Д. С. Жогов, Р. К. Козулин, К. Ю. Арутюнов, “Морфология и электрические параметры тонких алюминиевых пленок, осаждаемых на подложки при температурах от 77 до 800 K”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 42–45
2024
3.
Б. М. Середин, В. П. Попов, А. В. Малибашев, А. Д. Степченко, “Трансформация кольцевой зоны на основе алюминия при ее термомиграции в кремнии в направлении $\langle$100$\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 58:9 (2024), 489–492
4.
Б. М. Середин, В. П. Попов, А. В. Малибашев, “Эффект трансформации линейной зоны в виде квадрата при еe миграции через пластину кремния ориентации $\{100\}$”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 17–19
2023
5.
Б. М. Середин, В. П. Попов, А. Н. Заиченко, А. В. Малибашев, И. В. Гаврус, А. А. Минцев, А. А. Скиданов, “Создание однородного поля температурного градиента для реализации метода термомиграции в кремнии”, Физика твердого тела, 65:12 (2023), 2051–2054
2021
6.
А. А. Ломов, Б. М. Середин, C. Ю. Мартюшов, А. Н. Заиченко, И. Л. Шульпина, “Формирование и структура термомиграционных кремниевых каналов, легированных Ga”, ЖТФ, 91:3 (2021), 467–474; A. A. Lomov, B. M. Seredin, S. Yu. Martyushov, A. N. Zaichenko, I. L. Shul'pina, “The formation and structure of thermomigration silicon channels doped with Ga”, Tech. Phys., 66:3 (2021), 453–460
А. А. Ломов, Б. М. Середин, C. Ю. Мартюшов, А. Н. Заиченко, С. Г. Симакин, И. Л. Шульпина, “Структурное совершенство и состав легированных галлием термомиграционных слоев кремния”, Письма в ЖТФ, 46:6 (2020), 27–30; A. A. Lomov, B. M. Seredin, S. Yu. Martyushov, A. N. Zaichenko, S. G. Simakin, I. L. Shul'pina, “Structural perfection and composition of gallium-doped thermomigration silicon layers”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 279–282
Т. Т. Мнацаканов, М. Е. Левинштейн, В. Б. Шуман, Б. М. Середин, “О пределе инжектирующей способности кремниевых $p^{+}$–$n$-переходов, обусловленном влиянием фундаментальных физических эффектов”, Физика и техника полупроводников, 51:6 (2017), 830–834; T. T. Мnatsakanov, M. E. Levinshteǐn, V. B. Shuman, B. M. Seredin, “On the limit of the injection ability of silicon $p^{+}$–$n$ junctions as a result of fundamental physical effects”, Semiconductors, 51:6 (2017), 798–802
В. Н. Лозовский, А. А. Ломов, Л. С. Лунин, Б. М. Середин, Ю. М. Чесноков, “Кристаллические дефекты в фотопреобразователях, полученных методом термомиграции”, Физика и техника полупроводников, 51:3 (2017), 297–301; V. N. Lozovskii, A. A. Lomov, L. S. Lunin, B. M. Seredin, Yu. M. Chesnokov, “Crystal defects in solar cells produced by the method of thermomigration”, Semiconductors, 51:3 (2017), 285–289
С. Ю. Князев, В. Н. Лозовский, В. С. Лозовский, Б. М. Середин, “Проявления индуцированной нестабильности межфазных границ при термомиграции”, Письма в ЖТФ, 42:20 (2016), 49–56; S. Yu. Knyazev, V. N. Lozovskii, V. S. Lozovskii, B. M. Seredin, “Manifestations of induced instability of phase boundaries during thermomigration”, Tech. Phys. Lett., 42:10 (2016), 1045–1048
