|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин, “Профилирование компонент подвижности вблизи гетерограниц тонких пленок кремния”, Физика и техника полупроводников, 54:2 (2020), 124–128   ; E. G. Zaytseva, O. Naumova, B. I. Fomin, “Profiling mobility components near the heterointerfaces of thin silicon films”, Semiconductors, 54:2 (2020), 176–180 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
Э. Г. Зайцева, О. В. Наумова, Б. И. Фомин, “Подвижность электронов в инверсионных слоях полностью обедняемых пленок кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 51:4 (2017), 446–452 ; E. G. Zaytseva, O. Naumova, B. I. Fomin, “Electron mobility in the inversion layers of fully depleted SOI films”, Semiconductors, 51:4 (2017), 423–429 |
3
|
|
2015 |
| 3. |
О. В. Наумова, Э. Г. Зайцева, Б. И. Фомин, М. А. Ильницкий, В. П. Попов, “Зависимость подвижности электронов в режиме обогащения от их плотности в полностью обедняемых пленках кремний-на-изоляторе”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1360–1366 ; O. Naumova, E. G. Zaytseva, B. I. Fomin, M. A. Ilnitskii, V. P. Popov, “Density dependence of electron mobility in the accumulation mode for fully depleted SOI films”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1316–1322 |
9
|
|
