|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
А. Э. Ячменев, Д. В. Гарабов, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Д. В. Лаврухин, “Особенности формирования мезаструктуры методом электронно-лучевой литографии в полупроводниковых соединениях на основе GaAs”, Письма в ЖТФ, 51:21 (2025), 42–44  |
| 2. |
Д. В. Лаврухин, Р. Р. Галиев, Н. В. Зенченко, Р. А. Хабибуллин, В. Н. Курлов, Ю. Г. Гончаров, К. И. Зайцев, С. В. Гарнов, Д. С. Пономарев, “Повышение эффективности лазерного возбуждения оптоэлектронного терагерцевого источника при помощи массива ближнепольных сапфировых микролинз”, Письма в ЖТФ, 51:19 (2025), 46–48 |
|
2024 |
| 3. |
Д. С. Пономарев, Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, К. И. Зайцев, “Эффективная генерация ТГц излучения фотопроводящим источником с локализацией носителей заряда в высокоаспектных плазмонных электродах”, Оптика и спектроскопия, 132:1 (2024), 105–110  |
| 4. |
Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, С. Д. Комаров, И. С. Махов, К. А. Иванов, Э. И. Моисеев, Е. Е. Антонов, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, А. Е. Жуков, “Микродисковые лазеры на основе InGaAs/GaAs-квантовых точек, монолитно-интегрированные с волноводом”, Физика и техника полупроводников, 58:2 (2024), 107–113 |
|
2023 |
| 5. |
Н. А. Фоминых, Н. В. Крыжановская, К. А. Иванов, С. Д. Комаров, Э. И. Моисеев, А. М. Надточий, Ю. А. Гусева, М. М. Кулагина, С. А. Минтаиров, Н. А. Калюжный, Р. А. Хабибуллин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, К. Н. Томош, И. С. Махов, М. В. Максимов, А. Е. Жуков, “Исследование высокотемпературной генерации микродисковых лазеров с оптически связанным волноводом”, Оптика и спектроскопия, 131:11 (2023), 1483–1485 |
|
2022 |
| 6. |
Д. А. Белов, А. В. Иконников, С. С. Пушкарев, Р. Р. Галиев, Д. С. Пономарев, Д. Р. Хохлов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. А. Хабибуллин, “Температурное затухание генерации квантово-каскадных лазеров с частотами 2.3, 3.2, 4.1 ТГц”, Физика и техника полупроводников, 56:7 (2022), 705–710 |
| 7. |
Т. А. Багаев, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, А. И. Данилов, Д. В. Ушаков, А. А. Афоненко, А. А. Зайцев, К. В. Маремьянин, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, С. С. Пушкарев, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Квантово-каскадный лазер с частотой генерации 3.8 THz, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 48:10 (2022), 16–19 |
|
2021 |
| 8. |
Р. А. Хабибуллин, К. В. Маремьянин, Д. С. Пономарев, Р. Р. Галиев, А. А. Зайцев, А. И. Данилов, И. С. Васильевский, А. Н. Виниченко, А. Н. Клочков, А. А. Афоненко, Д. В. Ушаков, С. В. Морозов, В. И. Гавриленко, “Квантово-каскадный лазер на 3.3 ТГц на основе активного модуля из трех квантовых ям GaAs/AlGaAs с рабочей температурой > 120 K”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 989–994 |
1
|
|
2020 |
| 9. |
О. О. Багаева, Р. Р. Галиев, А. И. Данилов, А. В. Иванов, В. Д. Курносов, К. В. Курносов, Ю. В. Курнявко, М. А. Ладугин, А. А. Мармалюк, В. И. Романцевич, В. А. Симаков, Р. В. Чернов, В. В. Шишков, “Экспериментальные исследования мощных полупроводниковых одночастотных лазеров спектрального диапазона 1.5–1.6 мкм”, Квантовая электроника, 50:2 (2020), 143–146 [O. O. Bagaeva, R. R. Galiev, A. I. Danilov, A. V. Ivanov, V. D. Kurnosov, K. V. Kurnosov, Yu. V. Kurnyavko, M. A. Ladugin, A. A. Marmalyuk, V. I. Romantsevich, V. A. Simakov, R. V. Chernov, V. V. Shishkov, “Experimental studies of 1.5–1.6 μm high-power single-frequency semiconductor lasers”, Quantum Electron., 50:2 (2020), 143–146   ] |
9
|
|
2019 |
| 10. |
Д. В. Лаврухин, Р. Р. Галиев, А. Ю. Павлов, А. Э. Ячменев, М. В. Майтама, И. А. Глинский, Р. А. Хабибуллин, Ю. Г. Гончаров, К. И. Зайцев, Д. С. Пономарев, “Плазмонные фотопроводящие антенны для систем терагерцовой импульсной спектроскопии и визуализации”, Оптика и спектроскопия, 126:5 (2019), 663–669 ; D. V. Lavrukhin, R. R. Galiev, A. Yu. Pavlov, A. E. Yachmenev, M. V. Maytama, I. A. Glinskiy, R. A. Khabibullin, Yu. G. Goncharov, K. I. Zaitsev, D. S. Ponomarev, “Plasmonic photoconductive antennas for terahertz pulsed spectroscopy and imaging systems”, Optics and Spectroscopy, 126:5 (2019), 580–586 |
9
|
|
2017 |
| 11. |
С. В. Михайлович, Р. Р. Галиев, А. В. Зуев, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, Р. А. Хабибуллин, “Влияние длины затвора на скорость инжекции электронов в каналах полевых транзисторов на основе AlGaN/AlN/GaN”, Письма в ЖТФ, 43:16 (2017), 9–14 ; S. V. Mikhailovich, R. R. Galiev, A. V. Zuev, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, R. A. Khabibullin, “The influence of gate length on the electron injection of velocity in an AlGaN/AlN/GaN НЕМТ channel”, Tech. Phys. Lett., 43:8 (2017), 733–735 |
2
|
|
2016 |
| 12. |
Р. А. Хабибуллин, Н. В. Щаврук, А. Ю. Павлов, Д. С. Пономарев, К. Н. Томош, Р. Р. Галиев, П. П. Мальцев, А. Е. Жуков, Г. Э. Цырлин, Ф. И. Зубов, Ж. И. Алфёров, “Изготовление терагерцового квантово-каскадного лазера с двойным металлическим волноводом на основе многослойных гетероструктур GaAs/AlGaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1395–1400 ; R. A. Khabibullin, N. V. Shchavruk, A. Yu. Pavlov, D. S. Ponomarev, K. N. Tomosh, R. R. Galiev, P. P. Maltsev, A. E. Zhukov, G. E. Cirlin, F. I. Zubov, Zh. I. Alferov, “Fabrication of a terahertz quantum-cascade laser with a double metal waveguide based on multilayer GaAs/AlGaAs heterostructures”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1377–1382 |
20
|
|
2014 |
| 13. |
Д. В. Лаврухин, А. Э. Ячменев, Р. Р. Галиев, Р. А. Хабибуллин, Д. С. Пономарев, Ю. В. Федоров, П. П. Мальцев, “MHEMT с предельной частотой усиления по мощности $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 ТГц на основе наногетероструктуры In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs”, Физика и техника полупроводников, 48:1 (2014), 73–76 ; D. V. Lavrukhin, A. E. Yachmenev, R. R. Galiev, R. A. Khabibullin, D. S. Ponomarev, Yu. V. Fedorov, P. P. Maltsev, “MHEMT with a power-gain cut-off frequency of $f_{\mathrm{max}}$ = 0.63 THz on the basis of a In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Ga$_{0.58}$As/In$_{0.42}$Al$_{0.58}$As/GaAs nanoheterostructure”, Semiconductors, 48:1 (2014), 69–72 |
18
|
|
