|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, И. Г. Турсунов, “Тензостимулированный эффект в легированном и термообработанном кремнии при ориентированной деформации”, Физика твердого тела, 63:5 (2021), 602–605   ; O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov, “Tensostimulated effect in a doped and heat-treated silicon at an oriented deformation”, Phys. Solid State, 63:5 (2021), 738–741 |
|
2020 |
| 2. |
О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, И. Г. Турсунов, “Влияние одноосной упругой деформации на вольт-амперную характеристику поверхностно-барьерных диодов
Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au”, Физика и техника полупроводников, 54:5 (2020), 466–469 ; O. O. Mamatkarimov, O. Khimmatkulov, I. G. Tursunov, “Effect of uniaxial elastic deformation on the current–voltage characteristic of surface-barrier Sb–$p$-Si$\langle$Mn$\rangle$–Au diodes”, Semiconductors, 54:5 (2020), 563–566 |
2
|
|
2019 |
| 3. |
Б. Х. Кучкаров, О. О. Маматкаримов, “Влияние ультразвукового воздействия на скорость формирования заряда инверсионного слоя в структурах метал-стекло-полупроводник”, Вестник КРАУНЦ. Физ.-мат. науки, 29:4 (2019), 125–134 |
|
1992 |
| 4. |
А. Абдураимов, С. З. Зайнабинидов, А. Тешабаев, О. О. Маматкаримов, О. Химматкулов, “Механизм тензоэффекта в $n$-Si$\langle\text{Mn}\rangle$ при всестороннем гидростатическом сжатии”, Физика и техника полупроводников, 26:10 (1992), 1845–1847 |
|
