|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2020 |
| 1. |
Anna V. Kasyanova, Liana R. Tarutina, Anna O. Rudenko, Julia G. Lyagaeva, Dmitry A. Medvedev, “$\mathrm{Ba}(\mathrm{Ce},\mathrm{Zr})\mathrm{O}_3$-based electrodes for protonic ceramic electrochemical cells: towards highly compatible functionality and triple-conducting behavior”, Усп. хим., 89:6 (2020), 667–692     ; Russian Chem. Reviews, 89:6 (2020), 667–692 |
105
|
|
2019 |
| 2. |
A. V. Kasyanova, A. O. Rudenko, N. G. Molchanova, A. I. Vylkov, J. G. Lyagaeva, D. A. Medvedev, “Transport properties of iron-doped BaZr<sub>0.9</sub>Yb<sub>0.1</sub>O<sub>3–δ</sub>”, Mendeleev Commun., 29:6 (2019), 710–712 |
4
|
|
2016 |
| 3. |
Ю. Г. Лягаева, Г. К. Вдовин, И. В. Николаенко, Д. А. Медведев, А. К. Демин, “Модифицирование BaCe$_{0.5}$Zr$_{0.3}$Y$_{0.2}$O$_{3-\delta}$ оксидом меди: влияние на структурные и транспортные свойства”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 854–858 ; J. G. Lyagaeva, G. K. Vdovin, I. V. Nikolaenko, D. A. Medvedev, A. K. Demin, “The modification of BaCe$_{0.5}$Zr$_{0.3}$Y$_{0.2}$O$_{3-\delta}$ with copper oxide: Effect on the structural and transport properties”, Semiconductors, 50:6 (2016), 839–843 |
7
|
|
2015 |
| 4. |
Ю. Г. Лягаева, Д. А. Медведев, А. К. Демин, P. Tsiakaras, О. Г. Резницких, “Термическое расширение материалов в системе церато-цирконата бария”, Физика твердого тела, 57:2 (2015), 272–276 ; J. G. Lyagaeva, D. A. Medvedev, A. K. Demin, P. Tsiakaras, O. G. Reznitskikh, “Thermal expansion of materials in the barium cerate–zirconate system”, Phys. Solid State, 57:2 (2015), 285–289 |
52
|
|
2014 |
| 5. |
Ю. Г. Лягаева, Д. А. Медведев, А. К. Демин, Т. В. Ярославцева, С. В. Плаксин, Н. М. Поротникова, “Особенности получения плотной керамики на основе цирконата бария”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1388–1393 ; J. G. Lyagaeva, D. A. Medvedev, A. K. Demin, T. V. Yaroslavtseva, S. V. Plaksin, N. M. Porotnikova, “Specific features of preparation of dense ceramic based on barium zirconate”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1353–1358 |
23
|
|
