|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2013 |
| 1. |
И. П. Ворона, С. С. Ищенко, Н. П. Баран, В. В. Носенко, И. В. Затовский, А. И. Малышенко, В. Ю. Поварчук, “Радиационные дефекты в отожженном карбонатсодержащем гидроксилапатите”, Физика твердого тела, 55:12 (2013), 2417–2422   ; I. P. Vorona, S. S. Ishchenko, N. P. Baran, V. V. Nosenko, I. V. Zatovskii, A. I. Malyshenko, V. Yu. Povarchuk, “Radiation-induced defects in annealed carbonate-containing hydroxyapatite”, Phys. Solid State, 55:12 (2013), 2543–2548 |
9
|
| 2. |
Н. Е. Корсунская, Ю. Ю. Бачериков, Т. Р. Стара, В. П. Кладько, Н. П. Баран, Ю. О. Полищук, А. В. Кучук, А. Г. Жук, Е. Ф. Венгер, “Особенности легирования порошкообразного ZnS примесью Mn в процессе синтеза и последующего отжига”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 702–709 ; N. E. Korsunskaya, Yu. Yu. Bacherikov, T. R. Stara, V. P. Klad'ko, N. P. Baran, Yu. O. Polishchuk, A. V. Kuchuk, A. G. Zhuk, E. F. Venger, “Features of ZnS-powder doping with a Mn impurity during synthesis and subsequent annealing”, Semiconductors, 47:5 (2013), 713–720 |
8
|
|
2012 |
| 3. |
Ю. Ю. Бачериков, Н. Е. Корсунская, В. П. Кладько, Е. Ф. Венгер, Н. П. Баран, А. В. Кучук, А. Г. Жук, “Структурные превращения в ZnS:Cu в процессе термического отжига”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 198–203 ; Yu. Yu. Bacherikov, N. E. Korsunskaya, V. P. Klad'ko, E. F. Venger, N. P. Baran, A. V. Kuchuk, A. G. Zhuk, “Structural transformations in ZnS:Cu in the course of thermal annealing”, Semiconductors, 46:2 (2012), 188–192 |
5
|
|
1992 |
| 4. |
В. М. Бабич, Н. П. Баран, Ю. П. Доценко, К. И. Зотов, В. Б. Ковальчук, В. М. Максименко, “Образование и свойства термодоноров при отжигах ниже $550^{\circ}$C в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского”, Физика и техника полупроводников, 26:3 (1992), 447–453 |
|
1991 |
| 5. |
В. М. Бабич, Н. П. Баран, А. А. Бугай, К. И. Зотов, В. Б. Ковальчук, В. М. Максименко, “ЭПР акцепторных центров, образующихся в процессе длительных отжигов
кремния при 550$^{\circ}$C”, Физика и техника полупроводников, 25:1 (1991), 118–120 |
|
1990 |
| 6. |
Л. Г. Ракитина, Н. П. Баран, В. Г. Грачев, Н. И. Дерюгина, “Кинетика отжига радиационных дефектов в парателлурите”, Физика твердого тела, 32:1 (1990), 316–318  |
|
1986 |
| 7. |
Н. П. Баран, В. И. Барчук, В. Г. Грачев, В. В. Артамонов, Ю. Н. Ажнюк, “Проявление квантовой природы оптической мягкой моды в свойствах сегнетоэластика BiVO$_{4}$”, Физика твердого тела, 28:7 (1986), 2228–2230 |
| 8. |
Н. П. Баран, В. И. Барчук, В. Г. Грачев, Б. К. Круликовский, “Критические температурные зависимости характеристик спектров ЭПР Gd$^{3+}$ и Mn$^{2+}$ в пара- и сегнетоэластической фазах BiVO$_{4}$”, Физика твердого тела, 28:3 (1986), 873–878 |
| 9. |
В. М. Бабич, Н. П. Баран, А. А. Бугай, К. И. Зотов, В. Б. Ковальчук, В. М. Максименко, “Исследование свойств термодоноров-1 в кремнии $n$-типа
при
электронном облучении”, Физика и техника полупроводников, 20:11 (1986), 2117–2119 |
|
1985 |
| 10. |
Н. П. Баран, А. А. Бугай, В. Г. Грачев, Н. И. Дерюгина, Л. Г. Довченко, “Исследование методом ЭПР радиационных дефектов в TeO$_{2}$”, Физика твердого тела, 27:2 (1985), 564–566 |
|
