|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
М. И. Векслер, Г. Г. Карева, Ю. Ю. Илларионов, И. В. Грехов, “Резонансное туннелирование электронов и связанные с ним зарядовые явления в наноструктурах металл–окисел–$p^{+}$-кремний”, Письма в ЖТФ, 42:21 (2016), 62–69   ; M. I. Vexler, G. G. Kareva, Yu. Yu. Illarionov, I. V. Grekhov, “Resonant electron tunneling and related charging phenomena in metal–oxide–$p^+$-Si nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 42:11 (2016), 1090–1093 |
1
|
|
2014 |
| 2. |
Г. Г. Карева, М. И. Векслер, “Туннельный диод с отрицательным дифференциальным сопротивлением и кварцевым резонатором на базе конденсатора $p^+$-Si/нано-SiO$_2$/$n^+$-Si”, Физика и техника полупроводников, 48:10 (2014), 1416–1420 ; G. G. Kareva, M. I. Vexler, “$p^+$-Si/nano-SiO$_2$/$n^+$-Si capacitor-based tunnel diode with negative differential resistance and a quartz resonator”, Semiconductors, 48:10 (2014), 1381–1384 |
|
2013 |
| 3. |
Г. Г. Карева, М. И. Векслер, “Электрофизические явления в структуре металл/наноокисел/$p^+$-кремний при трансформации ее в резонансно-туннельный диод”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1087–1093 ; G. G. Kareva, M. I. Vexler, “Electrical phenomena in a metal/nanooxide/$p^+$-silicon structure during its transformation to a resonant-tunneling diode”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1084–1089 |
4
|
|
1986 |
| 4. |
Г. Г. Карева, “Спектральные характеристики фотоэмиссии из кремния в двуокись кремния
в МДП структуре”, Физика и техника полупроводников, 20:2 (1986), 339–342 |
|
1983 |
| 5. |
Г. Г. Карева, П. П. Коноров, “Снижение порога фотоэмиссии
из полупроводника”, Письма в ЖТФ, 9:3 (1983), 143–147 |
|
