|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2016 |
| 1. |
Л. А. Косяченко, В. Я. Литвиненко, Е. Л. Маслянчук, “Количественный анализ оптических и рекомбинационных потерь в тонкопленочных солнечных элементах на основе Cu(In,Ga)Se$_{2}$”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016), 515–524   ; L. A. Kosyachenko, V. Ya. Lytvynenko, E. L. Maslyanchuk, “Quantitative analysis of optical and recombination losses in Cu(In,Ga)Se$_{2}$ thin-film solar cells”, Semiconductors, 50:4 (2016), 508–516 |
7
|
|
2013 |
| 2. |
Л. А. Косяченко, Н. С. Юрценюк, И. М. Раренко, В. М. Склярчук, О. Ф. Склярчук, З. И. Захарук, Е. В. Грушко, “Механизмы переноса заряда в диодах Шоттки на основе низкоомного CdTe : Mn”, Физика и техника полупроводников, 47:7 (2013), 907–915 ; L. A. Kosyachenko, N. S. Yurtsenyuk, I. M. Rarenko, V. M. Skljarchuk, O. F. Sklyarchuk, Z. I. Zakharuk, E. V. Grushko, “Charge transport mechanisms in Schottky diodes based on low-resistance CdTe:Mn”, Semiconductors, 47:7 (2013), 916–924 |
4
|
|
2012 |
| 3. |
Л. А. Косяченко, Е. В. Грушко, Т. И. Микитюк, “Поглощательная способность полупроводников, используемых в производстве солнечных панелей”, Физика и техника полупроводников, 46:4 (2012), 482–486 ; L. A. Kosyachenko, E. V. Grushko, T. I. Mikityuk, “Absorptivity of semiconductors used in the production of solar cell panels”, Semiconductors, 46:4 (2012), 466–470 |
11
|
| 4. |
Л. А. Косяченко, В. М. Склярчук, С. В. Мельничук, О. Л. Маслянчук, Е. В. Грушко, О. В. Склярчук, “Влияние концентрации нескомпенсированных примесей на свойства детекторов рентгеновского и $\gamma$-излучения на основе CdTe”, Физика и техника полупроводников, 46:3 (2012), 389–395 ; L. A. Kosyachenko, V. M. Skljarchuk, S. V. Mel'nichuk, O. L. Maslyanchuk, E. V. Grushko, O. V. Sklyarchuk, “Effect of the concentration of uncompensated impurities on the properties of CdTe-based X- and $\gamma$-ray detectors”, Semiconductors, 46:3 (2012), 374–381 |
3
|
|
1988 |
| 5. |
И. С. Кабанова, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из
измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 22:10 (1988), 1852–1855 |
| 6. |
Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман, “Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах
Au$-$ZnS”, Физика и техника полупроводников, 22:9 (1988), 1651–1656 |
| 7. |
О. П. Вербицкий, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, В. Д. Рыжиков, “Свойства системы сцинтиллятор$-$фотодиод на основе структуры
селенид$-$теллурид цинка”, Письма в ЖТФ, 14:8 (1988), 702–705  |
|
1987 |
| 8. |
И. С. Кабанова, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Туннелирование в фосфид-галлиевых диодах Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 21:11 (1987), 2087–2090 |
|
1986 |
| 9. |
Н. В. Горбенко, Л. А. Косяченко, В. П. Махний, М. К. Шейнкман, “Излучательная рекомбинация на донорно-акцепторных парах в области
объемного заряда Au$-$ZnS-диодов”, Физика и техника полупроводников, 20:4 (1986), 619–624 |
|
1985 |
| 10. |
Л. А. Косяченко, Е. Ф. Кухто, В. М. Склярчук, “Горячая люминесценция кремниевого биполярного транзистора”, Письма в ЖТФ, 11:23 (1985), 1437–1440 |
|
1984 |
| 11. |
Л. А. Косяченко, Е. Ф. Кухто, В. М. Склярчук, “Излучение света металлом при прямом смещении диода Шоттки”, ЖТФ, 54:6 (1984), 1185–1186 |
| 12. |
Л. А. Косяченко, В. П. Махний, “Влияние закона дисперсии на туннелирование носителей в CdTe-диодах”, Физика и техника полупроводников, 18:7 (1984), 1285–1287 |
| 13. |
Л. А. Косяченко, Е. Ф. Кухто, В. М. Склярчук, “Механизм электролюминесценции кремниевого $p{-}n$-перехода
при обратном смещении”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 426–430 |
|
1983 |
| 14. |
Л. А. Косяченко, Е. Ф. Кухто, В. М. Склярчук, “Влияние одноосной деформации на свойства карбид-кремниевых диодов
Шоттки”, Физика и техника полупроводников, 17:11 (1983), 1935–1937 |
|
