|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, М. Н. Солован, П. Д. Марьянчук, О. А. Парфенюк, Э. В. Майструк, С. В. Ничий, “Электрические свойства и энергетические параметры гетеропереходов $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1049–1055   ; I. G. Orletskii, M. I. Ilashschuk, M. N. Solovan, P. D. Mar'yanchuk, O. A. Parfenyuk, E. V. Maistruk, S. V. Nichyi, “Electrical properties and energy parameters of $n$-FeS$_{2}$/$p$-Cd$_{1-x}$Zn$_{x}$Te heterojunctions”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1171–1177 |
10
|
|
2016 |
| 2. |
И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, В. В. Брус, П. Д. Марьянчук, М. М. Солован, З. Д. Ковалюк, “Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур TiN/$p$-InSe”, Физика и техника полупроводников, 50:3 (2016), 339–343 ; I. G. Orletskii, M. I. Ilashschuk, V. V. Brus, P. D. Mar'yanchuk, M. M. Solovan, Z. D. Kovalyuk, “Electrical and photoelectric properties of the TiN/$p$-InSe heterojunction”, Semiconductors, 50:3 (2016), 334–338 |
7
|
|
2014 |
| 3. |
В. В. Брус, И. Г. Орлецкий, М. И. Илащук, П. Д. Марьянчук, “Электрические свойства тонкопленочных полупроводниковых гетеропереходов $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$”, Физика и техника полупроводников, 48:8 (2014), 1075–1079 ; V. V. Brus, I. G. Orletskii, M. I. Ilashschuk, P. D. Mar'yanchuk, “Electrical properties of thin-film semiconductor heterojunctions $n$-TiO$_2$/$p$-CuInS$_2$”, Semiconductors, 48:8 (2014), 1046–1050 |
5
|
| 4. |
В. В. Брус, М. И. Илащук, И. Г. Орлецкий, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий, “Электрические свойства МОП диодов In/TiO$_2$/$p$-CdTe”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 504–508 ; V. V. Brus, M. I. Ilashschuk, I. G. Orletskii, P. D. Mar'yanchuk, K. S. Ulyanytsky, “Electrical properties of MOS diodes In/TiO$_2$/$p$-CdTe”, Semiconductors, 48:4 (2014), 487–491 |
6
|
|
2012 |
| 5. |
В. В. Брус, М. И. Илащук, В. В. Хомяк, З. Д. Ковалюк, П. Д. Марьянчук, К. С. Ульяницкий, “Электрические свойства анизотипных гетеропереходов $n$-CdZnO/$p$-CdTe”, Физика и техника полупроводников, 46:9 (2012), 1175–1180 ; V. V. Brus, M. I. Ilashschuk, V. V. Khomyak, Z. D. Kovalyuk, P. D. Mar'yanchuk, K. S. Ulyanytsky, “Electrical properties of anisotype heterojunctions $n$-CdZnO/$p$-CdTe”, Semiconductors, 46:9 (2012), 1152–1157 |
18
|
|
1991 |
| 6. |
П. П. Бейсюк, А. В. Савицкий, М. И. Илащук, Н. И. Руснак, В. И. Власюк, О. А. Парфенюк, “Равновесные свойства твердых растворов Cd$_{1-x}$Mg$_{x}$Te”, Физика и техника полупроводников, 25:6 (1991), 961–964 |
|
1990 |
| 7. |
П. И. Бабий, В. В. Слынько, Ю. П. Гнатенко, П. Н. Букивский, М. И. Илащук, О. А. Парфенюк, “Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe”, Физика и техника полупроводников, 24:8 (1990), 1444–1448 |
|
1986 |
| 8. |
М. И. Илащук, В. В. Матлак, О. А. Парфенюк, А. В. Савицкий, “Особенности комплексообразования в $p$-CdTe при значительных
концентрациях собственных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 20:5 (1986), 849–852 |
|
