|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2012 |
| 1. |
С. А. Кукушкин, А. В. Осипов, С. Г. Жуков, Е. Е. Заварин, В. В. Лундин, М. А. Синицын, М. М. Рожавская, А. Ф. Цацульников, С. И. Трошков, Н. А. Феоктистов, “Светодиод на основе III-нитридов на кремниевой подложке с эпитаксиальным нанослоем карбида кремния”, Письма в ЖТФ, 38:6 (2012), 90–95   ; S. A. Kukushkin, A. V. Osipov, S. G. Zhukov, E. E. Zavarin, V. V. Lundin, M. A. Sinicin, M. M. Rozhavskaya, A. F. Tsatsul'nikov, S. I. Troshkov, N. A. Feoktistov, “Group-III-nitride-based light-emitting diode on silicon substrate with epitaxial nanolayer of silicon carbide”, Tech. Phys. Lett., 38:3 (2012), 297–299 |
14
|
|
1986 |
| 2. |
Н. Б. Брандт, С. Г. Жуков, В. А. Кульбачинский, П. С. Смирнов, Б. А. Струков, “Влияние гидростатического давления на диэлектрические свойства CsH$_{2}$PO$_{4}$”, Физика твердого тела, 28:10 (1986), 3159–3161  |
|
