|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
О. Л. Голубев, “Иридиевый полевой эмиттер как источник постоянного тока электронов и ионов”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 31–34 |
|
2022 |
| 2. |
О. Л. Голубев, “Стабильные формы и стационарная эмиссия ионов танталового полевого эмиттера в процессе воздействия внешним электрическим полем при высоких температурах”, Письма в ЖТФ, 48:18 (2022), 3–5 |
|
2020 |
| 3. |
О. Л. Голубев, “Некоторые особенности конденсации атомов кремния на поверхности монокристалла вольфрама”, ЖТФ, 90:3 (2020), 465–470 ; O. L. Golubev, “Several specifics of silicon atom condensation on the surface of a tungsten single crystal”, Tech. Phys., 65:3 (2020), 444–449 |
2
|
| 4. |
О. Л. Голубев, “Характерные закономерности конденсации слоев никеля на поверхности монокристалла вольфрама”, Письма в ЖТФ, 46:14 (2020), 47–50 ; O. L. Golubev, “Characteristic regularities in condensation of nickel layers on the surface of a tungsten single crystal”, Tech. Phys. Lett., 46:7 (2020), 721–724 |
|
2019 |
| 5. |
О. Л. Голубев, Н. М. Блашенков, “Изменение состава ионного тока в процессе полевого испарения вольфрама при высоких температурах”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1105–1109 ; O. L. Golubev, N. M. Blashenkov, “Changes in the composition of the ion current in the process of field evaporation of tungsten at high temperatures”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1042–1045 |
|
2018 |
| 6. |
О. Л. Голубев, “Особенности конденсации кремния на поверхности монокристалла вольфрама”, Письма в ЖТФ, 44:23 (2018), 9–15 ; O. L. Golubev, “Peculiarities of the condensation of silicon on the surface of a tungsten single crystal”, Tech. Phys. Lett., 44:12 (2018), 1052–1054 |
1
|
|
2017 |
| 7. |
О. Л. Голубев, Н. М. Блашенков, “Изотопное отношение испаряемых ионов, критические расстояния ионизации и зоны ионизации в процессе полевого испарения молибдена при высоких температурах”, ЖТФ, 87:8 (2017), 1238–1242 ; O. L. Golubev, N. M. Blashenkov, “Isotopic ratio of evaporated ions, critical ionization distances, and ionization regions in the process of the field evaporation of molybdenum at high temperatures”, Tech. Phys., 62:8 (2017), 1250–1254 |
1
|
|
2016 |
| 8. |
Н. М. Блашенков, О. Л. Голубев, “Определение критического расстояния ионизации и зоны ионизации в процессе высокотемпературного полевого испарения молибдена”, Письма в ЖТФ, 42:14 (2016), 80–86 ; N. M. Blashenkov, O. L. Golubev, “Determination of the critical ionization distance and ionization zone during high-temperature field evaporation of molybdenum”, Tech. Phys. Lett., 42:7 (2016), 754–757 |
| 9. |
О. Л. Голубев, Н. М. Блашенков, “Возможность наблюдения изотопного эффекта полевого испарения”, Письма в ЖТФ, 42:2 (2016), 104–110 ; O. L. Golubev, N. M. Blashenkov, “Possible observation of the isotope effect during field evaporation”, Tech. Phys. Lett., 42:1 (2016), 108–111 |
1
|
|
2015 |
| 10. |
О. Л. Голубев, “Универсальная методика экспериментального определения напряженностей испаряющих электрических полей для полевых эмиттеров ионов”, ЖТФ, 85:12 (2015), 124–127 ; O. L. Golubev, “Universal method for experimental determination of evaporating electric field strengths for field ion emitters”, Tech. Phys., 60:12 (2015), 1859–1862 |
|
2014 |
| 11. |
О. Л. Голубев, “Экспериментальное определение напряженностей испаряющих электрических полей для наноразмерных полевых эмиттеров ионов”, Письма в ЖТФ, 40:24 (2014), 7–13 ; O. L. Golubev, “Experimental determination of evaporating electric field strengths for nanodimensional field ion emitters”, Tech. Phys. Lett., 40:12 (2014), 1092–1094 |
|
2013 |
| 12. |
О. Л. Голубев, “Высокотемпературное полевое испарение и его связь с поверхностной ионизацией”, ЖТФ, 83:6 (2013), 11–16 ; O. L. Golubev, “High-temperature field evaporation and its connection with surface ionization”, Tech. Phys., 58:6 (2013), 787–792 |
|
2012 |
| 13. |
О. Л. Голубев, Н. М. Блашенков, М. В. Логинов, “Cостав ионного тока в процессе полевого испарения некоторых бинарных и тройных соединений при различных температурах”, ЖТФ, 82:3 (2012), 111–116 ; O. L. Golubev, N. M. Blashenkov, M. V. Loginov, “Composition of the ion current during field evaporation of some binary and ternary compounds at different temperatures”, Tech. Phys., 57:3 (2012), 422–426 |
4
|
| 14. |
О. Л. Голубев, В. А. Ивченко, “Регулирование количества локальных эмитирующих нановыступов на поверхности полевого эмиттера”, Письма в ЖТФ, 38:20 (2012), 63–68 ; O. L. Golubev, V. A. Ivchenko, “Control over the number of local emitting nanodimensional protrusions on the surface of a field emitter”, Tech. Phys. Lett., 38:10 (2012), 944–946 |
3
|
|
2011 |
| 15. |
О. Л. Голубев, “Модификация поверхностей полевых эмиттеров из карбида вольфрама для локализации эмиссии электронов и ионов”, ЖТФ, 81:6 (2011), 113–119 ; O. L. Golubev, “Modification of the tungsten carbide field emitter surface to localize the electron and ion emission”, Tech. Phys., 56:6 (2011), 859–864 |
8
|
|
1985 |
| 16. |
О. Л. Голубев, “Метод оценки энергии латерального взаимодействия адсорбированных атомов”, Физика твердого тела, 27:10 (1985), 3127–3129 |
|