|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2017 |
| 1. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Э. П. Домашевская, П. В. Середин, А. Н. Бельтюков, Ф. З. Гильмутдинов, “Состав нанокомпозитов из тонких слоев олова на пористом кремнии, сформированных методом магнетронного распыления”, Физика твердого тела, 59:4 (2017), 773–782   ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, È. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. N. Beltyukov, F. Z. Gilmutdinov, “Composition of nanocomposites of thin tin layers on porous silicon, formed by magnetron sputtering”, Phys. Solid State, 59:4 (2017), 791–800 |
1
|
| 2. |
А. С. Леньшин, П. В. Середин, И. В. Кавецкая, Д. А. Минаков, В. М. Кашкаров, “Исследование особенностей осаждения органического красителя Родамин Б на поверхность пористого кремния с различным размером пор”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 193–197 ; A. S. Len'shin, P. V. Seredin, I. V. Kavetskaya, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, “Study of the deposition features of the organic dye Rhodamine B on the porous surface of silicon with different pore sizes”, Semiconductors, 51:2 (2017), 184–188 |
|
2015 |
| 3. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Особенности изменения с течением времени оптических характеристик нано-, мезо- и макропористого кремния”, ЖТФ, 85:7 (2015), 151–155 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Variations of the optical characteristics of nano-, meso-, and macroporous silicon with time”, Tech. Phys., 60:7 (2015), 1096–1100 |
2
|
|
2014 |
| 4. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Б. Л. Агапов, Д. А. Минаков, В. Н. Ципенюк, Э. П. Домашевская, “Оптические характеристики различных структур пористого кремния”, ЖТФ, 84:2 (2014), 70–75 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, B. L. Agapov, D. A. Minakov, V. N. Tsipenyuk, È. P. Domashevskaya, “Optical characteristics of porous silicon structures”, Tech. Phys., 59:2 (2014), 224–229 |
27
|
| 5. |
А. С. Леньшин, П. В. Середин, Д. А. Минаков, В. М. Кашкаров, Б. Л. Агапов, Э. П. Домашевская, И. Е. Кононова, В. А. Мошников, Н. С. Теребова, И. Н. Шабанова, “Особенности формирования золь–гель методом композитов 3$d$-металл/пористый кремний и их оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 570–575 ; A. S. Len'shin, P. V. Seredin, D. A. Minakov, V. M. Kashkarov, B. L. Agapov, È. P. Domashevskaya, I. E. Kononova, V. A. Moshnikov, N. S. Terebova, I. N. Shabanova, “Specific features of the sol–gel formation and optical properties of 3$d$ metal/porous silicon composites”, Semiconductors, 48:4 (2014), 551–555 |
5
|
|
2013 |
| 6. |
О. М. Голицына, С. Н. Дрождин, В. Н. Нечаев, А. В. Висковатых, В. М. Кашкаров, А. Е. Гриднев, В. В. Чернышев, “Диэлектрические свойства пористых оксидов алюминия и кремния с включениями триглицинсульфата и его модифицированных аналогов”, Физика твердого тела, 55:3 (2013), 479–484 ; O. M. Golitsyna, S. N. Drozhdin, V. N. Nechaev, A. V. Viskovatykh, V. M. Kashkarov, A. E. Gridnev, V. V. Chernyshev, “Dielectric properties of porous aluminum and silicon oxides with inclusions of triglycine sulfate and its modified analogs”, Phys. Solid State, 55:3 (2013), 529–535 |
21
|
| 7. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, Э. П. Домашевская, В. В. Ратников, Л. М. Сорокин, “Особенности структурных и оптических свойств пористого кремния, полученного в $p^+$-эпитаксиальном слое на $n$-Si(111)”, ЖТФ, 83:3 (2013), 96–100 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, D. A. Minakov, B. L. Agapov, È. P. Domashevskaya, V. V. Ratnikov, L. M. Sorokin, “Structural and optical properties of porous silicon prepared from a $p^+$-epitaxial layer on $n$-Si(111)”, Tech. Phys., 58:3 (2013), 404–407 |
1
|
| 8. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, В. Н. Ципенюк, П. В. Середин, Б. Л. Агапов, Д. А. Минаков, Э. П. Домашевская, “Оптические свойства пористого кремния, обработанного в тетраэтилортосиликате”, ЖТФ, 83:2 (2013), 136–140 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, V. N. Tsipenyuk, P. V. Seredin, B. L. Agapov, D. A. Minakov, È. P. Domashevskaya, “Optical properties of porous silicon processed in tetraethyl orthosilicate”, Tech. Phys., 58:2 (2013), 284–288 |
14
|
|
2012 |
| 9. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, С. Ю. Турищев, М. С. Смирнов, Э. П. Домашевская, “Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния”, ЖТФ, 82:2 (2012), 150–152 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, S. Yu. Turishchev, M. S. Smirnov, È. P. Domashevskaya, “Influence of natural aging on photoluminescence from porous silicon”, Tech. Phys., 57:2 (2012), 305–307 |
18
|
| 10. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Д. А. Минаков, Б. Л. Агапов, М. А. Кузнецова, В. А. Мошников, Э. П. Домашевская, “Исследования морфологических особенностей роста и оптических характеристик многослойных образцов пористого кремния, выращенных на подложках $n$-типа с эпитаксиально нанесенным $p^+$-слоем”, Физика и техника полупроводников, 46:8 (2012), 1101–1107 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, D. A. Minakov, B. L. Agapov, M. A. Kuznetsova, V. A. Moshnikov, È. P. Domashevskaya, “Study of the morphological growth features and optical characteristics of multilayer porous silicon samples grown on $n$-type substrates with an epitaxially deposited $p^+$-layer”, Semiconductors, 46:8 (2012), 1079–1084 |
22
|
| 11. |
С. Н. Иванников, И. В. Кавецкая, В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, “Особенности фотоэмиссии органических красителей в матрице пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 38:23 (2012), 77–82 ; S. N. Ivannikov, I. V. Kavetskaya, V. M. Kashkarov, A. S. Len'shin, “Photoemission features of organic dyes in matrix of porous silicon”, Tech. Phys. Lett., 39:1 (2013), 9–11 |
2
|
|
2011 |
| 12. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, П. В. Середин, Ю. М. Спивак, В. А. Мошников, “Исследование электронного строения и химического состава пористого кремния, полученного на подложках $n$- и $p$-типа, методами XANES и ИК спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 45:9 (2011), 1229–1234 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, P. V. Seredin, Yu. M. Spivak, V. A. Moshnikov, “XANES and IR spectroscopy study of the electronic structure and chemical composition of porous silicon on $n$- and $p$-type substrates”, Semiconductors, 45:9 (2011), 1183–1188 |
32
|
| 13. |
А. С. Леньшин, В. М. Кашкаров, С. Ю. Турищев, М. С. Смирнов, Э. П. Домашевская, “Влияние естественного старения на фотолюминесценцию пористого кремния”, Письма в ЖТФ, 37:17 (2011), 1–8 ; A. S. Len'shin, V. M. Kashkarov, S. Yu. Turishchev, M. S. Smirnov, È. P. Domashevskaya, “Effect of natural aging on photoluminescence of porous silicon”, Tech. Phys. Lett., 37:9 (2011), 789–792 |
18
|
|
2010 |
| 14. |
Е. О. Филатова, К. М. Лысенков, А. А. Соколов, А. А. Овчинников, Д. Е. Марченко, В. М. Кашкаров, И. В. Назариков, “Исследование стабильности структуры пористого кремния, полученного травлением Si(100) в водном растворе фторида аммония, спектроскопическими методами”, Письма в ЖТФ, 36:3 (2010), 53–59 ; E. O. Filatova, K. M. Lysenkov, A. A. Sokolov, A. A. Ovchinnikov, D. E. Marchenko, V. M. Kashkarov, I. V. Nazarikov, “Spectroscopic investigations of the stability of porous silicon structure obtained by etching Si(100) in aqueous ammonium fluoride solution”, Tech. Phys. Lett., 36:2 (2010), 119–121 |
|
2009 |
| 15. |
В. М. Кашкаров, А. С. Леньшин, Б. Л. Агапов, С. Ю. Турищев, Э. П. Домашевская, “Получение нанокомпозитов пористого кремния с железом и кобальтом и исследование их электронного строения методами рентгеновской спектроскопии”, Письма в ЖТФ, 35:17 (2009), 89–96 ; V. M. Kashkarov, A. S. Len'shin, B. L. Agapov, S. Yu. Turishchev, È. P. Domashevskaya, “Preparation of porous silicon nanocomposites with iron and cobalt and investigation of their electron structure by X-ray spectroscopy techniques”, Tech. Phys. Lett., 35:9 (2009), 827–830 |
11
|
|
2008 |
| 16. |
Э. П. Домашевская, С. А. Сторожилов, С. Ю. Турищев, В. М. Кашкаров, В. А. Терехов, О. В. Стогней, Ю. Е. Калинин, А. В. Ситников, С. Л. Молодцов, “XANES- и USXES-исследования межатомных взаимодействий в нанокомпозитах (Co$_{41}$Fe$_{39}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{1-x}$”, Физика твердого тела, 50:1 (2008), 135–141 ; È. P. Domashevskaya, S. A. Storozhilov, S. Yu. Turishchev, V. M. Kashkarov, V. A. Terekhov, O. V. Stognei, Yu. E. Kalinin, A. V. Sitnikov, S. L. Molodtsov, “XANES and USXES studies of interatomic interactions in (Co$_{41}$Fe$_{39}$B$_{20}$)$_x$(SiO$_2$)$_{1-x}$ nanocomposites”, Phys. Solid State, 50:1 (2008), 139–145 |
|
1983 |
| 17. |
В. А. Терехов, В. М. Кашкаров, В. В. Горбачев, Ю. А. Тетерин, Э. П. Домашевская, “Электронное строение халькогенидов меди по рентгеноспектральным и рентгеноэлектронным данным”, Физика твердого тела, 25:8 (1983), 2482–2484  |
|
Обратная связь: