|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Е. А. Толкачева, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, “Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ в облученных кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 973–979   ; E. A. Tolkacheva, V. P. Markevich, L. I. Murin, “Optical properties and the mechanism of the formation of V$_{2}$O$_{2}$ and V$_{3}$O$_{2}$ vacancy–oxygen complexes in irradiated silicon crystals”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1097–1103 |
6
|
|
2016 |
| 2. |
Ю. М. Покотило, А. Н. Петух, В. В. Литвинов, В. П. Маркевич, Н. В. Абросимов, А. С. Камышан, А. В. Гиро, К. А. Соляникова, “Формирование доноров в твердых растворах германий–кремний, имплантированных ионами водорода различной энергии”, Физика и техника полупроводников, 50:8 (2016), 1143–1145 ; Yu. M. Pokotilo, A. N. Petukh, V. V. Litvinov, V. P. Markevich, N. V. Abrosimov, A. S. Kamyshan, A. V. Giro, K. A. Solyanikova, “Formation of donors in germanium–silicon alloys implanted with hydrogen ions with different energies”, Semiconductors, 50:8 (2016), 1122–1124 |
| 3. |
С. Б. Ластовский, В. П. Маркевич, А. С. Якушевич, Л. И. Мурин, В. П. Крылов, “Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых $n^{+}$–$p$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 767–771 ; S. B. Lastovsky, V. P. Markevich, A. S. Yakushevich, L. I. Murin, V. P. Krylov, “Radiation-induced bistable centers with deep levels in silicon $n^{+}$–$p$ structures”, Semiconductors, 50:6 (2016), 751–755 |
11
|
|
2012 |
| 4. |
В. В. Литвинов, А. Н. Петух, Ю. М. Покотило, В. П. Маркевич, С. Б. Ластовский, “Формирование и отжиг радиационных дефектов в легированных оловом кристаллах германия $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 46:5 (2012), 629–632 ; V. V. Litvinov, A. N. Petukh, Yu. M. Pokotilo, V. P. Markevich, S. B. Lastovsky, “Formation and annealing of radiation defects in tin-doped $p$-type germanium crystals”, Semiconductors, 46:5 (2012), 611–614 |
2
|
|
1992 |
| 5. |
Ф. П. Коршунов, В. П. Маркевич, И. Ф. Медведева, Л. И. Мурин, “Об акцепторных уровнях дивакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 2006–2010 |
| 6. |
Д. И. Бринкевич, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, В. В. Петров, “Кинетика образования термодоноров в кристаллах Si $\langle\text{Ge, O}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 682–690 |
|
1984 |
| 7. |
В. Д. Ткачев, Л. Ф. Макаренко, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, “Перестраивающиеся термодоноры в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 526–531 |
|
