|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2018 |
| 1. |
Е. А. Толкачева, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, “Оптические свойства и механизм образования вакансионно-кислородных комплексов V$_{2}$O$_{2}$ и V$_{3}$O$_{2}$ в облученных кристаллах кремния”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 973–979   ; E. A. Tolkacheva, V. P. Markevich, L. I. Murin, “Optical properties and the mechanism of the formation of V$_{2}$O$_{2}$ and V$_{3}$O$_{2}$ vacancy–oxygen complexes in irradiated silicon crystals”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1097–1103 |
6
|
|
2016 |
| 2. |
С. Б. Ластовский, В. П. Маркевич, А. С. Якушевич, Л. И. Мурин, В. П. Крылов, “Радиационно-индуцированные бистабильные центры с глубокими уровнями в кремниевых $n^{+}$–$p$-структурах”, Физика и техника полупроводников, 50:6 (2016), 767–771 ; S. B. Lastovsky, V. P. Markevich, A. S. Yakushevich, L. I. Murin, V. P. Krylov, “Radiation-induced bistable centers with deep levels in silicon $n^{+}$–$p$ structures”, Semiconductors, 50:6 (2016), 751–755 |
11
|
|
2014 |
| 3. |
Л. Ф. Макаренко, Ф. П. Коршунов, С. Б. Ластовский, Л. И. Мурин, М. Молл, И. Пинтилие, “Образование и отжиг метастабильных комплексов межузельный кислород-межузельный углерод в кремнии $n$- и $p$-типа”, Физика и техника полупроводников, 48:11 (2014), 1492–1498 ; L. F. Makarenko, F. P. Korshunov, S. B. Lastovsky, L. I. Murin, M. Moll, I. Pintilie, “Formation and annealing of metastable (interstitial oxygen)-(interstitial carbon) complexes in $n$- and $p$-type silicon”, Semiconductors, 48:11 (2014), 1456–1462 |
5
|
|
1992 |
| 4. |
Ф. П. Коршунов, В. П. Маркевич, И. Ф. Медведева, Л. И. Мурин, “Об акцепторных уровнях дивакансии в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 26:11 (1992), 2006–2010 |
| 5. |
Д. И. Бринкевич, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, В. В. Петров, “Кинетика образования термодоноров в кристаллах Si $\langle\text{Ge, O}\rangle$”, Физика и техника полупроводников, 26:4 (1992), 682–690 |
|
1984 |
| 6. |
В. Д. Ткачев, Л. Ф. Макаренко, В. П. Маркевич, Л. И. Мурин, “Перестраивающиеся термодоноры в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 18:3 (1984), 526–531 |
|
