|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, В. А. Василик, А. Д. Косов, Т. В. Дубинина, М. В. Седова, Л. И. Рябова, “Оптимизация параметров фотостимулированных резистивных переключений в пленках фталоцианинов”, Письма в ЖЭТФ, 114:11 (2021), 742–748  ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, V. A. Vasilik, A. D. Kosov, T. V. Dubinina, M. V. Sedova, L. I. Ryabova, “Optimization of the parameters of light-induced resistive switching in phthalocyanine films”, JETP Letters, 114:11 (2021), 674–680   |
| 2. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, В. А. Василик, А. Д. Косов, Т. В. Дубинина, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Эволюция электронного транспорта при резистивных переключениях в пленках порфиразинов”, Физика и техника полупроводников, 55:3 (2021), 224–228  ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, V. A. Vasilik, A. D. Kosov, T. V. Dubinina, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Evolution of electron transport upon resistive switching in porphyrazine films”, Semiconductors, 55:3 (2021), 296–300 |
1
|
|
2019 |
| 3. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, А. С. Чижов, М. Н. Румянцева, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Оптически индуцированный зарядовый обмен в композитных структурах на основе ZnO с внедренными нанокристаллами CsPbBr$_{3}$”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 824–828 ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, A. S. Chizhov, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Optically induced charge exchange in composite structures based on ZnO with embedded CsPbBr$_{3}$ nanocrystals”, Semiconductors, 53:6 (2019), 814–818 |
1
|
|
2018 |
| 4. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, А. С. Чижов, М. Н. Румянцева, Л. И. Pябова, Д. Р. Хохлов, “Модификация спектров фотопроводимости в композитных структурах ZnO-квантовые точки CdSe под действием дополнительного фотовозбуждения”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018), 763–767 ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, A. S. Chizhov, M. N. Rumyantseva, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Modification of photoconductivity spectra in ZnO–CdSe quantum- dot composites upon exposure to additional photoexcitation”, Semiconductors, 52:7 (2018), 902–906 |
1
|
|
2014 |
| 5. |
К. А. Дроздов, И. В. Крылов, Р. Б. Васильев, А. А. Ирхина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Влияние примеси олова на энергетический спектр и фотоэлектрические свойства наноструктурированных пленок In$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 48:4 (2014), 467–470 ; K. A. Drozdov, I. V. Krylov, R. B. Vasiliev, A. A. Irkhina, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Effect of the tin impurity on the energy spectrum and photoelectric properties of nanostructured In$_2$O$_3$ films”, Semiconductors, 48:4 (2014), 451–454 |
|
2013 |
| 6. |
К. А. Дроздов, В. И. Кочнев, А. А. Добровольский, Р. Б. Васильев, А. В. Бабынина, М. Н. Румянцева, А. М. Гаськов, Л. И. Рябова, Д. Р. Хохлов, “Фотопроводимость композитных структур на основе пористого SnO$_2$, сенсибилизированного нанокристаллами CdSe”, Физика и техника полупроводников, 47:3 (2013), 360–363 ; K. A. Drozdov, V. I. Kochnev, A. A. Dobrovolsky, R. B. Vasiliev, A. V. Babynina, M. N. Rumyantseva, A. M. Gaskov, L. I. Ryabova, D. R. Khokhlov, “Photoconductivity of composite structures based on porous SnO$_2$ sensitized with CdSe nanocrystals”, Semiconductors, 47:3 (2013), 383–386 |
4
|
|
