|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
М. А. Путято, В. В. Преображенский, Б. Р. Семягин, Н. В. Протасевич, И. Б. Чистохин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Васев, А. Ф. Скачков, В. В. Олейник, С. В. Янчур, А. В. Дрондин, “Трехкаскадный InGaP/GaAs/Ge фотоэлектрический преобразователь с утоненной германиевой подложкой”, ЖТФ, 94:5 (2024), 783–794   |
| 2. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Д. Б. Богомолов, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, В. В. Преображенский, “Формирование самоорганизованных квантовых точек в ходе осаждения GaSbP на поверхность AlP”, Физика и техника полупроводников, 58:4 (2024), 185–191 |
|
2023 |
| 3. |
М. А. Путято, Е. А. Емельянов, М. О. Петрушков, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, “Молекулярно-лучевая эпитаксия твердого раствора GaP$_x$As$_{1-x}$: феноменологическое описание зависимости $x$ от условий роста на подложке GaAs(001)”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 79–88 |
| 4. |
Е. А. Емельянов, Т. А. Дель, М. О. Петрушков, А. Г. Настовьяк, А. А. Спирина, Т. А. Гаврилова, Б. Р. Семягин, А. В. Васев, М. А. Путято, В. В. Преображенский, “Массивы квазиодномерных нанокристаллов GaAs, выращенные на окисленной поверхности гетероструктуры Si/GaAs(001): влияние толщины эпитаксиального слоя Si на строение массива”, Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 37–41 |
|
2022 |
| 5. |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, А. В. Васев, Д. С. Абрамкин, Е. А. Емельянов, И. Д. Лошкарев, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, В. В. Преображенский, “Молекулярно-лучевая эпитаксия GaSb на вицинальных подложках Si(001): влияние условий зарождения слоев на их структурные и оптические свойства”, Физика и техника полупроводников, 56:10 (2022), 980–992 |
|
2021 |
| 6. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, Е. А. Емельянов, А. В. Ненашев, М. Ю. Есин, А. В. Васев, М. А. Путято, Д. Б. Богомолов, А. К. Гутаковский, В. В. Преображенский, “Формирование InAs/GaP-гетероструктур с квантовыми ямами на подложках кремния методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 55:2 (2021), 139–146 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, E. A. Emelyanov, A. V. Nenashev, M. Yu. Yesin, A. V. Vasev, M. A. Putyato, D. B. Bogomolov, A. K. Gutakovskii, V. V. Preobrazhenskii, “Formation of InAs/GaP heterostructures with quantum wells on silicon substrates by molecular beam epitaxy”, Semiconductors, 55:2 (2021), 194–201 |
7
|
|
2020 |
| 7. |
М. О. Петрушков, Д. С. Абрамкин, Е. А. Емельянов, М. А. Путято, А. В. Васев, И. Д. Лошкарев, М. Ю. Есин, О. С. Комков, Д. Д. Фирсов, В. В. Преображенский, “Влияние кристаллографической ориентации пленок GaSb на их структурные свойства при гетероэпитаксии на вицинальных подложках Si(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 54:12 (2020), 1289–1295 ; M. O. Petrushkov, D. S. Abramkin, E. A. Emelyanov, M. A. Putyato, A. V. Vasev, I. D. Loshkarev, M. Yu. Yesin, O. S. Komkov, D. D. Firsov, V. V. Preobrazhenskii, “Effect of the crystallographic orientation of GaSb films on their structural properties during MBE heteroepitaxy on vicinal Si(001) substrates”, Semiconductors, 54:12 (2020), 1548–1554 |
3
|
| 8. |
Е. А. Емельянов, А. Г. Настовьяк, М. О. Петрушков, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, М. А. Путято, Н. Л. Шварц, В. А. Швец, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, В. В. Преображенский, “Маска на основе эпитаксиального слоя Si для самокаталитического роста нитевидных нанокристаллов на подложках GaAs (111)$B$ и (100)”, Письма в ЖТФ, 46:4 (2020), 11–14 ; E. A. Emelyanov, A. G. Nastovjak, M. O. Petrushkov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, M. A. Putyato, N. L. Shwartz, V. A. Shvets, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, V. V. Preobrazhenskii, “A mask based on a Si epitaxial layer for the self-catalytic nanowire growth on GaAs (111)$B$ and GaAs (100) substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 161–164 |
1
|
|
2019 |
| 9. |
М. А. Путято, Н. А. Валишева, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, А. В. Васев, А. Ф. Скачков, Г. И. Юрко, И. И. Нестеренко, “Легкий гибкий солнечный элемент на основе гетероэпитаксиальной структуры InGaP/GaAs”, ЖТФ, 89:7 (2019), 1071–1078 ; M. A. Putyato, N. A. Valisheva, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, A. F. Skachkov, G. I. Yurko, I. I. Nesterenko, “A lightweight flexible solar cell based on a heteroepitaxial InGaP/GaAs structure”, Tech. Phys., 64:7 (2019), 1010–1016 |
4
|
| 10. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, В. В. Преображенский, А. К. Гутаковский, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с GaAs/GaP-квантовыми ямами, выращенные на Si-подложках”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1167–1171 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, V. V. Preobrazhenskii, A. K. Gutakovskii, T. S. Shamirzaev, “GaAs/GaP quantum-well heterostructures grown on Si substrates”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1143–1147 |
7
|
| 11. |
Е. А. Емельянов, А. В. Васев, Б. Р. Семягин, М. Ю. Есин, И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, М. А. Путято, М. О. Петрушков, В. В. Преображенский, “Рост твердых растворов InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ на отклоненных подложках GaAs(001) методом молекулярно-лучевой эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 53:4 (2019), 512–519 ; E. A. Emelyanov, A. V. Vasev, B. R. Semyagin, M. Yu. Yesin, I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, M. A. Putyato, M. O. Petrushkov, V. V. Preobrazhenskii, “The growth of InAs$_{x}$Sb$_{1-x}$ solid solutions on miscuted GaAs(001) substrates by molecular-beam epitaxy method”, Semiconductors, 53:4 (2019), 503–510 |
2
|
|
2018 |
| 12. |
Д. С. Абрамкин, М. О. Петрушков, М. А. Путято, Б. Р. Семягин, Т. С. Шамирзаев, “Гетероструктуры с InAs/AlAs квантовыми ямами и квантовыми точками, выращенные на гибридных подложках GaAs/Si”, Физика и техника полупроводников, 52:11 (2018), 1373–1379 ; D. S. Abramkin, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, B. R. Semyagin, T. S. Shamirzaev, “Heterostructures with InAs/AlAs quantum wells and quantum dots grown on GaAs/Si hybrid substrates”, Semiconductors, 52:11 (2018), 1484–1490 |
2
|
| 13. |
М. О. Петрушков, М. А. Путято, И. Б. Чистохин, Б. Р. Семягин, Е. А. Емельянов, М. Ю. Есин, Т. А. Гаврилова, А. В. Васев, В. В. Преображенский, “Метод диффузии цинка в InP через узкий зазор с использованием планарного источника на основе Zn$_{3}$P$_{2}$”, Письма в ЖТФ, 44:14 (2018), 19–25 ; M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, I. B. Chistokhin, B. R. Semyagin, E. A. Emelyanov, M. Yu. Yesin, T. A. Gavrilova, A. V. Vasev, V. V. Preobrazhenskii, “Zinc diffusion into InP via a narrow gap from a planar Zn$_{3}$P$_{2}$-based source”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 612–614 |
2
|
| 14. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. О. Петрушков, М. А. Путято, “Рентгеноструктурный анализ эпитаксиальных слоев со свойствами дислокационного фильтра”, Письма в ЖТФ, 44:13 (2018), 19–27 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. O. Petrushkov, M. A. Putyato, “X-ray diffraction analysis of epitaxial layers with the properties of a dislocation filter”, Tech. Phys. Lett., 44:7 (2018), 562–565 |
|
2017 |
| 15. |
И. Д. Лошкарев, А. П. Василенко, Е. М. Труханов, А. В. Колесников, М. А. Путято, М. Ю. Есин, М. О. Петрушков, “Структурное состояние эпитаксиальных пленок GaP разных полярностей на отклоненных подложках Si(001)”, Письма в ЖТФ, 43:4 (2017), 64–71 ; I. D. Loshkarev, A. P. Vasilenko, E. M. Trukhanov, A. V. Kolesnikov, M. A. Putyato, M. Yu. Yesin, M. O. Petrushkov, “The structural state of epitaxial GaP films of different polarities grown on misoriented Si(001) substrates”, Tech. Phys. Lett., 43:2 (2017), 213–215 |
3
|
|
