|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
И. А. Краснова, Е. Р. Закиров, Г. Ю. Сидоров, И. В. Сабинина, “Низкотемпературные обработки поверхности CdHgTe методом PE-ALD перед осаждением HfO$_2$”, Физика и техника полупроводников, 58:3 (2024), 120–125   |
| 2. |
Е. Р. Закиров, Г. Ю. Сидоров, И. А. Краснова, В. А. Голяшов, С. А. Пономарев, О. Е. Терещенко, И. В. Марчишин, “Пассивация поверхности CdHgTe с использованием низкотемпературного плазменно-стимулированного атомно-слоевого осаждения HfO$_2$”, Письма в ЖТФ, 50:16 (2024), 7–10 |
|
2023 |
| 3. |
Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, В. С. Варавин, “Вода – источник электрически активных центров в CdHgTe”, Физика и техника полупроводников, 57:2 (2023), 114–119 |
| 4. |
А. Э. Климов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, Е. В. Федосенко, О. Е. Терещенко, “Фоточувствительность полевого транзистора металл-диэлектрик-полупроводник на основе пленки PbSnTe:In с составом вблизи инверсии зон”, Письма в ЖТФ, 49:3 (2023), 22–25 |
1
|
|
2022 |
| 5. |
Е. Р. Закиров, В. Г. Кеслер, Г. Ю. Сидоров, Д. В. Горшков, А. П. Ковчавцев, “Анализ вольт-фарадных характеристик МДП-структур с ALD Al$_2$O$_3$ на $n$- и $p$-CdHgTe, стабилизированном сверхтонким собственным оксидом”, Физика и техника полупроводников, 56:9 (2022), 915–921 |
| 6. |
А. Э. Климов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, Н. С. Пащин, С. П. Супрун, О. Е. Терещенко, “МДП транзистор на основе пленки PbSnTe : In с подзатворным диэлектриком Al$_2$O$_3$”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 243–249 |
| 7. |
Д. В. Горшков, Е. Р. Закиров, Г. Ю. Сидоров, И. В. Сабинина, Д. В. Марин, “Исследование структур металл–диэлектрик–полупроводник на основе CdHgTe и HfO$_2$”, Письма в ЖТФ, 48:19 (2022), 16–19 |
|
2021 |
| 8. |
Г. Ю. Сидоров, Ю. Г. Сидоров, В. А. Швец, В. С. Варавин, “Образование акцепторных центров в CdHgTe под воздействием воды и термообработок”, Физика и техника полупроводников, 55:4 (2021), 331–335 ; G. Yu. Sidorov, Yu. G. Sidorov, V. A. Shvets, V. S. Varavin, “Formation of acceptor centers in CdHgTe as a result of water and heat treatments”, Semiconductors, 55:5 (2021), 461–465 |
| 9. |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, “Aдмиттанс МДП-структур на основе $nBn$-систем из эпитаксиального HgCdTe, разработанных для детектирования в спектральном диапазоне 3–5 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 47:12 (2021), 34–37 ; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, “Admittance of MIS structures based on $nBn$ systems of epitaxial HgCdTe for detection in the 3–5 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 47:9 (2021), 629–632 |
1
|
| 10. |
А. В. Войцеховский, С. Н. Несмелов, С. М. Дзядух, В. С. Варавин, С. А. Дворецкий, Н. Н. Михайлов, Г. Ю. Сидоров, М. В. Якушев, Д. В. Марин, “Влияние имплантации ионов As$^{+}$ и последующего отжига на электрические свойства приповерхностных слоев варизонных пленок $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te”, Письма в ЖТФ, 47:4 (2021), 33–35 ; A. V. Voitsekhovskii, S. N. Nesmelov, S. M. Dzyadukh, V. S. Varavin, S. A. Dvoretskii, N. N. Mikhailov, G. Yu. Sidorov, M. V. Yakushev, D. V. Marin, “The effect of As$^+$ ion implantation and annealing on the electrical properties of near-surface layers in graded-gap $n$-Hg$_{0.78}$Cd$_{0.22}$Te films”, Tech. Phys. Lett., 47:2 (2021), 189–192 |
|
2020 |
| 11. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Е. В. Матюшенко, И. Г. Неизвестный, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, О. Е. Терещенко, В. С. Эпов, “Особенности МДП-структур на основе изолирующих пленок PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон, обусловленные их сегнетоэлектрическими свойствами”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020), 1122–1128 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, E. V. Matyushenko, I. G. Neizvestnyi, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, O. E. Tereshchenko, V. S. Epov, “Features of MIS structures based on insulating PbSnTe:In films with the composition in the vicinity of the band inversion related to their ferroelectric properties”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1325–1331 |
1
|
| 12. |
Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Д. В. Марин, М. В. Якушев, “Влияние ростовой температуры на пассивирующие свойства пленок Al$_{2}$O$_{3}$, выращенных методом атомно-слоевого осаждения на поверхности CdHgTe”, Письма в ЖТФ, 46:15 (2020), 14–17 ; D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, D. V. Marin, M. V. Yakushev, “The effect of the growth temperature on the passivating properties of the Al$_{2}$O$_{3}$ films formed by atomic layer deposition on the CdHgTe surface”, Tech. Phys. Lett., 46:8 (2020), 741–744 |
7
|
| 13. |
А. П. Ковчавцев, М. С. Аксенов, A. Е. Настовьяк, Н. А. Валишева, Д. В. Горшков, Г. Ю. Сидоров, Д. В. Дмитриев, “Исследование плотности интерфейсных состояний на границах раздела диэлектрик/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As”, Письма в ЖТФ, 46:10 (2020), 10–13 ; A. P. Kovchavtsev, M. S. Aksenov, A. E. Nastovjak, N. A. Valisheva, D. V. Gorshkov, G. Yu. Sidorov, D. V. Dmitriev, “Study of the density of interface states at the insulator/In$_{0.52}$Al$_{0.48}$As interface”, Tech. Phys. Lett., 46:5 (2020), 469–472 |
|
2019 |
| 14. |
А. Э. Климов, А. Н. Акимов, И. О. Ахундов, В. А. Голяшов, Д. В. Горшков, Д. В. Ищенко, Г. Ю. Сидоров, С. П. Супрун, А. С. Тарасов, В. С. Эпов, О. Е. Терещенко, “Динамика поверхностной проводимости в пленках PbSnTe : In с составом вблизи инверсии зон”, Физика и техника полупроводников, 53:9 (2019), 1207–1211 ; A. E. Klimov, A. N. Akimov, I. O. Akhundov, V. A. Golyashov, D. V. Gorshkov, D. V. Ishchenko, G. Yu. Sidorov, S. P. Suprun, A. S. Tarasov, V. S. Epov, O. E. Tereshchenko, “Surface сonductivity dynamics in PbSnTe : In films in the vicinity of a band inversion”, Semiconductors, 53:9 (2019), 1182–1186 |
2
|
|
2016 |
| 15. |
В. С. Варавин, В. В. Васильев, А. А. Гузев, С. А. Дворецкий, А. П. Ковчавцев, Д. В. Марин, И. В. Сабинина, Ю. Г. Сидоров, Г. Ю. Сидоров, А. В. Царенко, М. В. Якушев, “Гетероструктуры CdHgTe для нового поколения ИК фотоприемников, работающих при повышенных температурах”, Физика и техника полупроводников, 50:12 (2016), 1652–1656 ; V. S. Varavin, V. V. Vasilyev, A. A. Guzev, S. A. Dvoretskii, A. P. Kovchavtsev, D. V. Marin, I. V. Sabinina, Yu. G. Sidorov, G. Yu. Sidorov, A. V. Tsarenko, M. V. Yakushev, “CdHgTe heterostructures for new-generation IR photodetectors operating at elevated temperatures”, Semiconductors, 50:12 (2016), 1626–1629 |
4
|
|
