|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Н. Ф. Зикриллаев, С. В. Ковешников, С. Б. Исамов, Б. А. Абдурахманов, Г. А. Кушиев, “Спектральная зависимость фотопроводимости варизонных структур типа Ge$_x$Si$_{1-x}$, полученных диффузионной технологией”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 495–497   |
2
|
| 2. |
М. К. Бахадирханов, Н. Ф. Зикриллаев, С. Б. Исамов, Х. С. Турекеев, С. А. Валиев, “Влияние наличия достаточно высокой концентрации фосфора на концентрационное распределение галлия в кремнии”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 199–203 |
1
|
|
2021 |
| 3. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, “Физические основы формирования гетероваризонной структуры на основе кремния”, ЖТФ, 91:11 (2021), 1678–1684 |
2
|
| 4. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Н. Ф. Зикриллаев, М. О. Турсунов, “Аномальные фотоэлектрические явления в кремнии с нанокластерами атомов марганца”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 489–492 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, N. F. Zikrillaev, M. O. Tursunov, “Anomalous photoelectric phenomena in silicon with nanoclusters of manganese atoms”, Semiconductors, 55:6 (2021), 542–545 |
10
|
|
2020 |
| 5. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Ш. Н. Ибодуллаев, С. В. Ковешников, Н. Норкулов, “Стимулированная электрическим полем фотопроводимость в области 3–8 $\mu$m в кремнии с нанокластерами атомов марганца”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020), 37–40 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, Sh. N. Ibodullaev, S. V. Koveshnikov, N. Norkulov, “Electric field-stimulated photoconductivity in silicon with manganese atom nanoclusters in the range of 3–8 $\mu$m”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1192–1195 |
|
2019 |
| 6. |
М. К. Бахадырханов, Х. М. Илиев, Г. Х. Мавлонов, К. С. Аюпов, С. Б. Исамов, С. А. Тачилин, “Кремний с магнитными нанокластерами атомов марганца – новый класс фотомагнитных материалов”, ЖТФ, 89:3 (2019), 421–425 ; M. K. Bakhadyrkhanov, H. M. Iliev, G. Kh. Mavlonov, K. S. Ayupov, S. B. Isamov, S. A. Tachilin, “Silicon with magnetic nanoclusters of manganese atoms as a new ferromagnetic material”, Tech. Phys., 64:3 (2019), 385–388 |
13
|
| 7. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, З. Т. Кенжаев, С. В. Ковешников, “Изучение влияния легирования никелем кремниевых солнечных элементов с глубоким $p$–$n$-переходом”, Письма в ЖТФ, 45:19 (2019), 3–6 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, Z. T. Kenzhaev, S. V. Koveshnikov, “Studying the effect of doping with nickel on silicon-based solar cells with a deep $p$–$n$-junction”, Tech. Phys. Lett., 45:10 (2019), 959–962 |
10
|
|
2016 |
| 8. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, “ИК фотоприемники, работающие при наличии фонового освещения”, ЖТФ, 86:3 (2016), 140–142 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, “IR photodetectors operating under background illumination”, Tech. Phys., 61:3 (2016), 458–460 |
4
|
|
2015 |
| 9. |
М. К. Бахадырханов, С. Б. Исамов, Х. М. Илиев, Х. У. Камалов, “Аномально большое время жизни дырок в кремнии c нанокластерами атомов марганца”, Физика и техника полупроводников, 49:10 (2015), 1376–1378 ; M. K. Bakhadyrkhanov, S. B. Isamov, H. M. Iliev, A. U. Kamalov, “Anomalously long lifetime of holes in silicon with nanoclusters of manganese atoms”, Semiconductors, 49:10 (2015), 1332–1334 |
1
|
|
