|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2024 |
| 1. |
Н. А. Калюжный, С. С. Кижаев, С. А. Минтаиров, А. А. Пивоварова, Р. А. Салий, А. В. Черняев, “Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 50:17 (2024), 15–18   |
|
2021 |
| 2. |
А. А. Семакова, А. М. Смирнов, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. А. Пивоварова, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Спектральные и электрические свойства светодиодных гетероструктур с активной областью на основе InAs”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 682–687 |
| 3. |
А. А. Семакова, Н. Л. Баженов, К. Д. Мынбаев, А. В. Черняев, С. С. Кижаев, Н. Д. Стоянов, “Исследование вольт-амперных характеристик светодиодных гетероструктур на основе InAsSb в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 55:6 (2021), 502–506 ; A. A. Semakova, N. L. Bazhenov, K. J. Mynbaev, A. V. Chernyaev, S. S. Kizhaev, N. D. Stoyanov, “Study of the current–voltage characteristics of InAsSb-based LED heterostructures in the 4.2–300 K temperature range”, Semiconductors, 55:6 (2021), 557–561 |
1
|
|
2020 |
| 4. |
А. А. Семакова, С. Н. Липницкая, К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, С. С. Кижаев, А. В. Черняев, Н. Д. Стоянов, H. Lipsanen, “Экспериментальное исследование и моделирование спектральных характеристик светодиодных гетероструктур с активной областью из InAs”, Письма в ЖТФ, 46:3 (2020), 51–54 ; A. A. Semakova, S. N. Lipnitskaya, K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, S. S. Kizhaev, A. V. Chernyaev, N. D. Stoyanov, H. Lipsanen, “Experimental study and simulation of the spectral characteristics of LED heterostructures with an inas active region”, Tech. Phys. Lett., 46:2 (2020), 150–153 |
2
|
|
2017 |
| 5. |
К. Д. Мынбаев, Н. Л. Баженов, А. А. Семакова, М. П. Михайлова, Н. Д. Стоянов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, А. П. Астахова, А. В. Черняев, H. Lipsanen, В. Е. Бугров, “Электролюминесценция светодиодных гетероструктур InAs/InAs(Sb)/InAsSbP в диапазоне температур 4.2–300 K”, Физика и техника полупроводников, 51:2 (2017), 247–252 ; K. J. Mynbaev, N. L. Bazhenov, A. A. Semakova, M. P. Mikhailova, N. D. Stoyanov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, A. P. Astakhova, A. V. Chernyaev, H. Lipsanen, V. E. Bugrov, “Electroluminescence of InAs/InAs(Sb)/InAsSbP LED heterostructures in the temperature range 4.2–300 K”, Semiconductors, 51:2 (2017), 239–244 |
5
|
|
2012 |
| 6. |
А. А. Петухов, С. С. Кижаев, С. С. Молчанов, Н. Д. Стоянов, Ю. П. Яковлев, “Электрические и электролюминесцентные свойста светодиодов $\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m на основе InAsSb в интервале температур 20–200$^\circ$C”, ЖТФ, 82:1 (2012), 73–76 ; A. A. Petukhov, S. S. Kizhaev, S. S. Molchanov, N. D. Stoyanov, Yu. P. Yakovlev, “Electrical and electroluminescent properties of InAsSb-Based LEDs ($\lambda$ = 3.85–3.95 $\mu$m) in the temperature interval 20–200$^\circ$C”, Tech. Phys., 57:1 (2012), 69–73 |
3
|
| 7. |
Е. А. Гребенщикова, А. Н. Именков, С. С. Кижаев, А. С. Головин, Ю. П. Яковлев, “Исследование эффективности вывода излучения из меза-светодиодов на основе узкозонной активной области InAsSb”, Физика и техника полупроводников, 46:2 (2012), 247–251 ; E. A. Grebenshchikova, A. N. Imenkov, S. S. Kizhaev, A. S. Golovin, Yu. P. Yakovlev, “Study of the emission extraction efficiency of mesa-LEDs with a narrow-gap InAsSb active region”, Semiconductors, 46:2 (2012), 236–240 |
|
2011 |
| 8. |
А. С. Головин, А. А. Петухов, С. С. Кижаев, Ю. П. Яковлев, “Светодиоды на основе гетероструктур InAsSbP/InAsSb ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) для детектирования угарного газа”, Письма в ЖТФ, 37:11 (2011), 15–19 ; A. S. Golovin, A. A. Petukhov, S. S. Kizhaev, Yu. P. Yakovlev, “LEDs based on InAsSbP/InAsSb heterostructures ($\lambda$ = 4.7 $\mu$m) for carbon monoxide detection”, Tech. Phys. Lett., 37:6 (2011), 497–499 |
|
