|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, Я. Я. Понуровский, А. И. Надеждинский, А. С. Кузьмичев, Д. Б. Ставровский, М. В. Спиридонов, “Фотоприемники на основе гетероструктур GaInAsSb/GaAlAsSb для практических задач прецизионной диодной лазерной спектроскопии”, Физика и техника полупроводников, 56:5 (2022), 508–515   |
1
|
|
2021 |
| 2. |
Е. В. Куницына, А. А. Пивоварова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Неохлаждаемые фотодиоды для регистрации импульсного инфракрасного излучения в спектральном диапазоне 0.9–1.8 мкм”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021), 607–613 ; E. V. Kunitsyna, A. A. Pivovarova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Uncooled photodiodes for detecting pulsed infrared radiation in the spectral range of 0.9–1.8 $\mu$m”, Semiconductors, 55:7 (2021), 601–607 |
1
|
|
2018 |
| 3. |
Е. В. Куницына, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Э. В. Иванов, А. А. Пивоварова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды для ближней инфракрасной области спектра на основе GaSb/GaAlAsSb-гетероструктур”, Физика и техника полупроводников, 52:9 (2018), 1094–1099 ; E. V. Kunitsyna, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, A. A. Pivovarova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “GaSb/GaAlAsSb heterostructure photodiodes for the near-IR spectral range”, Semiconductors, 52:9 (2018), 1215–1220 |
5
|
| 4. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Л. В. Данилов, Э. В. Иванов, Е. В. Куницына, Н. Д. Ильинская, Р. В. Левин, Б. В. Пушный, Ю. П. Яковлев, “Эффект увеличения фотопроводимости в гетероструктуре II типа $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb с одиночной квантовой ямой”, Физика и техника полупроводников, 52:8 (2018), 906–911 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, L. V. Danilov, E. V. Ivanov, E. V. Kunitsyna, N. D. Il'inskaya, R. V. Levin, B. V. Pushnii, Yu. P. Yakovlev, “Photoconductivity amplification in a type-II $n$-GaSb/InAs/$p$-GaSb heterostructure with a single QW”, Semiconductors, 52:8 (2018), 1037–1042 |
1
|
|
2016 |
| 5. |
Е. В. Куницына, Е. А. Гребенщикова, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение спектральной чувствительности фотодиодов для средней инфракрасной области спектра”, Физика и техника полупроводников, 50:10 (2016), 1420–1424 ; E. V. Kunitsyna, E. A. Grebenshchikova, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Enhancement of the spectral sensitivity of photodiodes for the mid-IR spectral range”, Semiconductors, 50:10 (2016), 1403–1407 |
3
|
|
2015 |
| 6. |
И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, А. А. Пивоварова, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, В. В. Шерстнев, Ю. П. Яковлев, “Фотоэлектрические свойства фотодиодов на основе гетероструктур InAs/InAsSbP с диаметрами фоточувствительной площадки 0.1–2.0 мм”, Физика и техника полупроводников, 49:12 (2015), 1720–1726 ; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, A. A. Pivovarova, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, V. V. Sherstnev, Yu. P. Yakovlev, “Photoelectric properties of photodiodes based on InAs/InAsSbP heterostructures with photosensitive-area diameters of 0.1–2.0 mm”, Semiconductors, 49:12 (2015), 1671–1677 |
5
|
|
2013 |
| 7. |
И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Г. С. Соколовский, В. В. Дюделев, Н. Д. Ильинская, Г. Г. Коновалов, Е. В. Куницына, Ю. П. Яковлев, “Быстродействующие фотодиоды для средней инфракрасной области спектра 1.2–2.4 мкм на основе гетероструктур GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb с полосой пропускания 2–5 ГГц”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1109–1115 ; I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, G. S. Sokolovskii, V. V. Dyudelev, N. D. Il'inskaya, G. G. Konovalov, E. V. Kunitsyna, Yu. P. Yakovlev, “High-speed photodiodes for the mid-infrared spectral region 1.2–2.4 $\mu$m based on GaSb/GaInAsSb/GaAlAsSb heterostructures with a transmission band of 2–5 GHz”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1103–1109 |
17
|
| 8. |
М. П. Михайлова, И. А. Андреев, Э. В. Иванов, Г. Г. Коновалов, Е. А. Гребенщикова, Ю. П. Яковлев, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Фотоэлектрические и люминесцентные свойства наногетероструктур на основе GaSb с глубокой квантовой ямой Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb, выращенных методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 47:8 (2013), 1037–1042 ; M. P. Mikhailova, I. A. Andreev, È. V. Ivanov, G. G. Konovalov, E. A. Grebenshchikova, Yu. P. Yakovlev, E. Hulicius, A. Hospodkova, Y. Pangrac, “Photoelectric and luminescence properties of GaSb-Based nanoheterostructures with a deep Al(As)Sb/InAsSb/Al(As)Sb quantum well grown by metalorganic vapor-phase epitaxy”, Semiconductors, 47:8 (2013), 1041–1045 |
2
|
| 9. |
А. Н. Именков, Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой чувствительности фотодиодов на основе гетероструктуры InAs/InAsSb/InAsSbP”, Физика и техника полупроводников, 47:5 (2013), 690–695 ; A. N. Imenkov, E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, Yu. P. Yakovlev, “Improvement in the quantum sensitivity of InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructure photodiodes”, Semiconductors, 47:5 (2013), 701–706 |
2
|
|
2012 |
| 10. |
Е. А. Гребенщикова, Д. А. Старостенко, В. В. Шерстнев, Г. Г. Коновалов, И. А. Андреев, О. Ю. Серебренникова, Н. Д. Ильинская, Ю. П. Яковлев, “Повышение квантовой эффективности фотодиодов за счет изменения направления световых потоков в гетероструктуре InAs/InAsSb/InAsSbP”, Письма в ЖТФ, 38:10 (2012), 43–49 ; E. A. Grebenshchikova, D. A. Starostenko, V. V. Sherstnev, G. G. Konovalov, I. A. Andreev, O. Yu. Serebrennikova, N. D. Il'inskaya, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAsSb/InAsSbP heterostructures with quantum efficiency increased by changing directions of reflected light fluxes”, Tech. Phys. Lett., 38:5 (2012), 470–473 |
3
|
|
2011 |
| 11. |
В. В. Шерстнев, Д. Старостенко, И. А. Андреев, Г. Г. Коновалов, Н. Д. Ильинская, О. Ю. Серебренникова, Ю. П. Яковлев, “Фотодиоды на основе гетероструктур InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP для спектрального диапазона 2.5–4.9 $\mu$m”, Письма в ЖТФ, 37:1 (2011), 11–17 ; V. V. Sherstnev, D. Starostenko, I. A. Andreev, G. G. Konovalov, N. D. Il'inskaya, O. Yu. Serebrennikova, Yu. P. Yakovlev, “Photodiodes based on InAs/InAs$_{0.88}$Sb$_{0.12}$/InAsSbP heterostructures for 2.5–4.9 $\mu$m spectral range”, Tech. Phys. Lett., 37:1 (2011), 5–7 |
|
|
|
2018 |
| 12. |
L. V. Danilov, M. P. Mikhailova, R. V. Levin, G. G. Konovalov, E. V. Ivanov, I. A. Andreev, B. V. Pushnyi, G. G. Zegrya, “Enhancement of photoconductivity by carrier screening effect in $n$-GaSb/$n$-InAs/$p$-GaSb heterostructure with single deep quantum well”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 476 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 493–496 |
1
|
|
