Персоналии
RUS  ENG    ЖУРНАЛЫ   ПЕРСОНАЛИИ   ОРГАНИЗАЦИИ   КОНФЕРЕНЦИИ   СЕМИНАРЫ   ВИДЕОТЕКА   ПАКЕТ AMSBIB  
 
Салий Роман Александрович

https://www.mathnet.ru/rus/person183190
Список публикаций на Google Scholar

Публикации в базе данных Math-Net.Ru Цитирования
2025
1. С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния”, Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025),  328–331  mathnet
2. М. З. Шварц, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, С. А. Левина, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  291–293  mathnet
3. А. Д. Малевская, М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Д. А. Малевский, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Влияние резистивных параметров фотоэлектрических преобразователей на карты электролюминесценции и вольт-амперные характеристики”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025),  281–285  mathnet
4. Р. А. Салий, А. В. Малевская, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, “Экспериментально-аналитическое исследование проблемы компенсации механических напряжений в системе InGaAs множественных квантовых ям для излучателей ближнего инфракрасного диапазона”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025),  190–194  mathnet
5. В. Ю. Аксенов, А. С. Власов, А. В. Анкудинов, Н. А. Берт, Н. А. Калюжный, Н. В. Павлов, Е. В. Пирогов, Р. А. Салий, И. П. Сошников, А. С. Щенин, А. М. Минтаиров, “Сегнетоэлектрические свойства твердых растворов (Al,Ga)InP$_2$”, Физика и техника полупроводников, 59:3 (2025),  130–135  mathnet
6. С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, В. В. Олейник, Р. А. Салий, А. Ф. Скачков, Л. Н. Скачкова, М. З. Шварц, “Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 51:13 (2025),  40–43  mathnet  elib
2024
7. Р. А. Салий, А. В. Малевская, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, “Управление параметрами InGaAs квантовых ям в активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона (850–960 nm)”, Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1146–1149  mathnet  elib
8. А. С. Власов, В. Ю. Аксенов, А. В. Анкудинов, Н. А. Берт, Н. А. Калюжный, Д. В. Лебедев, Р. А. Салий, Е. В. Пирогов, А. М. Минтаиров, “Влияние степени атомного упорядочения на сегнетоэлектрические свойства твердых растворов GaInP$_2$”, Оптика и спектроскопия, 132:11 (2024),  1127–1130  mathnet  elib
9. К. А. Гаврилов, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Исследование вхождения атомов V группы в арсенид-фосфидные твердые растворы, выращенные методом газофазной эпитаксии при использовании (CH$_3$)$_3$As в качестве источника мышьяка”, Физика и техника полупроводников, 58:10 (2024),  541–543  mathnet  elib
10. А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Р. А. Салий, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович, Д. А. Малевский, “Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 50:18 (2024),  22–26  mathnet  elib
11. Н. А. Калюжный, С. С. Кижаев, С. А. Минтаиров, А. А. Пивоварова, Р. А. Салий, А. В. Черняев, “Фотоприемники с длинноволновой границей 2.4 $\mu$m на основе метаморфных InGaAs/InP-гетероструктур, выращенных методом металлоорганической газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 50:17 (2024),  15–18  mathnet  elib
12. М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Токовый инвариант как метод поиска оптимальной ширины запрещенной зоны субэлементов многопереходных солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 50:5 (2024),  32–34  mathnet  elib
2023
13. А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Ф. Ю. Солдатенков, Р. В. Левин, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, П. В. Покровский, В. Р. Ларионов, В. М. Андреев, “Исследование технологии изготовления мощных ИК (850 nm) светодиодов, получаемых методом переноса AlGaAs–GaAs-гетероструктуры на подложку-носитель”, ЖТФ, 93:1 (2023),  170–174  mathnet  elib 3
14. М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, “Влияние температуры на ток через различные рекомбинационные каналы в GaAs-солнечных элементах с GaInAs-квантовыми точками”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  700–705  mathnet  elib
15. А. С. Власов, К. М. Афанасьев, А. И. Галимов, Н. А. Калюжный, Д. В. Лебедев, А. В. Малевская, С. А. Минтаиров, М. В. Рахлин, Р. А. Салий, А. М. Можаров, И. С. Мухин, А. М. Минтаиров, “Пространственно-селективная эпитаксия квантовых точек InP/GaInP$_2$ из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 57:8 (2023),  620–623  mathnet  elib
16. Р. А. Салий, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Н. А. Калюжный, “Эпитаксиальные гетероструктуры активной области светодиодов ближнего инфракрасного диапазона”, Физика и техника полупроводников, 57:7 (2023),  538–541  mathnet  elib
17. С. А. Минтаиров, А. В. Малевская, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm”, Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  32–34  mathnet  elib
18. А. И. Баранов, А. В. Уваров, А. А. Максимова, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Г. Е. Яковлев, В. И. Зубков, А. С. Гудовских, “Исследование квантовых ям InP/GaP, полученных методом газофазной эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 49:6 (2023),  16–20  mathnet  elib
2022
19. С. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm”, Письма в ЖТФ, 48:5 (2022),  24–26  mathnet  elib
20. С. А. Минтаиров, С. А. Блохин, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, Н. А. Малеев, А. М. Надточий, Р. А. Салий, Н. В. Крыжановская, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы на основе квантовых ям-точек InGaAs/GaAs”, Письма в ЖТФ, 48:4 (2022),  32–35  mathnet  elib
2021
21. А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021),  1218–1222  mathnet  elib 2
22. А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. Н. Паньчак, П. В. Покровский, Н. С. Потапович, В. М. Андреев, “Влияние внутренних отражателей на эффективность инфракрасных (850 нм) светодиодов”, Физика и техника полупроводников, 55:7 (2021),  614–617  mathnet  elib; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. N. Panchak, P. V. Pokrovskii, N. S. Potapovich, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 7
23. Р. А. Салий, М. А. Минтаиров, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021),  28–31  mathnet  elib
24. М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021),  51–54  mathnet  elib
25. А. В. Уваров, А. И. Баранов, Е. А. Вячеславова, Н. А. Калюжный, Д. А. Кудряшов, А. А. Максимова, И. А. Морозов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. С. Гудовских, “Формирование гетероструктур GaP/Si-фотопреобразователей с помощью комбинации методов МОС-гидридной эпитаксии и атомно-слоевого плазмохимического осаждения”, Письма в ЖТФ, 47:14 (2021),  51–54  mathnet  elib; A. V. Uvarov, A. I. Baranov, E. A. Vyacheslavova, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Kudriashov, A. A. Maksimova, I. A. Morozov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. S. Gudovskikh, “Formation of heterostructures of GaP/Si photoconverters by the combined method of MOVPE and PEALD”, Tech. Phys. Lett., 47:10 (2021), 730–733 5
26. С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021),  29–31  mathnet  elib; S. A. Mintairov, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Increasing the efficiency of 520- to 540-nm laser radiation photovoltaic converters based on GaInP/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 290–292
2020
27. Р. А. Салий, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, В. Н. Неведомский, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Сравнительный анализ оптических и физических свойств квантовых точек InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As и фотоэлектрических преобразователей на их основе”, Физика и техника полупроводников, 54:10 (2020),  1079–1087  mathnet  elib; R. A. Salii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, V. N. Nevedomskiy, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Comparative analysis of the optical and physical properties of inas and InAs, In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As quantum dots and solar cells based on them”, Semiconductors, 54:10 (2020), 1267–1275 4
28. В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020),  400–407  mathnet  elib; V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, “Effects of doping of bragg reflector layers on the electrical characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic photovoltaic converters”, Semiconductors, 54:4 (2020), 476–483 2
29. С. А. Минтаиров, И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020),  11–14  mathnet  elib; S. A. Mintairov, I. M. Gadzhiev, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “High-speed photodetectors for the 950–1100 nm optical range based on In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs quantum well-dot nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1219–1222 1
30. В. С. Эполетов, А. Е. Маричев, Б. В. Пушный, Р. А. Салий, “Электрические контакты к структурам на основе InP с подконтактным слоем к $p$-InP, легированным Zn”, Письма в ЖТФ, 46:23 (2020),  13–14  mathnet  elib; V. S. Epoletov, A. E. Marichev, B. V. Pushnii, R. A. Salii, “Electrical contacts to InP-based structures with a Zn-doped subcontact layer to $p$-InP”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1167–1169 1
31. М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Влияние числа рядов GaInAs-квантовых объектов на ток насыщения GaAs-фотопреобразователей”, Письма в ЖТФ, 46:12 (2020),  30–33  mathnet  elib; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “The influence of the number of rows of GaInAs quantum objects on the saturation current of GaAs photoconverters”, Tech. Phys. Lett., 46:6 (2020), 599–602 2
2018
32. М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Рекомбинация в GaAs $p$-$i$-$n$-структурах с InGaAs квантово-размерными объектами: моделирование и закономерности”, Физика и техника полупроводников, 52:10 (2018),  1126–1130  mathnet  elib; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, S. A. Mintairov, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Recombination in GaAs $p$-$i$-$n$ structures with InGaAs quantum-confined objects: modeling and regularities”, Semiconductors, 52:10 (2018), 1244–1248 7
33. Р. А. Салий, И. С. Косарев, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As квантовые точки для GaAs-фотопреобразователей: особенности роста, исследование методом металлорганической газофазной эпитаксии, и свойства”, Физика и техника полупроводников, 52:7 (2018),  729–735  mathnet  elib; R. A. Salii, I. S. Kosarev, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “In$_{0.8}$Ga$_{0.2}$As quantum dots for GaAs solar cells: metal-organic vapor-phase epitaxy growth peculiarities and properties”, Semiconductors, 52:7 (2018), 870–876 2
2017
34. Д. В. Рыбальченко, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Оптимизация структурных и ростовых параметров метаморфных InGaAs-фотопреобразователей, полученных методом МОС-гидридной эпитаксии”, Физика и техника полупроводников, 51:1 (2017),  94–100  mathnet  elib; D. V. Rybalchenko, S. A. Mintairov, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Optimization of structural and growth parameters of metamorphic InGaAs photovoltaic converters grown by MOCVD”, Semiconductors, 51:1 (2017), 93–99 18
2016
35. С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Д. В. Рыбальченко, Р. А. Салий, Н. Х. Тимошина, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Гетероструктуры метаморфных GaInAs-фотопреобразователей, полученные методом МОС-гидридной эпитаксии на подложках GaAs”, Физика и техника полупроводников, 50:4 (2016),  525–530  mathnet  elib; S. A. Mintairov, V. M. Emelyanov, D. V. Rybalchenko, R. A. Salii, N. Kh. Timoshina, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Heterostructures of metamorphic GaInAs photovoltaic converters fabricated by MOCVD on GaAs substrates”, Semiconductors, 50:4 (2016), 517–522 10
2015
36. Р. А. Салий, С. А. Минтаиров, П. Н. Брунков, А. М. Надточий, А. С. Паюсов, Н. А. Калюжный, “Определение технологических параметров роста в системе InAs–GaAs для синтеза “многомодальных” квантовых точек InAs методом газофазной эпитаксии из металлоорганических соединений”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1136–1143  mathnet  elib; R. A. Salii, S. A. Mintairov, P. N. Brunkov, A. M. Nadtochiy, A. S. Payusov, N. A. Kalyuzhnyy, “Determination of the technological growth parameters in the InAs–GaAs system for the MOCVD synthesis of “Multimodal” InAs QDs”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1111–1118 10
37. А. С. Власов, А. М. Минтаиров, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, А. И. Денисюк, Р. А. Бабунц, “Пространственно-контролируемый рост одиночных квантовых точек InP”, Физика и техника полупроводников, 49:8 (2015),  1120–1123  mathnet  elib; A. S. Vlasov, A. M. Mintairov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, R. A. Salii, A. I. Denisyuk, R. A. Babunts, “Site-Controlled Growth of Single InP QDs”, Semiconductors, 49:8 (2015), 1095–1098
2014
38. М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. З. Шварц, Н. Х. Тимошина, Р. А. Салий, В. М. Лантратов, “Разностный способ получения темновой вольт-амперной характеристики и ее виды для остаточной (негенерирующей) части многопереходного солнечного элемента”, Физика и техника полупроводников, 48:5 (2014),  671–676  mathnet  elib; M. A. Mintairov, V. V. Evstropov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. Z. Shvarts, N. Kh. Timoshina, R. A. Salii, V. M. Lantratov, “Subtractive method for obtaining the dark current-voltage characteristic and its types for the residual (nongenerating) part of a multi-junction solar cell”, Semiconductors, 48:5 (2014), 653–658 2

Организации