|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Гибридные каскадные солнечные элементы на основе бондинга материалов А$^{\mathrm{III}}$В$^{\mathrm{V}}$ и кремния”, Физика и техника полупроводников, 59:6 (2025), 328–331  |
| 2. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, С. А. Левина, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, Н. А. Калюжный, “Метаморфные InGaAs/GaAs-гетероструктуры для радиационно стойких фотопреобразователей лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:5 (2025), 291–293 |
| 3. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Определение дисбаланса фотогенерированных токов в многопереходных фотопреобразователях лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 219–222 |
| 4. |
С. А. Левина, В. М. Емельянов, П. Д. Корниенко, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Исследование времен жизни неравновесных носителей заряда электролюминесцентным методом в многопереходных солнечных элементах при облучении протонами и электронами высоких энергий”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 214–218 |
| 5. |
А. К. Романчук, А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Увеличение эффективности ввода оптической мощности в AlGaAs/GaAs фотоэлектрических преобразователях лазерного излучения”, Физика и техника полупроводников, 59:4 (2025), 209–213 |
| 6. |
С. А. Минтаиров, В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, М. В. Нахимович, В. В. Олейник, Р. А. Салий, А. Ф. Скачков, Л. Н. Скачкова, М. З. Шварц, “Тандемные GaInP/Ga(In)As-структуры для трехпереходных гибридных GaInP/Ga(In)As//Si солнечных элементов”, Письма в ЖТФ, 51:13 (2025), 40–43  |
| 7. |
С. А. Левина, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “От сферы до полусферы: выбор вторичных концентраторных элементов для “micro-CPV”-модуля”, Письма в ЖТФ, 51:5 (2025), 20–24 |
| 8. |
В. П. Хвостиков, А. В. Малевская, П. В. Покровский, О. А. Хвостикова, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович, “Микроразмерные GaSb фотоэлектрические преобразователи лазерного излучения высокой плотности”, Письма в ЖТФ, 51:4 (2025), 50–53 |
|
2024 |
| 9. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Эффективность концентраторных фотоэлектрических модулей на основе короткофокусных линз Френеля и A$^3$B$^5$ солнечных элементов”, ЖТФ, 94:10 (2024), 1701–1706 |
| 10. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, А. А. Блохин, М. В. Нахимович, Н. Д. Ильинская, “Формирование световыводящей поверхности инфракрасных (850 nm) светоизлучающих диодов”, ЖТФ, 94:6 (2024), 888–893 |
| 11. |
С. А. Левина, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Вторичная оптика для системы “micro-CPV”-модуля”, Письма в ЖТФ, 50:23 (2024), 82–84 |
| 12. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, М. З. Шварц, “Концентраторные фотоэлектрические модули на основе короткофокусных линз Френеля с комбинированным профилем”, Письма в ЖТФ, 50:23 (2024), 77–81 |
| 13. |
С. В. Сорокина, А. В. Малевская, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков, “Электрохимическое осаждение контактных материалов к мощным фотоэлектрическим преобразователям на основе GaSb”, Письма в ЖТФ, 50:22 (2024), 7–10 |
| 14. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Р. А. Салий, Ф. Ю. Солдатенков, М. В. Нахимович, Д. А. Малевский, “Влияние свойств тыльного отражателя на характеристики инфракрасных светоизлучающих диодов на основе AlGaAs/GaAs-гетероструктуры”, Письма в ЖТФ, 50:18 (2024), 22–26 |
| 15. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, “Оптимизационные решения для фотоэлектрических модулей с линзами Френеля и трех-/пятипереходными солнечными элементами”, Письма в ЖТФ, 50:18 (2024), 7–10 |
| 16. |
М. З. Шварц, В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, А. А. Солуянов, “Поиск компромиссных конструктивных решений для модулей с линзовыми концентраторами солнечного излучения”, Письма в ЖТФ, 50:7 (2024), 8–11 |
|
2023 |
| 17. |
Д. А. Малевский, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, Д. Ю. Березанов, М. З. Шварц, “Гибридные солнечные модули: сравнение результатов лабораторных и натурных исследований”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 56–58 |
| 18. |
В. М. Емельянов, С. А. Левина, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Исследование характеристик гибридных фотоэлектрических модулей в условиях локальной неравномерности облученности и частичного затенения”, Письма в ЖТФ, 49:23 (2023), 42–45 |
| 19. |
С. А. Минтаиров, А. В. Малевская, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Высокоэффективные GaInP/GaAs-фотопреобразователи лазерной линии 600 nm”, Письма в ЖТФ, 49:6 (2023), 32–34 |
| 20. |
М. З. Шварц, А. В. Андреева, Д. А. Андроников, К. В. Емцев, В. Р. Ларионов, М. В. Нахимович, П. В. Покровский, Н. А. Садчиков, С. А. Яковлев, Д. А. Малевский, “Гибридный концентраторно-планарный фотоэлектрический модуль с гетероструктурными солнечными элементами”, Письма в ЖТФ, 49:4 (2023), 15–19 |
|
2022 |
| 21. |
Г. С. Гагис, В. И. Кучинский, Д. Ю. Казанцев, Б. Я. Бер, М. В. Токарев, В. П. Хвостиков, М. В. Нахимович, А. С. Власов, В. И. Васильев, “Получение анизотипных гетероструктур для фотоэлектрического преобразователя на основе GaSb за счет твердофазных реакций замещения”, Письма в ЖТФ, 48:21 (2022), 3–5 |
1
|
| 22. |
С. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, М. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Фотопреобразователь лазерного излучения на основе GaInP с КПД 46.7% на длине волны 600 nm”, Письма в ЖТФ, 48:5 (2022), 24–26 |
|
2021 |
| 23. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, Р. А. Салий, Д. А. Малевский, М. В. Нахимович, В. Р. Ларионов, П. В. Покровский, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Высокоэффективные (EQE = 37.5%) инфракрасные (850 нм) светодиоды с брэгговским и зеркальным отражателями”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1218–1222 |
2
|
| 24. |
Н. С. Потапович, М. В. Нахимович, В. П. Хвостиков, “Фотоэлектрические преобразователи узкополосного излучения на основе гетероструктур InGaAsP/InP”, Физика и техника полупроводников, 55:11 (2021), 1091–1094 |
| 25. |
В. П. Хвостиков, С. В. Сорокина, О. А. Хвостикова, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, “Термофотоэлектрические GaSb-преобразователи излучения инфракрасных селективных эмиттеров”, Физика и техника полупроводников, 55:10 (2021), 956–959 ; V. P. Khvostikov, S. V. Sorokina, O. A. Khvostikova, M. V. Nakhimovich, M. Z. Shvarts, “GaSb-based thermophotovoltaic converters of IR selective emitter radiation”, Semiconductors, 55:11 (2021), 840–843 |
5
|
| 26. |
А. В. Малевская, Н. А. Калюжный, Д. А. Малевский, С. А. Минтаиров, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Ф. Ю. Солдатенков, М. З. Шварц, В. М. Андреев, “Инфракрасные (850 нм) светодиоды с множественными квантовыми ямами InGaAs и “тыльным” отражателем”, Физика и техника полупроводников, 55:8 (2021), 699–703 ; A. V. Malevskaya, N. A. Kalyuzhnyy, D. A. Malevskii, S. A. Mintairov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, F. Yu. Soldatenkov, M. Z. Shvarts, V. M. Andreev, “Infrared (850 nm) light-emitting diodes with multiple InGaAs quantum wells and “back” reflector”, Semiconductors, 55:8 (2021), 686–690 |
6
|
| 27. |
Р. А. Салий, М. А. Минтаиров, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Исследование фотоэлектрических характеристик GaAs-фотопреобразователей при различном расположении массива квантовых точек InGaAs в $i$-области”, Письма в ЖТФ, 47:21 (2021), 28–31 |
| 28. |
М. А. Минтаиров, В. В. Евстропов, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение эффективности трехпереходных солнечных элементов за счет метаморфного InGaAs-субэлемента”, Письма в ЖТФ, 47:18 (2021), 51–54 |
| 29. |
С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, Н. А. Калюжный, “Увеличение коэффициента полезного действия фотопреобразователей лазерного излучения диапазона 520–540 nm на основе гетероструктур GaInP/GaAs”, Письма в ЖТФ, 47:6 (2021), 29–31 ; S. A. Mintairov, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, N. A. Kalyuzhnyy, “Increasing the efficiency of 520- to 540-nm laser radiation photovoltaic converters based on GaInP/GaAs heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 47:4 (2021), 290–292 |
|
2020 |
| 30. |
В. М. Емельянов, Н. А. Калюжный, С. А. Минтаиров, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, “Влияние легирования слоев брэгговских отражателей на электрические свойства InGaAs/GaAs метаморфных фотопреобразователей”, Физика и техника полупроводников, 54:4 (2020), 400–407 ; V. M. Emelyanov, N. A. Kalyuzhnyy, S. A. Mintairov, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, “Effects of doping of bragg reflector layers on the electrical characteristics of InGaAs/GaAs metamorphic photovoltaic converters”, Semiconductors, 54:4 (2020), 476–483 |
2
|
| 31. |
С. А. Минтаиров, И. М. Гаджиев, Н. А. Калюжный, М. В. Максимов, А. М. Надточий, М. В. Нахимович, Р. А. Салий, М. З. Шварц, А. Е. Жуков, “Быстродействующие фотодетекторы оптического диапазона 950–1100 nm на основе In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs-наноструктур квантовая яма-точки”, Письма в ЖТФ, 46:24 (2020), 11–14 ; S. A. Mintairov, I. M. Gadzhiev, N. A. Kalyuzhnyy, M. V. Maksimov, A. M. Nadtochiy, M. V. Nakhimovich, R. A. Salii, M. Z. Shvarts, A. E. Zhukov, “High-speed photodetectors for the 950–1100 nm optical range based on In$_{0.4}$Ga$_{0.6}$As/GaAs quantum well-dot nanostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:12 (2020), 1219–1222 |
1
|
|
