|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
Е. И. Суворова, Ф. Ю. Соломкин, Н. А. Архарова, Н. В. Шаренкова, Г. Н. Исаченко, “Микроструктура и фазовый состав сплава дисилицидов железа и хрома”, Физика и техника полупроводников, 56:2 (2022), 187–191   |
|
2021 |
| 2. |
Ф. Ю. Соломкин, А. Ю. Самунин, Н. В. Зайцева, Н. В. Шаренкова, Г. Н. Исаченко, С. В. Новиков, “Исследование фазового состава интерфейсного слоя, полученного при горячем прессовании Cr и Si”, Физика и техника полупроводников, 55:12 (2021), 1115–1118 |
|
2019 |
| 3. |
Ф. Ю. Соломкин, А. С. Орехов, С. В. Новиков, Н. А. Архарова, Г. Н. Исаченко, Н. В. Зайцева, Н. В. Шаренкова, А. Ю. Самунин, В. В. Клечковская, А. Т. Бурков, “Структура и термоэлектрические свойства CoSi, полученного из пересыщенного раствора–расплава в Sn”, Физика и техника полупроводников, 53:6 (2019), 770–773 ; F. Yu. Solomkin, A. S. Orekhov, S. V. Novikov, N. A. Arkharova, G. N. Isachenko, N. V. Zaitseva, N. V. Sharenkova, A. Yu. Samunin, V. V. Klechkovskaya, A. Burkov, “On the structure and thermoelectric properties of CoSi obtained from a supersaturated solution–melt in Sn”, Semiconductors, 53:6 (2019), 761–764 |
4
|
|
2017 |
| 4. |
В. С. Кузнецова, В. К. Зайцев, Ф. Ю. Соломкин, С. В. Новиков, “Анизотропия термоэдс в высших силицидах переходных металлов”, Физика и техника полупроводников, 51:8 (2017), 1014–1017 ; V. S. Kuznetsova, V. K. Zaitsev, F. Yu. Solomkin, S. V. Novikov, “Anisotropy of the thermopower in higher silicide of transitions metals”, Semiconductors, 51:8 (2017), 972–975 |
1
|
| 5. |
А. С. Орехов, В. В. Клечковская, Е. В. Ракова, Ф. Ю. Соломкин, С. В. Новиков, Л. В. Бочков, Г. Н. Исаченко, “Установление взаимосвязи микроструктуры и термоэлектрических свойств кристаллов высшего силицида марганца, легированных германием”, Физика и техника полупроводников, 51:7 (2017), 925–928 ; A. S. Orekhov, V. V. Klechkovskaya, E. V. Rakova, F. Yu. Solomkin, S. V. Novikov, L. V. Bochkov, G. N. Isachenko, “The dependence of the microstructure and thermoelectric properties of germanium-doped higher manganese silicide crystals”, Semiconductors, 51:7 (2017), 887–890 |
3
|
|
2016 |
| 6. |
Ф. Ю. Соломкин, С. В. Новиков, Н. Ф. Картенко, А. С. Колосова, Д. А. Пшенай-Северин, О. Н. Урюпин, А. Ю. Самунин, Г. Н. Исаченко, “Использование метода раствор в расплаве для создания композитных материалов, состоящих из металлической матрицы и микрокристаллов CrSi$_{2}$”, ЖТФ, 86:1 (2016), 155–158 ; F. Yu. Solomkin, S. V. Novikov, N. F. Kartenko, A. S. Kolosova, D. A. Pshenay-Severin, O. N. Uryupin, A. Yu. Samunin, G. N. Isachenko, “Application of the solution–melt method for obtaining composite materials consisting of a metal matrix and CrSi$_2$ microcrystals”, Tech. Phys., 61:1 (2016), 153–156 |
|
2014 |
| 7. |
Ф. Ю. Соломкин, В. К. Зайцев, С. В. Новиков, А. Ю. Самунин, Д. А. Пшенай-Северин, Г. Н. Исаченко, “Анизотропные слоистые высокотемпературные термоэлектрические материалы на базе двухфазной системы CrSi$_2$, $\beta$-FeSi$_2$”, ЖТФ, 84:8 (2014), 106–111 ; F. Yu. Solomkin, V. K. Zaitsev, S. V. Novikov, A. Yu. Samunin, D. A. Pshenay-Severin, G. N. Isachenko, “Anisotropic layered high-temperature thermoelectric materials based on the two-phase CrSi$_2$-$\beta$-FeSi$_2$ system”, Tech. Phys., 59:8 (2014), 1209–1214 |
2
|
|
2013 |
| 8. |
Ф. Ю. Соломкин, В. К. Зайцев, С. В. Новиков, Ю. А. Самунин, Г. Н. Исаченко, “Область гомогенности и термоэлектрические свойства CrSi$_2$”, ЖТФ, 83:2 (2013), 141–145 ; F. Yu. Solomkin, V. K. Zaitsev, S. V. Novikov, Yu. A. Samunin, G. N. Isachenko, “Homogeneity domain and thermoelectric properties of CrSi$_2$”, Tech. Phys., 58:2 (2013), 289–193 |
9
|
|
2011 |
| 9. |
Ф. Ю. Соломкин, Е. И. Суворова, В. К. Зайцев, С. В. Новиков, А. Т. Бурков, А. Ю. Самунин, Г. Н. Исаченко, “Влияние термообработки на структуру и термоэлектрические свойства CrSi$_2$”, ЖТФ, 81:2 (2011), 147–149 ; F. Yu. Solomkin, E. I. Suvorova, V. K. Zaitsev, S. V. Novikov, A. T. Burkov, A. Yu. Samunin, G. N. Isachenko, “Influence of heat treatment on the structure and thermoelectric properties of CrSi$_2$”, Tech. Phys., 56:2 (2011), 305–307 |
12
|
|
