|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2025 |
| 1. |
С. В. Булярский, М. С. Молоденский, П. Е. Львов, А. А. Павлов, Ю. В. Ануфриев, Ю. П. Шаман, Г. Г. Гусаров, К. А. Модестов, А. В. Сыса, А. Р. Шевченко, “Влияние избыточного потока водорода в реакторе на PECVD рост углеродных нанотрубок”, Физика твердого тела, 67:2 (2025), 350–355   |
|
2021 |
| 2. |
М. В. Шибалов, Н. В. Порохов, А. М. Мумляков, И. В. Трофимов, Г. Д. Дюдьбин, Е. Р. Тимофеева, А. М. Тагаченков, Ю. В. Ануфриев, Е. В. Зенова, М. А. Тархов, “Исследование ультратонких сверхпроводящих пленок нитрида ниобия, полученных методом атомно-слоевого осаждения”, ЖТФ, 91:4 (2021), 672–677 ; M. V. Shibalov, N. V. Porokhov, A. M. Mymlyakov, I. V. Trofimov, G. D. Diudbin, E. R. Timofeeva, A. M. Tagachenkov, Yu. V. Anufriev, E. V. Zenova, M. A. Tarkhov, “A study of ultrathin superconducting films of niobium nitride obtained by atomic layer deposition”, Tech. Phys., 66:5 (2021), 658–663  |
4
|
|
2016 |
| 3. |
Э. Н. Воронков, Ю. В. Ануфриев, Е. И. Теруков, “Бета-электрические элементы из аморфного кремния”, ЖТФ, 86:5 (2016), 102–106 ; È. N. Voronkov, Yu. V. Anufriev, E. I. Terukov, “Beta-electric elements made of amorphous silicon”, Tech. Phys., 61:5 (2016), 740–744 |
1
|
|
2015 |
| 4. |
А. И. Попов, С. М. Сальников, Ю. В. Ануфриев, “Условия устойчивого переключения в ячейках памяти на фазовых переходах”, Физика и техника полупроводников, 49:4 (2015), 509–514 ; A. I. Popov, S. M. Salnikov, Yu. V. Anufriev, “Conditions of steady switching in phase-transition memory cells”, Semiconductors, 49:4 (2015), 498–503 |
4
|
|
