|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2023 |
| 1. |
Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, “Резистивное переключение мемристоров на основе эпитаксиальных гетероструктур $p$-Si/$p$-Ge/$n^+$-Si(001) с Ru- и Ag-электродами”, Письма в ЖТФ, 49:1 (2023), 5–8   |
|
2022 |
| 2. |
А. Б. Чигинева, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, К. С. Жидяев, В. Е. Котомина, И. В. Самарцев, “Влияние химической обработки и топологии поверхности на блокирующее напряжение GaAs тиристорных мезаструктур, выращенных методом ГФЭ МОС”, Физика и техника полупроводников, 56:1 (2022), 134–138 |
|
2021 |
| 3. |
М. В. Дорохин, М. С. Болдин, Е. А. Ускова, А. В. Боряков, П. Б. Демина, И. В. Ерофеева, А. В. Здоровейщев, В. Е. Котомина, Ю. М. Кузнецов, Е. А. Ланцев, А. А. Попов, В. Н. Трушин, “Формирование мелкодисперсного термоэлектрика Si$_{1-x}$Ge$_{x}$ при электроимпульсном плазменном спекании”, ЖТФ, 91:12 (2021), 1975–1983 |
| 4. |
В. А. Воронцов, Д. А. Антонов, А. В. Круглов, И. Н. Антонов, В. Е. Koтомина, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, Д. О. Филатов, О. Н. Горшков, “Демонстрация эффекта резистивного переключения отдельных филаментов в мемристорных структурах Ag/Ge/Si методом атомно-силовой микроскопии”, Письма в ЖТФ, 47:15 (2021), 23–26 |
|
2020 |
| 5. |
О. Н. Горшков, В. Г. Шенгуров, С. А. Денисов, В. Ю. Чалков, И. Н. Антонов, А. В. Круглов, М. Е. Шенина, В. Е. Котомина, Д. О. Филатов, Д. А. Серов, “Резистивное переключение в мемристорах на основе гетероструктур Ag/Ge/Si”, Письма в ЖТФ, 46:2 (2020), 44–46 ; O. N. Gorshkov, V. G. Shengurov, S. A. Denisov, V. Yu. Chalkov, I. N. Antonov, A. V. Kruglov, M. E. Shenina, V. E. Kotomina, D. O. Filatov, D. A. Serov, “Resistive switching in memristors based on Ag/Ge/Si heterostructures”, Tech. Phys. Lett., 46:1 (2020), 91–93 |
6
|
|
2018 |
| 6. |
И. В. Ерофеева, М. В. Дорохин, А. В. Здоровейщев, Ю. М. Кузнецов, А. А. Попов, Е. А. Ланцев, А. В. Боряков, В. Е. Котомина, “Получение электроимпульсным плазменным спеканием термоэлектрических материалов на основе Si и Ge”, Физика и техника полупроводников, 52:12 (2018), 1455–1459 ; I. V. Erofeeva, M. V. Dorokhin, A. V. Zdoroveyshchev, Yu. M. Kuznetsov, A. A. Popov, E. A. Lantsev, A. V. Boryakov, V. E. Kotomina, “Production of Si- and Ge-based thermoelectric materials by spark plasma sintering”, Semiconductors, 52:12 (2018), 1559–1563 |
5
|
| 7. |
D. O. Filatov, I. N. Antonov, D. Yu. Sinutkin, D. A. Liskin, A. P. Gorshkov, O. N. Gorshkov, V. E. Kotomina, M. E. Shenina, S. V. Tikhov, I. S. Korotaeva, “Plasmon resonance induced photoconductivity in the yttria stabilized zirconia films with embedded Au nanoclusters”, Физика и техника полупроводников, 52:4 (2018), 470 ; Semiconductors, 52:4 (2018), 465–467 |
3
|
|
2017 |
| 8. |
Б. Н. Звонков, Н. В. Байдусь, С. М. Некоркин, О. В. Вихрова, А. В. Здоровейщев, А. В. Кудрин, В. Е. Котомина, “Оптический тиристор на основе системы материалов GaAs/InGaP”, Физика и техника полупроводников, 51:11 (2017), 1443–1446 ; B. N. Zvonkov, N. V. Baidus, S. M. Nekorkin, O. V. Vikhrova, A. V. Zdoroveyshchev, A. V. Kudrin, V. E. Kotomina, “Optical thyristor based on GaAs/InGaP materials”, Semiconductors, 51:11 (2017), 1391–1394 |
| 9. |
Н. С. Будников, В. В. Дуденкова, В. Е. Котомина, О. А. Морозов, В. В. Семенов, “Голографический метод количественного измерения фотолитографических реплик толстых рельефных дефектов поверхности”, Письма в ЖТФ, 43:11 (2017), 81–87 ; N. S. Budnikov, V. V. Dudenkova, V. E. Kotomina, O. A. Morozov, V. V. Semenov, “A holographic method of the quantitative measurement of photolithographic replicas of thick raised surface defects”, Tech. Phys. Lett., 43:6 (2017), 539–541 |
|
