|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2021 |
| 1. |
В. Б. Бондаренко, А. В. Филимонов, Ravi Kumar, “Хаотический потенциал заряженных дислокаций в гетероконтактах III-нитридов”, Письма в ЖТФ, 47:1 (2021), 12–14   ; V. B. Bondarenko, A. V. Filimonov, Ravi Kumar, “A chaotic potential of charged dislocations in group III-nitride heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 47:1 (2021), 8–10 |
1
|
|
2017 |
| 2. |
В. Б. Бондаренко, А. В. Филимонов, “Критерий сильной локализации на поверхности полупроводника в приближении Томаса–Ферми”, Физика и техника полупроводников, 51:10 (2017), 1372–1375 ; V. B. Bondarenko, A. V. Filimonov, “Criterion for strong localization on a semiconductor surface in the Thomas–Fermi approximation”, Semiconductors, 51:10 (2017), 1321–1325 |
4
|
|
2015 |
| 3. |
В. Б. Бондаренко, А. В. Филимонов, “Хаотический потенциал на поверхности компенсированного полупроводника в условиях самоорганизации электрически активных дефектов”, Физика и техника полупроводников, 49:9 (2015), 1223–1226 ; V. B. Bondarenko, A. V. Filimonov, “On a chaotic potential at the surface of a compensated semiconductor under conditions of the self-assembly of electrically active defects”, Semiconductors, 49:9 (2015), 1187–1190 |
1
|
|
