|
|
|
Публикации в базе данных Math-Net.Ru |
Цитирования |
|
2022 |
| 1. |
И. С. Езубченко, М. Я. Черных, И. А. Черных, А. А. Андреев, И. О. Майборода, Е. М. Колобкова, Ю. В. Храповицкая, Ю. В. Грищенко, П. А. Перминов, М. Л. Занавескин, “Изучение эффективности теплоотвода композитных подложек “кремний на алмазе” для устройств на основе нитрида галлия”, Письма в ЖТФ, 48:7 (2022), 20–22   |
|
2021 |
| 2. |
И. О. Майборода, И. А. Черных, В. С. Седов, А. С. Алтахов, А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, Е. М. Колобкова, А. К. Мартьянов, В. И. Конов, М. Л. Занавескин, “Подложки с алмазным теплоотводом для эпитаксиального роста GaN”, Письма в ЖТФ, 47:7 (2021), 13–16 ; I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, V. S. Sedov, A. Altakhov, A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, E. M. Kolobkova, A. K. Martyanov, V. I. Konov, M. L. Zanaveskin, “Substrates with diamond heat sink for epitaxial GaN growth”, Tech. Phys. Lett., 47:5 (2021), 353–356 |
|
2020 |
| 3. |
Д. А. Чернодубов, И. О. Майборода, М. Л. Занавескин, А. В. Инюшкин, “Особенности теплопереноса в гетероструктурах Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/GaN на сапфире”, Физика твердого тела, 62:4 (2020), 635–639 ; D. A. Chernodubov, I. O. Mayboroda, M. L. Zanaveskin, A. V. Inyushkin, “Specifics of heat transfer in Al$_{x}$Ga$_{1-x}$N/GaN heterostructures on sapphire”, Phys. Solid State, 62:4 (2020), 722–726 |
1
|
| 4. |
Н. К. Чумаков, И. А. Черных, А. Б. Давыдов, И. С. Езубченко, Ю. В. Грищенко, Л. Л. Лев, И. О. Майборода, Л. А. Моргун, В. Н. Строков, В. Г. Валеев, М. Л. Занавескин, “Квантовая когерентность и эффект Кондо в двумерном электронном газе магнитно-нелегированных гетероструктур AlGaN/GaN”, Физика и техника полупроводников, 54:9 (2020), 962–967 ; N. K. Chumakov, I. A. Chernykh, A. B. Davydov, I. S. Ezubchenko, Yu. V. Grishchenko, L. L. Lev, I. O. Mayboroda, L. A. Morgun, V. N. Strokov, V. G. Valeev, M. L. Zanaveskin, “Quantum coherence and the Kondo effect in the 2D electron gas of magnetically undoped AlGaN/GaN high-electron-mobility transistor heterostructures”, Semiconductors, 54:9 (2020), 1150–1154 |
| 5. |
И. А. Черных, С. М. Романовский, А. А. Андреев, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Ю. В. Грищенко, И. О. Майборода, С. В. Корнеев, М. М. Крымко, М. Л. Занавескин, В. Ф. Синкевич, “Мощностные характеристики нитрид-галлиевых СВЧ-транзисторов на подложках кремния”, Письма в ЖТФ, 46:5 (2020), 11–14 ; I. A. Chernykh, S. M. Romanovskiy, A. A. Andreev, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, Yu. V. Grishchenko, I. O. Mayboroda, S. V. Korneev, M. M. Krymko, M. L. Zanaveskin, V. Ph. Sinkevich, “Power characteristics of GaN microwave transistors on silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 46:3 (2020), 211–214 |
1
|
|
2019 |
| 6. |
А. А. Андреев, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, М. Я. Черных, Е. М. Колобкова, И. О. Майборода, И. А. Черных, М. Л. Занавескин, “Изучение характеристик транзисторов на гетероструктурах нитрида галлия, выращенных методом аммиачной молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках сапфира и кремния”, Письма в ЖТФ, 45:4 (2019), 52–54 ; A. A. Andreev, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, M. Y. Chernykh, E. M. Kolobkova, I. O. Mayboroda, I. A. Chernykh, M. L. Zanaveskin, “Studying the characteristics of transistors based on gallium nitride heterostructures grown by ammonia molecular beam epitaxy on sapphire and silicon substrates”, Tech. Phys. Lett., 45:2 (2019), 173–175 |
3
|
|
2018 |
| 7. |
И. О. Майборода, Ю. В. Грищенко, И. С. Езубченко, И. С. Соколов, И. А. Черных, А. А. Андреев, М. Л. Занавескин, “Туннельный ток во встречных диодах Шоттки, образованных контактами между вырожденным GaN $n$-типа и металлом”, Физика и техника полупроводников, 52:6 (2018), 630–636 ; I. O. Mayboroda, Yu. V. Grishchenko, I. S. Ezubchenko, I. S. Sokolov, I. A. Chernykh, A. A. Andreev, M. L. Zanaveskin, “Tunneling current in oppositely connected Schottky diodes formed by contacts between degenerate $n$-GaN and a metal”, Semiconductors, 52:6 (2018), 776–782 |
|
2017 |
| 8. |
А. А. Андреев, Е. А. Вавилова, И. С. Езубченко, М. Л. Занавескин, И. О. Майборода, “Влияние низкотемпературного надбарьерного слоя GaN на концентрацию электронов в гетероструктуре AlGaN/GaN”, ЖТФ, 87:8 (2017), 1275–1278 ; A. A. Andreev, E. A. Vavilova, I. S. Ezubchenko, M. L. Zanaveskin, I. O. Mayboroda, “Influence of a low-temperature GaN cap layer on the electron concentration in AlGaN/GaN heterostructure”, Tech. Phys., 62:8 (2017), 1288–1291 |
|
2014 |
| 9. |
И. О. Майборода, А. А. Андреев, П. А. Перминов, Ю. В. Федоров, М. Л. Занавескин, “Селективный рост невжигаемых омических контактов к двумерному электронному газу в транзисторах с высокой подвижностью электронов на основе гетеропереходов GaN/AlGaN методом молекулярно-пучковой эпитаксии”, Письма в ЖТФ, 40:11 (2014), 80–86 ; I. O. Mayboroda, A. A. Andreev, P. A. Perminov, Yu. V. Fedorov, M. L. Zanaveskin, “Selective MBE growth of nonalloyed ohmic contacts to 2D electron gas in high-electron-mobility transistors based on GaN/AlGaN heterojunctions”, Tech. Phys. Lett., 40:6 (2014), 488–490 |
7
|
|
